MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

模擬
2012-08-12

MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電容電壓
瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

21ic訊瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

功率器件
2012-08-08

瑞薩電子導(dǎo)通電阻 MOSFET 電壓
基于高壓背光逆變器的液晶電視性能改善方法

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

模擬
2012-08-03

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
MOSFET雙峰效應(yīng)的評(píng)估方法簡(jiǎn)介

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個(gè)金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個(gè)與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展

模擬
2012-07-31

模型 TIMES MOS器件 MOSFET
智能功率模塊：走向小型化與高效能

使用BLDC馬達(dá)進(jìn)行節(jié)能處處可見，可以說(shuō)是塵埃落定。其挑戰(zhàn)在于以合理的成本在馬達(dá)里集成一個(gè)復(fù)雜的電子控制電路，從而為用戶提供服務(wù)。優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路對(duì)馬達(dá)具有巨大的提升性能的潛力，功率驅(qū)動(dòng)電路就像微控制

消費(fèi)電子
2012-07-26

馬達(dá) 智能功率模塊輸出功率 MOSFET
智能功率模塊：走向小型化與高效能

使用BLDC馬達(dá)進(jìn)行節(jié)能處處可見，可以說(shuō)是塵埃落定。其挑戰(zhàn)在于以合理的成本在馬達(dá)里集成一個(gè)復(fù)雜的電子控制電路，從而為用戶提供服務(wù)。優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路對(duì)馬達(dá)具有巨大的提升性能的潛力，功率驅(qū)動(dòng)電路就像微控制

消費(fèi)電子
2012-07-26

馬達(dá) 智能功率模塊輸出功率 MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出低功率LED驅(qū)動(dòng)器集成MOSFET

21ic訊隨著LED照明市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，設(shè)計(jì)人員需要能夠適合有限的線路板占位面積、滿足電路保護(hù)和系統(tǒng)可靠性要求并簡(jiǎn)化供應(yīng)鏈物流，同時(shí)符合全球能源法規(guī)要求的解決方案。為了幫助設(shè)計(jì)人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司

顯示光電
2012-07-24

集成飛兆半導(dǎo)體 LED驅(qū)動(dòng)器 MOSFET
實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器

高效率和低待機(jī)功耗是現(xiàn)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)的兩大難題，由于諧振拓?fù)浠騆LC拓?fù)淠軌驖M足高效率的要求，因而日益流行。然而在這種拓樸中，前PFC級(jí)必須在輕負(fù)載期間保持運(yùn)作，造成諧振回路中存在內(nèi)循環(huán)損耗，待機(jī)功耗成為一

數(shù)字電源
2012-07-10

反激式轉(zhuǎn)換器待機(jī)功耗 LLC諧振 MOSFET
實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器

高效率和低待機(jī)功耗是現(xiàn)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)的兩大難題，由于諧振拓?fù)浠騆LC拓?fù)淠軌驖M足高效率的要求，因而日益流行。然而在這種拓樸中，前PFC級(jí)必須在輕負(fù)載期間保持運(yùn)作，造成諧振回路中存在內(nèi)循環(huán)損耗，待機(jī)功耗成為一

功率器件
2012-07-10

反激式轉(zhuǎn)換器待機(jī)功耗 LLC諧振 MOSFET
瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

21ic訊瑞薩電子公司日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管（超級(jí)結(jié)MOSFET）（注1），具有如下的特點(diǎn)：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。這

電源
2012-07-08

瑞薩電子導(dǎo)通電阻 MOSFET 電壓
MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

模擬
2012-07-08

MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電容電壓
簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

模擬
2012-07-08

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型： Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。 Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是耗盡區(qū)電容

功率器件
2012-07-06

MOSFET 驅(qū)動(dòng)器電容電壓
簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

電源
2012-07-06

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

數(shù)字電視在全球范圍的應(yīng)用，讓消費(fèi)者體驗(yàn)到以往CRT電視所沒(méi)有的高分辨率。液晶電視則是發(fā)揮數(shù)字電視優(yōu)勢(shì)的下一代家電設(shè)備。因而消費(fèi)者正不斷需要屏幕更大、更薄、功耗更低、分辨率更高、價(jià)格更低的電視機(jī)。采用高壓背

功率器件
2012-07-06

液晶電視逆變器高壓 MOSFET
準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算

如果不用固定的時(shí)鐘來(lái)初始化導(dǎo)通時(shí)間,而利用檢測(cè)電路來(lái)有效地“感測(cè)”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個(gè)最小值或谷值,并僅在這時(shí)啟動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)間,結(jié)果會(huì)是由于寄生電容被充電到最小電壓,導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)

功率器件
2012-06-30

諧振反激 MOSFET 電壓
用于反激變換器中BIMOSFET的相關(guān)性能

1 引言反激變換器一個(gè)典型的應(yīng)用場(chǎng)合是在逆變器中給IGBT的驅(qū)動(dòng)提供輔助電源。此時(shí)反激變換器的開關(guān)管需要有比較高的擊穿電壓和快的開關(guān)速度。為了降低開關(guān)損耗，開通和關(guān)段的能量也要小。BIMOSFET的一個(gè)主要的優(yōu)點(diǎn)就

功率器件
2012-06-27

二極管反激變換器 BSP MOSFET
雙低電壓理想二極管控制器

LTC 4353控制外部N溝道MOSFET來(lái)實(shí)現(xiàn)一個(gè)理想的二極管功能。它取代了兩個(gè)高功率肖特基二極管和其相關(guān)的散熱器，節(jié)省功耗和電路板面積。理想二極管的功能，允許低損失電源ORing和供應(yīng)滯留應(yīng)用的。LTC4353調(diào)節(jié)橫跨正向

模擬
2012-06-20

控制器二極管低電壓 MOSFET
恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

恩智浦半導(dǎo)體(NXP)近日推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無(wú)引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。即將

模擬
2012-06-19

恩智浦封裝 MX MOSFET
為升壓轉(zhuǎn)換器提供關(guān)斷功能的外接元件

圖1是升壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器電路，它有一個(gè)眾所周知的問(wèn)題：如果將升壓轉(zhuǎn)換器IC1的輸入拉低來(lái)關(guān)斷升壓轉(zhuǎn)換器，外接電感L1和正向偏置肖特基二極管D1就可以讓負(fù)載繼續(xù)引出電流。對(duì)于電池供電的設(shè)備來(lái)說(shuō)，這是一個(gè)沉重的負(fù)載（

功率器件
2012-06-19

元件升壓轉(zhuǎn)換器電阻器 MOSFET

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MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算介紹

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

基于高壓背光逆變器的液晶電視性能改善方法

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智能功率模塊：走向小型化與高效能

智能功率模塊：走向小型化與高效能

飛兆半導(dǎo)體推出低功率LED驅(qū)動(dòng)器集成MOSFET

實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器

實(shí)現(xiàn)高效率和低待機(jī)功耗的雙管反激式轉(zhuǎn)換器

瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

簡(jiǎn)析高壓背光逆變器改善液晶電視性能

準(zhǔn)諧振反激的原理介紹及應(yīng)用參數(shù)計(jì)算

用于反激變換器中BIMOSFET的相關(guān)性能

雙低電壓理想二極管控制器

恩智浦推出全球首款2mmx2mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET

為升壓轉(zhuǎn)換器提供關(guān)斷功能的外接元件

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