MOSFET
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MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實際的應(yīng)用中評
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為節(jié)能式電源選擇正確的拓?fù)?/a>
世界各地有關(guān)降低電子系統(tǒng)能耗的各種倡議，正促使單相交流輸入電源設(shè)計人員采用更先進(jìn)的電源技術(shù)。為了獲得更高的功率級，這些倡議要求效率達(dá)到87% 及以上。由于標(biāo)準(zhǔn)反激式 (flyback) 和雙開關(guān)正激式等傳統(tǒng)電源拓?fù)涠?/p>
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恩智浦發(fā)布符合汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝功率SO-8MOSFET系列
恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝（緊湊型熱增強(qiáng)無耗封裝）功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù)，面積比DPAK封裝減小了46%，熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點為：LFPAK封裝利用銅
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英飛凌Q2業(yè)績勁升，攜手飛兆推動MOSFET封裝標(biāo)準(zhǔn)化
英飛凌科技于近日宣布，2009/10財年第二季度公司營收額預(yù)計將環(huán)比增長約10%，與此同時，英飛凌還預(yù)計在剛結(jié)束的這個季度，公司分部利潤率有望達(dá)到10%以上。 在本財年第三季度，英飛凌預(yù)計公司營收將取得持續(xù)增長，
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上海華虹NEC介紹
上海華虹NEC成立于1997年7月，資本額為9億美元，是大陸第1家8吋晶圓廠，目前擁有2條8吋生產(chǎn)線，月產(chǎn)能8.5萬片，客戶遍及大陸、臺灣、南韓、日本以及美國等。 上海華虹NEC的Power MOSFET和分離件組件(Discrete)制程
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業(yè)界最全無損耗封裝（LFPAK）功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品隆重登場
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）近日成為首個發(fā)布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強(qiáng)無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LF
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內(nèi)置28V MOSFET雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545（Maxim）
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過載故障和/或輸出過壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開關(guān)斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)
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新型25V芯片組IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）
國際整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR
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新型25V芯片組IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF （IR）
國際整流器公司（IR）推出IRF6706S2PbF和IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR
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堅固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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堅固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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堅固耐用、具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列（IR）
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機(jī) (ISA) 泵
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動電路原理及利用
下面是我對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動以及運用 電路。 在運用 MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會思慮 M
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
S Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)
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半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動方案選擇：變壓器還是硅芯片？
在節(jié)能環(huán)保意識的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對稱半橋(AH
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3.3x3.3mm MLP封裝的25V MOSFET FDMC7570S(Fairchild)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對工業(yè)、計算和電信系統(tǒng)對更高效率和功率密度的設(shè)計挑戰(zhàn)。FDMC7570S是采用3m
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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
S Components于今日宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)
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適用于ORing和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用的PQFN封裝MOSFET（IR）
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采
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超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工程師對在其設(shè)計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用
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超薄PowerTrenchN溝道WL-CSP MOSFET(Fairchild)
飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機(jī)、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工程師對在其設(shè)計中加入節(jié)省空間的高效器件的需求，推出N溝道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ，這兩款器件使用
