MOSFET
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利用STR F6656設(shè)計34寸彩色電視機(jī)開關(guān)電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用，作為實例，介紹了使用STR?F6656設(shè)計一個34″彩電用的開關(guān)電源，并給出滿意的實驗結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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英飛凌第35億顆高壓MOSFET順利下線
英飛凌位于奧地利菲拉赫工廠生產(chǎn)的第35億顆CoolMOS™ 高壓MOSFET順利下線。這使英飛凌成為全球最成功的500V至900V晶體管供應(yīng)商。通過不斷改進(jìn)芯片架構(gòu)，使得CoolMOS™ 晶體管技術(shù)不斷優(yōu)化，這為取得成功奠
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利用STR F6656設(shè)計34寸彩色電視機(jī)開關(guān)電源
摘要：介紹Sanken公司的混合型開關(guān)電源ICSTR?F6600系列的原理和應(yīng)用，作為實例，介紹了使用STR?F6656設(shè)計一個34″彩電用的開關(guān)電源，并給出滿意的實驗結(jié)果。1引言 混合型電源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
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飛兆半導(dǎo)體在IIC China 2011展示先進(jìn)功率與便攜技術(shù)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)將在2月24日至26日舉行的IIC China 2011展會上，展示其最新的功率技術(shù)和便攜技術(shù)，公司展臺位于深圳會展中心2號展館2J19展臺。 飛兆半導(dǎo)體華南地區(qū)銷售總監(jiān)藍(lán)仕偉表示：
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動
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在升壓變換器中利用新型MOSFET減少開關(guān)損耗
摘要：升壓變換器通常應(yīng)用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關(guān)電源的效率，設(shè)計者必須選擇低開關(guān)損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關(guān)電源設(shè)計中，效率是一個關(guān)鍵性的參
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遼寧工學(xué)院 TOPSwitch的特點及設(shè)計時需注意的問題
摘要：對TOPSwitch的特點作了進(jìn)一步的分析，并講述了設(shè)計中如何求得一個最佳電感值的問題。1引言 對于200W以下的開關(guān)電源，應(yīng)用TOPSwitch與應(yīng)用UC3842相比，所需的元器件要少得多，從而使電路簡化，體積和重量進(jìn)一
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車用平面 MOSFET系列（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出車用平面 MOSFET 系列，適用于內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、混合動力和全電動汽車平臺的多種應(yīng)用。新器件系列采用了 IR 經(jīng)過驗證的平面技術(shù)，包括 55V 和 150V 標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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提高有功模式效率以滿足“能源之星”要求
系統(tǒng)工程師必須重點關(guān)注架構(gòu)級和元件級優(yōu)化的改進(jìn)，以實現(xiàn)最高效的設(shè)計和最低的功耗。特別需要注意的是低磁化電流變壓器設(shè)計，通過降低輕載下銅損耗來提高效率。
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UniFET II MOSFET器件（飛兆）
開關(guān)電源的設(shè)計人員需要能夠耐受反向電流尖刺并降低開關(guān)損耗的高電壓MOSFET器件，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)憑借精深的MOSFET技術(shù)知識，開發(fā)出經(jīng)優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品UniFET™ II MOSFET，新產(chǎn)品
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大陸MOSFET需求強(qiáng)勁 供應(yīng)商出貨不及
2010年大陸因市場需求勁揚(yáng)5成，產(chǎn)能受限，導(dǎo)致部分金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroel
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漢磊連4季漲價
國際整合元件制造廠（IDM）大動作對臺釋出類比IC晶圓代工及磊晶晶圓（EPI Wafer）訂單，隨著訂單在1月起陸續(xù)到位，磊晶晶圓需求強(qiáng)勁爆增，已出現(xiàn)供給吃緊現(xiàn)象。由于IDM廠持續(xù)加碼下單，磊晶晶圓將重演去年大缺貨榮景
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電源設(shè)計小貼士 28：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
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電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分
在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進(jìn)行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
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估算熱插拔MOSFET溫升的方案
本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運(yùn)行中斷。
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英飛凌電源IC擬改12寸廠量產(chǎn)
繼德州儀器(TI)積極導(dǎo)入12寸晶圓廠以擴(kuò)大類比市場占有率后，在電源晶片市場同樣舉足輕重的英飛凌(Infineon)也已悄悄啟動12寸晶圓量產(chǎn)研發(fā)計畫，希望將電源晶片的生產(chǎn)由目前8寸廠升級至12寸廠，以因應(yīng)市場持續(xù)高漲的節(jié)
