MOSFET
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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新型高速18V MOSFET驅(qū)動(dòng)器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時(shí)間。新型 ADP36xx MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列
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針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過程。
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針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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兩款N溝道MOSFET（Diodes）
Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網(wǎng)絡(luò)電話 (VoIP) 通信設(shè)備的設(shè)計(jì)人員帶來一種更堅(jiān)固的解決方案，極大地降低了電路的復(fù)雜性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經(jīng)過特別設(shè)計(jì)，能滿足各種VoIP應(yīng)用中基于用戶線接口電路（
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新型高速18V MOSFET驅(qū)動(dòng)器（ADI）
Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列，該系列產(chǎn)品可提供2A 和4A 的峰值電流。該系列產(chǎn)品具有14 ns 至35 ns 的傳播延遲和10 ns 至25 ns 的邊沿上升/下降時(shí)間。新型 ADP36xx MOSFET 驅(qū)動(dòng)器系列
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MOSFET柵漏電流噪聲模型研究
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì)，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET，當(dāng)氧化層厚度<2 nm時(shí)，大量載流子以不同機(jī)制通過柵介質(zhì)形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產(chǎn)生
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業(yè)界最小的芯片級(jí)MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業(yè)界最小的芯片級(jí)功率MOSFET。在種類繁多的便攜式設(shè)備中，20V的P溝道S
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全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供
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全新高密度溝槽MOSFET（安森美）
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計(jì)算機(jī)和游戲機(jī)應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供
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MOSFET市場(chǎng)增長快速，本土企業(yè)積極追趕
全球節(jié)能環(huán)保意識(shí)高漲使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的主流趨勢(shì)。相應(yīng)地，電源管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應(yīng)用到整機(jī)電子產(chǎn)品中。在功率器件產(chǎn)品中，MOSFET的市場(chǎng)需求增長最快。據(jù)分析機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示
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功率技術(shù)先行，綠色能源革命鋪就美麗新世界（圖）
據(jù)中國電力企業(yè)聯(lián)合會(huì)的數(shù)據(jù)顯示，2008年中國的用電量增長了5.23%，其中工業(yè)用戶約占中國電能消耗的70%；工業(yè)及信息化部預(yù)測(cè)2009年筆記本電腦將增長20%；另據(jù)國家統(tǒng)計(jì)局的統(tǒng)計(jì)，目前中國共有1.3億戶家庭擁有冰箱，1.
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RDS(ON)低于1mOhm的30V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET
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RDS(ON)低于1mOhm的30V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET
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RDS(ON)低于1mOhm的30V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開關(guān)或ORing FET
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基準(zhǔn)工業(yè)級(jí)30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業(yè)認(rèn)證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動(dòng)工具、ORing應(yīng)用和網(wǎng)絡(luò)通信及和服務(wù)器電源等應(yīng)用提供非常低的柵極電
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新一代超級(jí)結(jié)MOSFET-SupreMOS（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來SupreMOS™新一代600V超級(jí)結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有1
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