MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

電源
2012-06-02

MOSFET TRENCH HP 封裝
車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

工程師在為汽車電子設(shè)計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設(shè)計任何電源應(yīng)用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在

功率器件
2012-06-02

MOSFET TRENCH HP 封裝
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流

測試測量
2012-05-30

器件多晶硅柵極 MOSFET
華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管

模擬
2012-05-30

IGBT PLANAR MOSFET TRENCH
JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖

一款性能極佳的JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖 JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖

音頻視頻電路
2012-05-29

耳機(jī) 機(jī)電路圖 WIDTH MOSFET
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

0 引言近幾年，隨著電子消費(fèi)產(chǎn)品需求的日益增長，功率MOSFET的需求也越來越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導(dǎo)通電阻較低，同時又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流

功率器件
2012-05-28

器件多晶硅柵極 MOSFET
MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計與應(yīng)用

摘要：率場效應(yīng)晶體管由于具有諸多優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛的應(yīng)用；但它承受短時過載的能力較弱，使其應(yīng)用受到一定的限制。分析了MOSFET器件驅(qū)動與保護(hù)電路的設(shè)計要求；計算了MOSFET驅(qū)動器的功耗及MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配

功率器件
2012-05-27

BSP 驅(qū)動保護(hù)電路 IR2130 MOSFET
華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

華潤微電子有限公司旗下的華潤上華科技有限公司（后簡稱“華潤上華”）宣布已開發(fā)完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型絕緣柵雙極晶體管）以及600V Trench PT IGBT（溝槽穿通型絕緣柵雙極晶體管

電源
2012-05-27

IGBT PLANAR MOSFET TRENCH
五種降低離線反向電源功耗的方法

就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點(diǎn)評以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而

模擬
2012-05-25

觸發(fā) 電源偏置電壓 MOSFET
五種降低離線反向電源功耗的方法

就電源而言，要想滿足當(dāng)今苛刻的效率要求是頗具挑戰(zhàn)性的。光是理解終端設(shè)備、電源點(diǎn)評以及管理機(jī)構(gòu)間眾多不同的計劃和指令就已經(jīng)很困難了。這些指令包括能源指令、加利福尼亞能源委員會以及歐盟待機(jī)效率倡議等。然而

功率器件
2012-05-23

觸發(fā) 電源偏置電壓 MOSFET
IGBT系統(tǒng)的介紹

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功

汽車電子
2012-05-21

集電極柵極電阻 IGBT MOSFET
IGBT系統(tǒng)的介紹

IGBT，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由MOSFET（輸入級）和PNP晶體管（輸出級）復(fù)合而成的一種器件，既有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的特點(diǎn)（控制和響應(yīng)），又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(diǎn)（功

功率器件
2012-05-19

柵極電阻 IGBT GE MOSFET
華虹NEC：深耕特色工藝平臺，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用

作為特色工藝技術(shù)純代工企業(yè)，華虹NEC致力于打造特色工藝平臺，目前已形成嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓CMOS/顯示驅(qū)動、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺。在今年IIC-China展會上，華虹NEC集中展示

消費(fèi)電子
2012-05-15

華虹功率器件 NEC MOSFET
如何控制驅(qū)動VR

為減小導(dǎo)通損耗及反向恢復(fù)損耗，同步整流需要精確的時間控制電路，雖然已有幾種方法來產(chǎn)生控制信號，我們現(xiàn)在采用一種從反饋系統(tǒng)來有源控制的柵驅(qū)動信號的定時系統(tǒng)。其關(guān)鍵優(yōu)點(diǎn)在于該電路將根據(jù)元件狀態(tài)的變化來特別

工業(yè)控制
2012-05-14

二極管控制 VR MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出P溝道PowerTrench® WL-CSP MOSFET

21ic訊便攜設(shè)備的設(shè)計人員面臨著在終端應(yīng)用中節(jié)省空間、提高效率和應(yīng)對散熱問題的挑戰(zhàn)。為了順應(yīng)這一趨勢，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench®薄型

功率器件
2012-05-14

飛兆半導(dǎo)體 POWER MOSFET TRENCH
科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

50A碳化硅功率器件為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破，為更多大功率應(yīng)用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內(nèi)的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子

模擬
2012-05-10

功率器件碳化硅科銳 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高

電源
2012-05-08

飛兆半導(dǎo)體 IP POWER MOSFET
飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低側(cè)高

功率器件
2012-05-08

飛兆半導(dǎo)體 IP POWER MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

21ic訊隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm

電源
2012-05-08

飛兆半導(dǎo)體 IP POWER MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

21ic訊隨著功率需求增加以便為高密度嵌入式DC-DC電源提供更多的功能，電源工程師面臨著在較小的線路板空間提供更高功率密度和更高效率的挑戰(zhàn)。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm

功率器件
2012-05-08

飛兆半導(dǎo)體 IP POWER MOSFET

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MOSFET

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

JFET-MOSFET耳機(jī)電路圖

尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響

MOSFET的驅(qū)動保護(hù)電路的設(shè)計與應(yīng)用

華潤上華成功開發(fā)600V和1700V IGBT工藝平臺

五種降低離線反向電源功耗的方法

五種降低離線反向電源功耗的方法

IGBT系統(tǒng)的介紹

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華虹NEC：深耕特色工藝平臺，輻射熱點(diǎn)應(yīng)用

如何控制驅(qū)動VR

飛兆半導(dǎo)體推出P溝道PowerTrench® WL-CSP MOSFET

科銳實現(xiàn)50A碳化硅功率器件技術(shù)突破！

飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

飛兆半導(dǎo)體3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

飛兆半導(dǎo)體推出3.3x3.3mm2 Power Clip非對稱雙MOSFET

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