MOSFET
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結(jié)合N溝道MOSFET和肖特基二極管的器件FDZ3N513ZT（飛兆）
隨著手機(jī)市場(chǎng)的持續(xù)發(fā)展，以及智能電話的使用率和市場(chǎng)增長(zhǎng)不斷上升，設(shè)計(jì)人員面臨著在總體設(shè)計(jì)中增加功能性，但同時(shí)需要減小外形尺寸和元件數(shù)目的挑戰(zhàn)。為了應(yīng)對(duì)客戶需求和發(fā)展趨勢(shì)，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)出結(jié)合N溝道MOSFE
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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30V車用 MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為
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汽車用功率 MOSFET 專用系列（IR）
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 日前宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。新的 MO
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基于TPS759XX多片信號(hào)處理系統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)
以功率因數(shù)控制芯片MC33262 為核心,設(shè)計(jì)了一種寬電壓輸入范圍、固定升壓輸出的150 W 的AC/ DC 變 換器. 對(duì)該變換器用有源功率因數(shù)校正(APFC) 技術(shù)、MC33262 芯片的原理和結(jié)構(gòu)做了詳盡的分析和討論. 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明所設(shè)計(jì)的以MC33262 為核心的有源功率因數(shù)校正器能在95～250 V 的寬電壓輸入范圍內(nèi)得到非常穩(wěn)定的400 V 直流電壓輸出,并使得功率因數(shù)達(dá)到0. 99 以上,總諧波畸變降低至6 %.
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半導(dǎo)體激光管(LD)的電源設(shè)計(jì)
半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時(shí)，小電壓變化會(huì)導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過(guò)大也會(huì)使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對(duì)它的驅(qū)動(dòng)電源有十分嚴(yán)格的要求
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較
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150V MOSFET器件FDMS86200（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布推出一款具有低RDS(ON) (最大值17mOhm)和優(yōu)化品質(zhì)因數(shù)(Figure of Merit; FOM) (最大值17m Ohm * 33nCº)的150V MOSFET器件FDMS86200，以滿足DC-DC設(shè)計(jì)人員對(duì)具有較
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
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半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
為提高半導(dǎo)體激光器光功率輸出穩(wěn)定性，并保證激光器安全、可靠工作，設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器的驅(qū)動(dòng)電源。驅(qū)動(dòng)電源主電路采用同步DC／DC方式，輸出效率高；驅(qū)動(dòng)電路可以產(chǎn)生200 kHz觸發(fā)脈沖，降低了輸出電流的紋波，保證激光器輸出功率穩(wěn)定；驅(qū)動(dòng)電路帶有過(guò)壓比較器及過(guò)流比較器，保證激光器安全工作。經(jīng)過(guò)仿真和實(shí)驗(yàn)表明：該驅(qū)動(dòng)電源在20 A工作時(shí)效率達(dá)到85％以上，紋波小于5％。
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
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采用高壓背光逆變器改善液晶電視性能
數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背
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月產(chǎn)能全滿載 元隆將虧轉(zhuǎn)盈
中小尺寸晶圓代工廠元隆電子總經(jīng)理陳弘元表示，元隆6吋廠產(chǎn)能已全部滿載，由于今年包括金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）等模擬IC需求強(qiáng)勁，下半年已陸續(xù)與客戶洽談?wù){(diào)漲報(bào)價(jià)事宜。 元隆完成減資及私募后，
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高能效同步穩(wěn)壓器（安森美半導(dǎo)體）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出高能效2安培(A)至4 A集成同步穩(wěn)壓器新系列，應(yīng)用于消費(fèi)電子，如機(jī)頂盒(STB)、數(shù)字視盤(DVD)/硬盤驅(qū)動(dòng)器、液晶顯示器/液晶電視、免提電話、線纜調(diào)制解調(diào)器和電信/數(shù)據(jù)通信設(shè)備。 N
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)
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功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天
功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元，
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意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
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意法半導(dǎo)體（ST）發(fā)布突破性功率封裝，擴(kuò)大 MDmesh™ V MOSFET晶體管的功率密度優(yōu)勢(shì)
意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh™ V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。 在一個(gè)尺寸僅為8x8mm的無(wú)引腳封裝外殼內(nèi)，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的TO-220大小
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