MOSFET

我要報(bào)錯(cuò)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用

下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非全部原創(chuàng)。包括MOS管的介紹，特性，驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路?！≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，

功率器件
2011-11-21

MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) MOS管電壓
灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)

根據(jù)中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國(guó)已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來(lái)五年內(nèi)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)7%，到2015年時(shí)預(yù)計(jì)會(huì)成長(zhǎng)為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺(tái)幣280兆的規(guī)模；而在此同時(shí)，中國(guó)

消費(fèi)電子
2011-11-10

晶圓代工應(yīng)用市場(chǎng) 制程技術(shù) MOSFET
飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 宣布公司獲頒伊頓亞太區(qū)2011年最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)。伊頓(Eaton)公司總部位于美國(guó)，并在上海設(shè)有亞太區(qū)總部，該公司是為單相與三相UPS、電信

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-11-10

飛兆半導(dǎo)體 UPS IGBT MOSFET
上華：臺(tái)灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)

根據(jù)中國(guó)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局所公布的數(shù)據(jù)顯示，2010年起中國(guó)已經(jīng)超越日本，成為世界第二大經(jīng)濟(jì)體，其GDP在未來(lái)五年內(nèi)的年復(fù)合成長(zhǎng)率將高達(dá)7%，到2015年時(shí)預(yù)計(jì)會(huì)成長(zhǎng)為56兆人民幣，相當(dāng)于新臺(tái)幣280兆的規(guī)模；而在此同時(shí)，中國(guó)

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2011-11-09

晶圓代工應(yīng)用市場(chǎng) 制程技術(shù) MOSFET
運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器

一般來(lái)說(shuō)，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個(gè)任務(wù)(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內(nèi)。這個(gè)壓降會(huì)消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可

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2011-11-02

電源運(yùn)放選擇器 MOSFET
運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器

一般來(lái)說(shuō)，人們都希望系統(tǒng)供電電源是可用性最高的輸入電壓。用一種肖特基二極管的OR方法就可以完成這個(gè)任務(wù)(圖1)。糟糕的是，肖特基二極管的正向壓降在300mV~600mV范圍內(nèi)。這個(gè)壓降會(huì)消耗功率，產(chǎn)生熱量，降低系統(tǒng)可

功率器件
2011-10-31

電源運(yùn)放選擇器 MOSFET
最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)

目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個(gè)精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計(jì)采用FPGA、微處理器、

電源
2011-10-29

電源模塊組件 ISL MOSFET
最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)

目前，許多電信、數(shù)據(jù)通信、電子數(shù)據(jù)處理，特別是無(wú)線網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)采用分布式電源架構(gòu)供電。這些復(fù)雜的系統(tǒng)要求電源管理解決方案能夠監(jiān)控電源，直至每個(gè)精確的參數(shù)。為達(dá)到這種性能水平，大部分設(shè)計(jì)采用FPGA、微處理器、

功率器件
2011-10-29

電源模塊組件 ISL MOSFET
理解功率 MOSFET 的電流

通常，在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中的第一頁(yè)，列出了連續(xù)漏極電流ID，脈沖漏極電流IDM，雪崩電流IAV的額定值，然后對(duì)于許多電子工程師來(lái)說(shuō)，他們對(duì)于這些電流值的定義以及在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，它們?nèi)绾斡绊懴到y(tǒng)以及如何選

功率器件
2011-10-29

器件電流功率MOSFET MOSFET
晶片設(shè)計(jì)/封裝別出心裁　電源供應(yīng)系統(tǒng)加速“綠”化

隨著各國(guó)法規(guī)對(duì)電子產(chǎn)品耗電量的要求日益嚴(yán)苛，消費(fèi)者也開(kāi)始將節(jié)能效果的良窳，做為采購(gòu)時(shí)的重要參考指標(biāo)。為符合市場(chǎng)需求，電源晶片商正全力開(kāi)發(fā)更高轉(zhuǎn)換效率的解決方案，以因應(yīng)電源供應(yīng)器朝向更高節(jié)能效率發(fā)展的風(fēng)

模擬
2011-10-20

晶片封裝電源供應(yīng) MOSFET
Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評(píng)為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。《今

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-10-10

Vishay TOP DC電源 MOSFET
Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于

功率器件
2011-10-10

器件 Vishay SILICONIX MOSFET
一種高效率AC/DC電源的設(shè)計(jì)

由于功率密度的增加，能量損耗的密度也更為集中。更高的效率就意味著更低的熱損耗。提高電源效率正在迅速成為提高功率密度時(shí)唯一可行的措施。本文討論的AC/DC電源，80%以上的效率就可以被視為高效率?，F(xiàn)在，市場(chǎng)上可

功率器件
2011-10-06

二極管 AC/DC DC電源 MOSFET
兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

由分立器件組成的驅(qū)動(dòng)電路((如圖所示)，驅(qū)動(dòng)電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時(shí)，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過(guò)Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電

功率器件
2011-09-23

電容電平 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個(gè)PIN腳功能，文中一一有分解說(shuō)明。關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個(gè)PIN腳功能 1 LM

工業(yè)控制
2011-09-20

集成控制器驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計(jì)人員設(shè)計(jì)出成本更低、更具競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機(jī)、數(shù)碼照相機(jī)、

消費(fèi)電子
2011-09-20

晶體管 CE PMU MOSFET
電動(dòng)自行車(chē)控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

電動(dòng)自行車(chē)具有環(huán)保節(jié)能，價(jià)格合適，無(wú)噪聲，便利等特點(diǎn)，因此，電動(dòng)自行車(chē)成為當(dāng)今社會(huì)人們主要的代步工具。與此同時(shí)，消費(fèi)者和商家對(duì)整車(chē)的質(zhì)量及可靠性要求也越來(lái)越高。作為整車(chē)四大件之一的控制器的可靠性顯得尤

功率器件
2011-09-20

電感驅(qū)動(dòng)電路電動(dòng)自行車(chē)控制器 MOSFET
高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進(jìn)，為了滿足那些需求，并為該市場(chǎng)提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過(guò)去，MOSFET設(shè)計(jì)工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場(chǎng)的

模擬
2011-09-19

高精度 BSP MOSFET 電壓
Blade封裝技術(shù)助力　低壓MOSFET效能升級(jí)

在綠色節(jié)能熱潮持續(xù)發(fā)燒與能源規(guī)范日趨嚴(yán)格等因素驅(qū)使下，市場(chǎng)對(duì)電源供應(yīng)系統(tǒng)的效率和功率密度的要求也不斷提升。為因應(yīng)此一發(fā)展趨勢(shì)，英飛凌(Infineon)已研發(fā)出采用新一代Blade封裝技術(shù)的低壓金屬氧化物場(chǎng)效電晶體(

模擬
2011-09-19

低壓封裝技術(shù) AD MOSFET
Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電

功率器件
2011-09-18

器件 Vishay 導(dǎo)通電阻 MOSFET

首頁(yè) 上一頁(yè) 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 下一頁(yè) 尾頁(yè)

MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用

灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)

飛兆半導(dǎo)體獲頒伊頓亞太區(qū)最佳供應(yīng)商獎(jiǎng)

上華：臺(tái)灣應(yīng)與大陸晶圓代工廠共同經(jīng)營(yíng)中國(guó)新興熱點(diǎn)市場(chǎng)

運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器

運(yùn)放做自動(dòng)OR操作的電源選擇器

最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)

最佳電源模塊選擇標(biāo)準(zhǔn)

理解功率 MOSFET 的電流

晶片設(shè)計(jì)/封裝別出心裁　電源供應(yīng)系統(tǒng)加速“綠”化

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

一種高效率AC/DC電源的設(shè)計(jì)

兩種常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全橋移相控制器-LM5046

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

電動(dòng)自行車(chē)控制器MOSFET驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)

高精度MOSFET設(shè)計(jì)技巧

Blade封裝技術(shù)助力　低壓MOSFET效能升級(jí)

Vishay發(fā)布新款MOSFET--SiR640DP和SiR662DP

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