MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型，通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

控制驅(qū)動(dòng)VR的方法

　為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時(shí)間控制電路，雖然已有幾種方法來(lái)產(chǎn)生控制信號(hào)，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來(lái)有源控制的柵驅(qū)動(dòng)信號(hào)的定時(shí)系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來(lái)特

工業(yè)控制
2010-10-20

控制 VR 二極管 MOSFET
一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展

模擬
2010-10-13

模型 BSP TIMES MOSFET
一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展

功率器件
2010-10-11

模型 BSP TIMES MOSFET
安森美半導(dǎo)體下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案

日前，應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出一系列新產(chǎn)品，簡(jiǎn)化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel Core處理

消費(fèi)電子
2010-09-19

安森美半導(dǎo)體 AN NCP MOSFET
下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡(jiǎn)化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號(hào)Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶

智能硬件
2010-09-17

安森美安森美半導(dǎo)體 NCP MOSFET
本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品

功率MOSFET市場(chǎng)為歐美IDM半導(dǎo)體廠商所掌控，諸如Vishay、TI、凌力爾特在電源管理應(yīng)用市場(chǎng)，而飛兆、英飛凌等公司的高壓MOSFET廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等市場(chǎng)。甚至，隨著高壓功率器件市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，幾年前IR也開(kāi)始不斷

智能硬件
2010-09-16

高壓 IC 功率MOSFET MOSFET
下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出一系列新產(chǎn)品，簡(jiǎn)化及加速計(jì)算平臺(tái)的設(shè)計(jì)，包括應(yīng)用于即將發(fā)布的第二代Intel® Core™處理器系列(代號(hào)Sandy Bridge)。這些新產(chǎn)品包括高能效電源管理器件，以及應(yīng)用于高帶

功率器件
2010-09-14

安森美安森美半導(dǎo)體 NCP MOSFET
新型-30V P 溝道功率 MOSFET（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開(kāi)關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負(fù)載開(kāi)關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS

功率器件
2010-09-12

器件導(dǎo)通電阻 BSP MOSFET
準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

　　如果不用固定的時(shí)鐘來(lái)初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來(lái)有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰

功率器件
2010-09-05

電壓諧振反激 MOSFET
多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）

特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開(kāi)發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導(dǎo)通電阻(70

電源
2010-08-29

芯片 POWER DC/DC控制器 MOSFET
多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）

特瑞仕半導(dǎo)體 (TOREX SEMICONDUCTOR LTD.) 開(kāi)發(fā)了3A 降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊XCM526系列。XCM526系列產(chǎn)品是降壓DC/DC控制器與P-ch Power MOSFET一體的多芯片模塊。由于采用低導(dǎo)通電阻(70

功率器件
2010-08-29

芯片 POWER DC/DC控制器 MOSFET
汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR

汽車(chē)電子
2010-08-26

汽車(chē) RF DIRECT MOSFET
汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR)宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR

功率器件
2010-08-23

汽車(chē) RF DIRECT MOSFET
如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化

　　我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算電源損耗：下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電

線性電源
2010-08-21

電源輸出電流控制 MOSFET
如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化

　　我們建議使用如下輸出電流函數(shù)來(lái)計(jì)算電源損耗：下一步是利用上述簡(jiǎn)單表達(dá)式，并將其放入效率方程式中：這樣，輸出電流的效率就得到了優(yōu)化(具體論證工作留給學(xué)生去完成)。這種優(yōu)化可產(chǎn)生一個(gè)有趣的結(jié)果。當(dāng)輸出電

功率器件
2010-08-21

電源輸出電流控制 MOSFET
MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

模擬
2010-08-13

驅(qū)動(dòng)器電容電壓 MOSFET
結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話(huà)的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶(hù)需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

模擬
2010-08-12

器件飛兆肖特基二極管 MOSFET
MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

功率器件
2010-08-11

驅(qū)動(dòng)器電容電壓 MOSFET
結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話(huà)的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶(hù)需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

電源
2010-08-09

器件飛兆肖特基二極管 MOSFET
結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話(huà)的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶(hù)需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE

功率器件
2010-08-09

器件飛兆肖特基二極管 MOSFET

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MOSFET

控制驅(qū)動(dòng)VR的方法

一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

一種MOSFET雙峰效應(yīng)的簡(jiǎn)單評(píng)估方法

安森美半導(dǎo)體下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案

下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

本土IC公司推出新款600V MOSFET產(chǎn)品

下一代計(jì)算產(chǎn)品用平臺(tái)方案（安森美）

新型-30V P 溝道功率 MOSFET（IR）

準(zhǔn)諧振反激的原理、應(yīng)用及參數(shù)計(jì)算

多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）

多芯片模塊XCM526系列（特瑞仕）

汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）

汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET（IR）

如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化

如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化

MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）

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