MOSFET

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金屬-氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 新型IRS2093驅動IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 針對50W至150W高性能D類音頻應用的需求推出新型IRS2093驅動IC，這些應用包括家庭影院系統(tǒng)和汽車音響放大器。IRS2093基于半橋拓撲結構，在一個IC上集成了4個高壓通

  • 基于混合SET/MOSFET的比較器

    　　1. 引言　　據2001 年的國際半導體技術未來發(fā)展預示，到2016 年MOSFETs 的物理溝道長度將達到低于10nm 的尺寸[1]，而這種尺寸條件會影響到MOSFETs 的基本工作原理，因此必須尋找新的替代器件。單電子晶體管(Sing

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設計的

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  • 超低壓差線性穩(wěn)壓器的拓撲架構及應用趨勢

    　　近年來，低壓差穩(wěn)壓器(LDO)在各類電子設備，尤其是對電能有苛刻需求的消費類電子中，得到了廣泛的應用。但隨著更低壓差應用需求的發(fā)展，由于LDO拓撲架構的限制，越來越難以滿足應用的需求。于是，基于新型拓撲架

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  • 選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

    前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。例如，為了滿足新規(guī)范，2.5W（5V，0.5A）外部電源的最低效率必須達到72.3%，新規(guī)范要求空載功耗應低于300mW，這些都比目前使用的規(guī)范有了大幅提高。不僅是外部電源，很多手持式產品及家電產品，同樣面臨著低功耗的考驗。以手機為例，隨著智能手機的功能越來越多，低功耗設計已經成為一個越來越迫切的問題。

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  • 高壓電容器充電變簡單了

    設計一個高達kV的高壓電容器充電器或電源不是一件小事。采用通用反激式 PWM 控制器的分立式解決方案需要光耦合器，還要具備監(jiān)視、狀態(tài)指示和保護功能，這就要很多電路，增加了設計復雜性。尤為重要的是要避免輸入過流，這種情況在發(fā)生在接通時會被誤認為是短路的容性負載所引發(fā)。還必需確保該類型的轉換器只有輸入電壓在安全工作范圍之內時才接通，從而保持長期可靠性。

  • MicroFET MOSFET（飛兆）

    飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)推出FDMA1024NZ和FDMA410NZ 雙N溝道和單N溝道MOSFET器件，可為手機、電動牙刷和須刨等應用延長電池壽命。這兩款產品采用具有高熱效的2mm x 2mm x 0.8mm MicroFET MLP封裝，

  • 全新OR\'ing 控制器（Diodes）

    Diodes 公司推出有源OR\'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時間要求苛刻的電信、服務器及大型機應用中，實現更低溫度的運行、更少的維護和更可

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  • 由MAX1822和74C906構成的1～6通道負載開關電路

    　　由MAX1822和74C906構成的1～6通道負載開關電路如圖所示。MAX1822是電荷泵開關電源，其輸入電壓可在3.5～16V范圍內選擇，輸出電壓為11V，可以驅動低阻N溝道MOSFET。74C906是六反相器，SWl～SW6 6個開關信號可以同

  • 20V P通道TrenchFET 第三代功率MOSFET（Vishay）

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET® 第三代技術的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內最低的導通電阻。新型 Si7137DP具有 1.9 mΩ（在

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