MOSFET
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政策扶持重點 功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進黃金發(fā)展期
據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的相關(guān)人士透露，有關(guān)促進集成電路發(fā)展的綱要性文件已草擬完畢，目前正在進行部際協(xié)調(diào)。上證報資訊獲悉，政策扶持的重點將主要集中于集成電路的設(shè)計和制造方面，尤其是本土自主核心產(chǎn)業(yè)龍頭企業(yè)
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答疑解惑 盤點在開關(guān)電源設(shè)計中的經(jīng)典問答題
如何為開關(guān)電源電路選擇合適的元器件和參數(shù)?很多未使用過開關(guān)電源設(shè)計的工程師會對它產(chǎn)生一定的畏懼心理，比如擔(dān)心開關(guān)電源的干擾問題，PCB layout問題，元器件的參數(shù)和類型
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎
【導(dǎo)讀】賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月20 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品
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Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲最佳產(chǎn)品獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之電源器件和模塊類最佳產(chǎn)品獎。EDN China創(chuàng)新獎于2005年引入國內(nèi)，以表彰在中國市場上的IC和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)，尼克森收復(fù)季線
MOSFET廠尼克森(3317)11月營收創(chuàng)下今年次高數(shù)字，市場看好來自瑞薩轉(zhuǎn)單效應(yīng)發(fā)酵，可望挹注出貨量大幅成長，不過尼克森表示，轉(zhuǎn)單效應(yīng)并沒有那么強烈，而公司除了力守PC市場MOSFET市占外，長期規(guī)劃也將著眼于非PC市場
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
非對稱封裝優(yōu)化低邊MOSFET的RDS(on)，在同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中可節(jié)省空間21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK® SO
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Vishay推出通過AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出通過AEC-Q101認(rèn)證的采用非對稱PowerPAK® SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Si
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MOSFET封裝進步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計。簡介：移動功能市場需求移動電話滲透率在已開發(fā)市場達(dá)到了
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MOSFET封裝進步幫助提供超前于芯片組路線圖的移動功能
面臨為需求若渴的移動設(shè)備市場提供新功能壓力的設(shè)計人員正在充分利用全新亞芯片級封裝(sub-CSP)技術(shù)的優(yōu)勢，使用標(biāo)準(zhǔn)IC來構(gòu)建領(lǐng)先于芯片組路線圖的新設(shè)計。簡介：移動功能市
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
率先采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm MICRO FOOT®封裝尺寸，可用于移動計算，在4.5V下導(dǎo)通電阻低至8.0mΩ21ic訊 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款
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淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素
本文詳細(xì)介紹了開關(guān)電源(SMPS)中各個元器件損耗的計算和預(yù)測技術(shù)，并討論了提高開關(guān)調(diào)節(jié)器效率的相關(guān)技術(shù)和特點，以選擇最合適的芯片來達(dá)到高效指標(biāo)。本文介紹了影響開關(guān)電
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器
科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動力車/電動車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96%，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先。欣銳特是一
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率|| 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動汽車功率變換器的新標(biāo)桿
2013 年 11月 18日，中國上海訊 — 科銳公司（Nasdaq: CREE）和深圳欣銳特科技有限公司宣布：欣銳特最新推出的高效混合動力車/電動車（HEV/EV）功率變換器中采用科銳1200V C2M系列碳化硅MOSFET，效率高達(dá)96
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科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車
科銳碳化硅MOSFET助力欣銳特革新混合動力車/電動車功率變換器，實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的96%效率 欣銳特與科銳密切合作，設(shè)立一流電動汽車功率變換器的新標(biāo)桿 2013 年 11月 18日，科銳公司(Nasdaq: CREE)和深圳欣銳特科技有限公
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SiC半導(dǎo)體元件“真命天子” 溝道MOSFET即將實用化
LED半導(dǎo)體照明網(wǎng)訊 高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)“溝道型”SiC MOSFET’（電裝解說員）。在2013年10月舉辦的‘CEATEC JAPAN 2013’上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖
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德州儀器超小型 FemtoFET™ MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻
小信號 MOSFET 晶體管為移動設(shè)備節(jié)省電源，延長電池使用壽命21ic訊 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。
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數(shù)字供電和模擬供電
數(shù)字供電和常見的模擬供電不同，前者采用了數(shù)字PWM，體積更小的整合了數(shù)字MOSFET和DRIVER的芯片，以及體積更小的數(shù)字排感，搭配多個MLCC;而模擬供電不同，采用傳統(tǒng)的PWM芯片
