MOSFET

關(guān)注498人關(guān)注

我要報(bào)錯(cuò)

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

Yole ：SJ MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯市場(chǎng)前景大好

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) Yole Developpement 推出超接面金氧半場(chǎng)效電晶體(Super Junction Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor，SJ MOSFET)的市場(chǎng)更新報(bào)告，深度剖析高壓(400伏特以上) SJ MOSFET 市場(chǎng)指標(biāo)與預(yù)測(cè)

消費(fèi)電子
2013-02-27

MOSFET DEVELOP 英飛凌 SEMICONDUCTOR
MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場(chǎng)效晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管

功率器件
2013-02-26

電流絕緣柵極 MOSFET
IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC為汽車?yán)^電器更換和電池開關(guān)提供更佳保護(hù)和診斷功能

21ic訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出車用AUIR3200S MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC。新產(chǎn)品具有全面保護(hù)和診斷功能，為繼電器更換和電池開關(guān)應(yīng)用提供更高的可靠性

功率器件
2013-02-26

開關(guān) 電池驅(qū)動(dòng)IC MOSFET
數(shù)字和模擬電源分合有道

只要是電子設(shè)備，就離不開電源。相對(duì)于高速發(fā)展的MCU和射頻等技術(shù)，電源IC盡管發(fā)展很慢，但也從早期的線性電源占主導(dǎo)地位，發(fā)展到模擬開關(guān)電源占統(tǒng)治地位，再到數(shù)字電源的出現(xiàn)改寫了電源市場(chǎng)的格局。數(shù)字和模

單片機(jī)
2013-02-22

MCU 數(shù)字電源模擬電源 MOSFET
MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGB LED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)橐唤M降壓驅(qū)動(dòng)的RGB LED提供高達(dá)10A的電流，通/斷時(shí)間小于1us。

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-02-20

LED 投影儀 RGB MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公布2012年度報(bào)告總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經(jīng)過調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年

半導(dǎo)體
2013-02-01

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

日本半導(dǎo)體制造商 ROHM 已正式將適用于工業(yè)裝置、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器（Power conditioner）等變流器/轉(zhuǎn)換器（inverter/converter）的碳化硅（SiC） MOSFET 模組（額定規(guī)格1200V/ 180A）投入量產(chǎn)。該模組采用了將功

消費(fèi)電子
2013-01-31

半導(dǎo)體羅姆碳化硅 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公布2012年度財(cái)報(bào) 總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經(jīng)過調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年

模擬
2013-01-30

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體2012年總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體日前公布了截至2012年12月30日的四季度及全年財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，飛兆半導(dǎo)體四季度銷售額為3.334億美元，環(huán)比下降7%同比下降2%。季度虧損1360萬美元，經(jīng)過調(diào)整后的凈利潤(rùn)為1230萬美元，毛利率為29.8%。2012年

消費(fèi)電子
2013-01-30

PCI 飛兆半導(dǎo)體電源 MOSFET
常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號(hào)流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號(hào)流的方向;我們不能對(duì)其編程以通過或屏蔽一個(gè)

功率器件
2013-01-14

器件功率器件柵極 MOSFET
東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器

工作溫度范圍為-40°C至125°C，有助于減少逆變電路的死區(qū)時(shí)間，提高效率東芝公司(Toshiba Corporation今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器，可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的

功率器件
2013-01-10

東芝光電耦合器 IGBT MOSFET
選擇最佳MOSFET的方法

MOS管現(xiàn)在在很多注重電源性能的便攜產(chǎn)品中越來越多用來替代二極管用于同步整流，但是如何選型非常講究，相信大部分童鞋都不太有底，特別是面對(duì)眾多供應(yīng)商、各種產(chǎn)品型號(hào)、多種參數(shù)，等等。以英飛凌的低壓MOS管為例，

模擬
2013-01-09

器件同步整流 IP MOSFET
中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進(jìn)展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費(fèi)電子
2012-12-30

元件中科院 CMOS MOSFET
數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件

數(shù)字電源
2012-12-17

驅(qū)動(dòng)器信號(hào) 數(shù)字控制 MOSFET
第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

進(jìn)入21世紀(jì)以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導(dǎo)體硅材料替代品的任務(wù)變得非常緊迫。在多位選手輪番登場(chǎng)后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）——并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。Si

模擬
2012-12-13

功率器件半導(dǎo)體材料 GAN MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員解決這些挑戰(zhàn)。SuperFET II和SuperFET II Easy Drive以兩種產(chǎn)品系列推出，這些MOSFET的輸出電容具有

汽車電子
2012-12-13

飛兆半導(dǎo)體 RF SUPER MOSFET
如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

嵌入式教程
2012-12-08

驅(qū)動(dòng)器電源數(shù)字控制 MOSFET
LED照明普及所需解決的問題

眾所周知，LED以其無與倫比的節(jié)能、環(huán)保、長(zhǎng)壽命、可控性高等技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為近年來全球最具發(fā)展前景的高新技術(shù)之一，正式拉開全面替代傳統(tǒng)照明的序幕，半導(dǎo)體照明技術(shù)革新正在改變百年傳統(tǒng)照明歷史。隨著LED技術(shù)在照

顯示光電
2012-12-07

電解電容 LED照明 LED燈具 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET

21ic訊飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench® MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。FDB9403利用飛兆半導(dǎo)體的屏蔽柵極技術(shù)，改進(jìn)了電阻并降低了電容。該器件的RDS(ON) 比其最直接競(jìng)爭(zhēng)

汽車電子
2012-12-04

飛兆半導(dǎo)體 POWER TRENCH MOSFET
國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國(guó)開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國(guó)家的重

模擬
2012-12-04

晶體管 UPS IGBT MOSFET

首頁上一頁 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 下一頁尾頁

1094956558
kingun
hxx001
躍遷
shilingdao2005
ankerd
尋夢(mèng)者在路上
555ter4yrthtr0
落葉行健ywm
賽元MCU3
6551130
flyleopard
sxhhhjicbb
shyan2812
williamfang
woody96
hanfly
酷洵軟件
LONGXIA
tjwhl

MOSFET

Yole ：SJ MOSFET優(yōu)勢(shì)明顯市場(chǎng)前景大好

MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理

IR推出AUIR3200S MOSFET驅(qū)動(dòng)IC為汽車?yán)^電器更換和電池開關(guān)提供更佳保護(hù)和診斷功能

數(shù)字和模擬電源分合有道

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

飛兆半導(dǎo)體公布2012年度報(bào)告總收入14億美元

羅姆半導(dǎo)體正式量產(chǎn)碳化硅MOSFET模組

飛兆半導(dǎo)體公布2012年度財(cái)報(bào) 總收入14億美元

飛兆半導(dǎo)體2012年總收入14億美元

常用功率器件MOSFET基礎(chǔ)介紹

東芝推出新款I(lǐng)GBT/MOSFET門驅(qū)動(dòng)光電耦合器

選擇最佳MOSFET的方法

中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

數(shù)字電源控制技術(shù)新保障不依賴數(shù)字控制信號(hào)的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

第三代半導(dǎo)體材料雙雄并立，難分高下

飛兆半導(dǎo)體推出600V N溝道SuperFET® II MOSFET系列產(chǎn)品

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

LED照明普及所需解決的問題

飛兆半導(dǎo)體推出40V N溝道PowerTrench® MOSFET

國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

相關(guān)標(biāo)簽

關(guān)注此標(biāo)簽的用戶(498人)

熱門活動(dòng)

課程視頻