MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

　本電源設(shè)計(jì)小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡(jiǎn)單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時(shí)限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。

功率器件
2011-01-04

MOSFET 熱插拔組件電壓
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

消費(fèi)電子
2010-12-29

英飛凌功率半導(dǎo)體晶圓 MOSFET
英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)劃，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-29

英飛凌功率半導(dǎo)體晶圓 MOSFET
MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

　在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中

功率器件
2010-12-28

電感三極管 BSP MOSFET
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫(huà)，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-27

英飛凌晶圓電源 MOSFET
強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類(lèi)比市場(chǎng)占有率后，在電源晶片市場(chǎng)同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動(dòng)12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計(jì)畫(huà)，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級(jí)至12寸廠，以因應(yīng)市場(chǎng)持續(xù)高漲的節(jié)

模擬
2010-12-27

英飛凌晶圓電源 MOSFET
電源跟蹤技術(shù)

引言---當(dāng)今的大多數(shù)電子產(chǎn)品（從手持式消費(fèi)電子設(shè)備到龐大的電信系統(tǒng)）都需要使用多個(gè)電源電壓。電源電壓數(shù)目的增加帶來(lái)了一項(xiàng)設(shè)計(jì)難題，即需要對(duì)電源的相對(duì)上電和斷電特性進(jìn)行控制，以消除數(shù)字系統(tǒng)遭受損壞或發(fā)生閉

電源
2010-12-23

電流引腳電源 MOSFET
電源跟蹤技術(shù)

引言---當(dāng)今的大多數(shù)電子產(chǎn)品（從手持式消費(fèi)電子設(shè)備到龐大的電信系統(tǒng)）都需要使用多個(gè)電源電壓。電源電壓數(shù)目的增加帶來(lái)了一項(xiàng)設(shè)計(jì)難題，即需要對(duì)電源的相對(duì)上電和斷電特性進(jìn)行控制，以消除數(shù)字系統(tǒng)遭受損壞或發(fā)生閉

功率器件
2010-12-23

電流引腳電源 MOSFET
40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重

汽車(chē)電子
2010-12-21

器件汽車(chē) 導(dǎo)通電阻 MOSFET
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

隨著人們對(duì)汽車(chē)舒適性等方面要求的提高，車(chē)身電子控制和動(dòng)力性的重要性日益突顯，越來(lái)越多的汽車(chē)開(kāi)始裝備高性能的車(chē)身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類(lèi)系統(tǒng)的增加和升級(jí)為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開(kāi)辟了巨大的空間。但

汽車(chē)電子
2010-12-20

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù) BSP MOSFET
40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布擴(kuò)大了旗下包括邏輯電平器件系列在內(nèi)的 40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 組合。新系列 MOSFET 適合傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī) (ICE) 平臺(tái)以及微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重

功率器件
2010-12-19

器件汽車(chē) 導(dǎo)通電阻 MOSFET
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

隨著人們對(duì)汽車(chē)舒適性等方面要求的提高，車(chē)身電子控制和動(dòng)力性的重要性日益突顯，越來(lái)越多的汽車(chē)開(kāi)始裝備高性能的車(chē)身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類(lèi)系統(tǒng)的增加和升級(jí)為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開(kāi)辟了巨大的空間。但

電源
2010-12-17

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù) BSP MOSFET
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

隨著人們對(duì)汽車(chē)舒適性等方面要求的提高，車(chē)身電子控制和動(dòng)力性的重要性日益突顯，越來(lái)越多的汽車(chē)開(kāi)始裝備高性能的車(chē)身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類(lèi)系統(tǒng)的增加和升級(jí)為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開(kāi)辟了巨大的空間。但

數(shù)字電源
2010-12-17

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù) BSP MOSFET
安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

隨著人們對(duì)汽車(chē)舒適性等方面要求的提高，車(chē)身電子控制和動(dòng)力性的重要性日益突顯，越來(lái)越多的汽車(chē)開(kāi)始裝備高性能的車(chē)身控制系統(tǒng)和先進(jìn)的管理系統(tǒng)。這類(lèi)系統(tǒng)的增加和升級(jí)為半導(dǎo)體器件的應(yīng)用開(kāi)辟了巨大的空間。但

功率器件
2010-12-17

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù) BSP MOSFET
30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計(jì)。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元

電源
2010-12-12

芯片組 RF DIRECT MOSFET
30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應(yīng)用 (如筆記本電腦) 而設(shè)計(jì)。IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元

功率器件
2010-12-12

芯片組 RF DIRECT MOSFET
業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）

恩智浦半導(dǎo)體（NXPI）發(fā)布了NextPower系列首款30V Power-SO8 MOSFET，擁有業(yè)界最低RDSon，4.5V時(shí)僅為1.4mΩ。全新的MOSFET器件PSMN1R0-30YLC，專(zhuān)門(mén)針對(duì)4.5V開(kāi)關(guān)應(yīng)用優(yōu)化，采用LFPAK封裝技術(shù)，是目前業(yè)界最牢固的

模擬
2010-12-07

恩智浦 DSO POWER MOSFET
如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET

雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面仔細(xì)的考慮。例如，對(duì)于服務(wù)器電源中的負(fù)載開(kāi)關(guān)這類(lèi)應(yīng)用，由于MOSFET基本上

模擬
2010-12-06

開(kāi)關(guān)電源數(shù)據(jù)手冊(cè) 阻抗 MOSFET
為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧

鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面

電源
2010-12-05

開(kāi)關(guān)電源阻抗 DM MOSFET
為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧

鑒于MOSFET技術(shù)的成熟，為設(shè)計(jì)選擇一款MOSFET表面上看是十分簡(jiǎn)單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專(zhuān)業(yè)知識(shí)對(duì)各個(gè)具體應(yīng)用的不同規(guī)格進(jìn)行全面

功率器件
2010-12-05

開(kāi)關(guān)電源阻抗 DM MOSFET

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MOSFET

估算熱插拔MOSFET溫升的方案

英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

MOSFET雪崩能量的應(yīng)用考慮

強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

強(qiáng)化電源戰(zhàn)力　英飛凌擬改12寸晶圓量產(chǎn)

電源跟蹤技術(shù)

電源跟蹤技術(shù)

40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列（IR）

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

40V 至 100V 汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列（IR）

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

安森美半導(dǎo)體汽車(chē)技術(shù)及車(chē)身和動(dòng)力系統(tǒng)解決方案

30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）

30V DirectFET MOSFET芯片組（IR）

業(yè)界最低RDSon的30V MOSFET（恩智浦）

如何為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET

為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧

為具體應(yīng)用恰當(dāng)?shù)倪x擇MOSFET的技巧

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