MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 飛兆推出FDMS36xxS系列功率級(jí)非對(duì)稱雙MOSFET模塊

    21ic訊 電源工程師一直面對(duì)減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個(gè)主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負(fù)載點(diǎn)、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點(diǎn)尤為重要。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semicondu

  • 基于雙管正激的模塊電源設(shè)計(jì)

    高功率密度、高效率以及小外型尺寸已成為當(dāng)前模塊電源技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。雙管正激電路是實(shí)現(xiàn)這些要求的實(shí)用電路之一,被廣泛應(yīng)用在中、高功率電源設(shè)計(jì)中。本文簡(jiǎn)要介紹了雙管正激電路的工作原理及優(yōu)點(diǎn),同時(shí)詳細(xì)介

  • 同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

    在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常，作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組

  • 電池電路工作原理

    電池電路工作原理　　電路具有過(guò)充電保護(hù)、過(guò)放電保護(hù)、過(guò)電流保護(hù)與短路保護(hù)功能，其工作原理分析如下： 　　1、正常狀態(tài)　　在正常狀態(tài)下電路中N1的“CO"與“DO"腳都輸出高電壓，兩個(gè)MOSFET都處于導(dǎo)通狀

  • 飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件

    21ic訊 對(duì)于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，構(gòu)建一個(gè)具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，全

  • 飛兆推出PowerTrench® MOSFET器件

    21ic訊 對(duì)于需要提升系統(tǒng)效率并最大限度減少元件數(shù)目的高效AC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，構(gòu)建一個(gè)具備快速開關(guān)特性、更高效率和功率密度的現(xiàn)代電源系統(tǒng)是一項(xiàng)非常重要的指標(biāo)。為了幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，全

  • Diodes推出超小型MOSFET

    21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件

  • Diodes推出超小型MOSFET

    21ic訊 Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256ºC/W，在連續(xù)條件

  • 恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨

    21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最

  • 恩智浦NextPower MOSFET 15款新產(chǎn)品開始供貨

    21ic訊 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V.宣布，其采用LFPAK封裝的NextPower系列25V和30V MOSFET將有15款新產(chǎn)品開始供貨。這些恩智浦功率MOSFET家族的最新成員在六個(gè)關(guān)鍵參數(shù)方面找到了最佳平衡點(diǎn)，并且具有行業(yè)最

  • 基于TOPSwitchⅡ的開關(guān)電源設(shè)計(jì)

    摘　要: TOPSwitch Ⅱ系列芯片是Power Integration 公司生產(chǎn)的開關(guān)電源專用集成電路,他將脈寬調(diào)制電路與高壓MOSFET 開關(guān)管及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一起,具備完善的保護(hù)功能。使用該芯片設(shè)計(jì)的小功率開關(guān)電源,可大大減少外

  • IR推出WideLead 封裝的車用MOSFET系列

    21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-262 封裝的車用 MOSFET 系列，與傳統(tǒng)的 TO-262封裝相比，可減少 50% 引線電阻，并提高 30% 電流。這款新型車用 MOSFET 系列適合

  • 飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件

    21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild

  • 飛兆推出60V PowerTrench MOSFET器件

    21ic訊 DC-DC電源、馬達(dá)控制、熱插拔和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用，以及服務(wù)器的次級(jí)同步整流應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員，需要使用具有更低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的MOSFET器件以期提高設(shè)計(jì)的效率。為了滿足這一需求， 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild

  • Diodes推出全新DFN3020封裝MOSFET

    21ic訊 Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代

  • 為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET

    高電壓MOSFET技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來(lái)了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開

  • IR推出優(yōu)化版車用DirectFET®2功率MOSFET芯片組

    21ic訊 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的 DC-DC 應(yīng)用。新型 40V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)芯片組包含 AUIRL7

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  • 采用測(cè)量放大電路推動(dòng)的功放

    放大器電路，特點(diǎn)是運(yùn)算精度高、輸入阻抗高，增益容易調(diào)節(jié)，具有優(yōu)良的共模抑制比以及低失調(diào)低溫漂等。電路中A1、A2組成第一級(jí)差分放大器，A3組成第二級(jí)差分　　放大電路　　(減法電路)。R3和R4、R5組成了深度的電壓