MOSFET

關(guān)注344人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

歐姆龍與IceMos Technology量產(chǎn)采用MEMS超結(jié)構(gòu)造MOSFET

圖1：開(kāi)發(fā)的MOSFET（點(diǎn)擊放大）美國(guó)IceMos Technology與歐姆龍開(kāi)始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET（圖1）。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)

模擬
2011-08-08

ICE MEMS MOSFET TECHNOLOGY
一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)。可以測(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率（1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率

電源
2011-08-06

集成溫度 BSP MOSFET
一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一引言　　DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個(gè)重要特征參數(shù)?？梢詼y(cè)量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進(jìn)行表達(dá)：　　效率 = 輸出功率 / 輸入功率（1）　　功率損耗 = 輸入功率-輸出功率

功率器件
2011-08-06

集成溫度 BSP MOSFET
用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

功率器件
2011-07-30

高功率 BSP CMOS器件 MOSFET
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全

工業(yè)控制
2011-07-24

電感功率器件功率MOSFET MOSFET
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路，以免器件發(fā)生故障，避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計(jì)人員使用完全

功率器件
2011-07-22

電感功率器件功率MOSFET MOSFET
80V浪涌吸收器原理與設(shè)計(jì)

摘要針對(duì)飛機(jī)直流電源上的浪涌干擾，分析了采用電壓鉗位和開(kāi)關(guān)式穩(wěn)壓電路兩種方法，實(shí)現(xiàn)80V浪涌吸收器的可行性。經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和試驗(yàn)，較好地解決了這一問(wèn)題。關(guān)鍵詞機(jī)載電子設(shè)備；80V浪涌吸收器；浪涌干擾隨

功率器件
2011-07-12

穩(wěn)壓電路浪涌電壓 BSP MOSFET
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。IR堅(jiān)固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種

模擬
2011-07-11

器件電壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

21ic訊 IR近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)上的重載應(yīng)用。IR堅(jiān)固的新型平面器件提供低導(dǎo)通電阻，適合電壓介于40V和75V之間的各種

功率器件
2011-07-09

器件電壓導(dǎo)通電阻 MOSFET
基于混合SET/MOSFET的比較器

據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra

工業(yè)控制
2011-07-06

比較器柵極 SE MOSFET
基于混合SET/MOSFET的比較器

據(jù)2001 年的國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)未來(lái)發(fā)展預(yù)示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長(zhǎng)度將達(dá)到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會(huì)影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Single-Electron Tra

功率器件
2011-07-04

比較器柵極 SE MOSFET
基于UC3844的反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

引言　　隨著現(xiàn)代科技的飛速發(fā)展，開(kāi)關(guān)電源正朝著小、輕、薄的方向發(fā)展。反激變換器因具有電路拓?fù)浜?jiǎn)單、輸入電壓范圍寬、輸入輸出電氣隔離、體積重量小、成本低、性能良好、工作穩(wěn)定可靠等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于實(shí)際變

功率器件
2011-06-28

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 反激開(kāi)關(guān)電源 UC3844 MOSFET
矽晶片/封裝技術(shù)加持　新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化

新問(wèn)世的NexFET Power Block透過(guò)矽晶片及封裝技術(shù)的突破，來(lái)滿足小尺寸產(chǎn)品的高效率及高電量需求，其所占空間約為離散式MOSFET的一半，可降低相關(guān)寄生效應(yīng)，并使同步降壓電源配置，能夠在效能方面超越離散式MOSFET電

模擬
2011-06-23

晶片離散封裝技術(shù) MOSFET
說(shuō)出你的故事：中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認(rèn)為，企業(yè)家的職能就是實(shí)現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進(jìn)生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤(rùn)。創(chuàng)新催生利潤(rùn)，因此“創(chuàng)新”一

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-06-21

中國(guó)電子 IC設(shè)計(jì) MDASH MOSFET
Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

21ic訊 Diodes 公司推出一對(duì)互補(bǔ)性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓?jiǎn)蜗?三相無(wú)刷直流（BLDC）電機(jī)控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機(jī)負(fù)載的直流損耗

功率器件
2011-06-21

直流電機(jī) DM DIODES MOSFET
分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或

汽車電子
2011-06-14

大功率器件 IGBT 混合動(dòng)力電動(dòng)車 MOSFET
同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組

模擬
2011-06-12

電阻傳導(dǎo) 同步降壓 MOSFET
分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或

電源
2011-06-12

大功率器件 IGBT 混合動(dòng)力電動(dòng)車 MOSFET
分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

　盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動(dòng)的汽車可以相對(duì)輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動(dòng)力電動(dòng)汽車采用了幾個(gè)系統(tǒng)，它們需要更高的功率級(jí)別。對(duì)于輕混、全混、插電式混合動(dòng)力汽車或

功率器件
2011-06-12

大功率器件 IGBT 混合動(dòng)力電動(dòng)車 MOSFET
飛兆推出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊

21ic訊電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu

功率器件
2011-06-11

器件飛兆 DM MOSFET

首頁(yè) 上一頁(yè) 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 下一頁(yè) 尾頁(yè)

qwwc
abh2019
lxpin
cgd
fjsfsxwz
ccqccqccq
WMIII
ygmdyq77777
13543016677
davidzhu210
xiayy
thurmann
OMGde
worse
zhengqh
風(fēng)1401963329
rongwinzip
Kelan
alex47158992
zyq_126126

MOSFET

歐姆龍與IceMos Technology量產(chǎn)采用MEMS超結(jié)構(gòu)造MOSFET

一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

一種求解每個(gè)熱源功率損耗的新方法

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析

80V浪涌吸收器原理與設(shè)計(jì)

IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

IR推出新系列40V至75V車用MOSFET

基于混合SET/MOSFET的比較器

基于混合SET/MOSFET的比較器

基于UC3844的反激開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

矽晶片/封裝技術(shù)加持　新MOSFET效能/體積齊優(yōu)化

說(shuō)出你的故事：中國(guó)IC設(shè)計(jì)及應(yīng)用創(chuàng)新案例

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機(jī)損耗

分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

分析混合動(dòng)力電動(dòng)車設(shè)計(jì)中大功率器件的應(yīng)用

飛兆推出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(344人)

熱門活動(dòng)

課程視頻