MOSFET
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電源設(shè)計小貼士12：電源效率最大化
在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設(shè)計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負載電流的電源效率。在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應(yīng)用，包括服務(wù)器、存儲、網(wǎng)絡(luò)通信、游戲機和通用DC-DC轉(zhuǎn)換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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多功能IR3640M PWM控制IC（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3640M PWM控制IC。該產(chǎn)品適用于高性能同步DC-DC降壓應(yīng)用，包括服務(wù)器、存儲、網(wǎng)絡(luò)通信、游戲機和通用DC-DC轉(zhuǎn)換器。IR3640M是一款單相位同步降壓PWM控制器，
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IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
國際整流器公司（International Rectifier，簡稱IR）推出一系列新型邏輯電平閘極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET，它們具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻（RDS（on））及高封裝電流額定值，適用於高功率DC馬達和電動工具、工業(yè)用電池及電源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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OptiMOS 3 75V MOSFET系列（英飛凌）
英飛凌科技推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個產(chǎn)品系列具備業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和品質(zhì)因素（FOM, Qg * RDS(on)）特性，可在任何負載條件下，降低開關(guān)模式電源（SMPS）、電機控制和快
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下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）
英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究
摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug
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利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計
本文討論了如何利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計電源，并給出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容。
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利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計
本文討論了如何利用集成化開關(guān)穩(wěn)壓器設(shè)計電源，并給出了在低輸入電壓應(yīng)用中建議采用的輸出電感和電容。
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。新 MOSFET 系列
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增強型25V及30V MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護增強了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計算應(yīng)用。新 MOSFET 系列
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS8610
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新型100V MOSFET器件（飛兆）
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計的效率。FDMS8610
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新型邏輯電平溝道MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。
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新款全橋式MOSFET預(yù)驅(qū)動器IC(Allegro)
Allegro MicroSystems 公司宣布推出具有故障診斷和報告功能的新款全橋式 MOSFET 預(yù)驅(qū)動器 IC，擴展其現(xiàn)有全橋式控制器系列。Allegro A4940 采用超小型封裝，提供靈活的輸入接口、自舉監(jiān)控電路、 寬泛的工作電壓（5.5
