MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

  • 單一P溝道MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機(jī)、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應(yīng)用的設(shè)計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64

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  • 高性能電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的同步整流技術(shù)

    為滿足這些需求，在上世紀(jì)90年代晚期開關(guān)電源設(shè)計師開始采用同步整流（SR）技術(shù)——使用MOSFET來替代常用二極管實現(xiàn)的整流功能。SR提高了效率、熱性能、功率密度、可制造性和可靠性，并可降低整個系統(tǒng)的電源系統(tǒng)成本。本文將介紹SR的優(yōu)點，并討論在其實現(xiàn)中遇到的挑戰(zhàn)。

  • ULDO穩(wěn)壓器在上網(wǎng)本電源中的應(yīng)用

    　未來的4C產(chǎn)品標(biāo)榜低價、輕薄且具備移動上網(wǎng)功能，因此其電源設(shè)計方案必須擺脫傳統(tǒng)的限制。這些限制包括外部零件和線路煩瑣復(fù)雜，較高的輸出噪音和待機(jī)功耗，以及不夠平易近人的BOM成本等。　為此，亞瑟萊特科技特別

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  • 全球首款1毫歐以下25V MOSFET（恩智浦）

    恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導(dǎo)體公司）宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Pow

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  • 雙MOSFET解決方案（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計人員帶來業(yè)界領(lǐng)先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務(wù)器、電信和其它 DC-DC 設(shè)計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成

    模擬
    2009-07-08
    DM POWER MOSFET 飛兆

  • 新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）

    Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種4

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    電源
    2009-07-05
    DM POWER MOSFET 飛兆

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  • 新型雙MOSFET組合式器件（Diodes）

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  • 新型MOSFET半橋器件（Diodes）

    Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計。Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補(bǔ)N型和P型

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  • 電源設(shè)計小貼士12：電源效率最大化

    在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我們討論了如何利用泰勒級數(shù) (Taylor series) 查找電源中的損耗源。在本篇電源設(shè)計小貼士中，我們將討論如何使用相同的級數(shù)最大化特定負(fù)載電流的電源效率。在《電源設(shè)計小貼士 11》中，我