MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問(wèn)題設(shè)計(jì)方案

在三相正弦波逆變器瞬中瞬態(tài)共同導(dǎo)通往往是被忽略的問(wèn)題，因?yàn)樗矐B(tài)過(guò)程很難捕捉。以半橋變換器為例，其典型驅(qū)動(dòng)電路如下圖a)所示，理想的柵極電壓波形如下圖(b)所示。但是

功率器件
2013-11-07

正弦波逆變器 MOSFET BSP 閾值電壓
恩智浦推出首款采用1.1-mm2無(wú)鉛塑料封裝的3 A晶體管

高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，適用于空間受限應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V）近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分

半導(dǎo)體
2013-11-05

晶體管恩智浦封裝 MOSFET
ST PNP電晶體兼具M(jìn)OSFET能效與板空間使用效率

意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙載子功率電晶體 3STL2540 ，提供雙載子電晶體的成本優(yōu)勢(shì)與矽晶面積使用效率，同時(shí)兼具同等級(jí) MOSFET 的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本電源管理和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC convert

半導(dǎo)體
2013-10-31

電晶體 ST CURRENT MOSFET
SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化

“高品質(zhì)的150mm口徑SiC基板已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。我們將利用這種基板，在2015年投產(chǎn)‘溝道型’SiC MOSFET”（電裝解說(shuō)員）。在2013年10月舉辦的“CEATEC JAPAN 2013”上，電裝展示了SiC的相關(guān)技術(shù)（圖1）。其中包括了兩大“驚

半導(dǎo)體
2013-10-29

元件功率半導(dǎo)體 SIC MOSFET
怎樣做好LED照明設(shè)計(jì)

LED光源具有節(jié)能、環(huán)保、發(fā)光均勻、使用壽命長(zhǎng)、光色RGB的發(fā)光強(qiáng)度能連續(xù)變化，并可按照環(huán)境整體要求進(jìn)行編程控制等傳統(tǒng)光源無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)，在照明設(shè)計(jì)產(chǎn)品應(yīng)用過(guò)程中，越來(lái)越成為燈光設(shè)計(jì)師們的首選光源。而在LED照明設(shè)計(jì)中我們要先了解LED照明的設(shè)計(jì)理念。

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-10-16

電解電容照明設(shè)計(jì) LED照明 MOSFET
淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素

效率是任何開(kāi)關(guān)電源（SMPS）的重要指標(biāo)，特別是便攜式產(chǎn)品，延長(zhǎng)電池使用壽命是一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)計(jì)目標(biāo)。對(duì)于空間受限的設(shè)計(jì)或者是無(wú)法投入成本解決功率耗散問(wèn)題的產(chǎn)品，高效率也是改善系統(tǒng)熱管理的必要因素。

電源
2013-10-16

二極管 DC-DC轉(zhuǎn)換器 TIMES MOSFET
IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系統(tǒng)尺寸和成本

21ic訊國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 宣布推出AUIRF8736M2 DirectFET2 功率MOSFET，適合需要在緊湊的占位面積內(nèi)提供高功率密度的重載汽車應(yīng)用，包括

功率器件
2013-10-16

高功率密度 UI DIRECT MOSFET
ST推出雙極功率晶體管媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝

21ic訊意法半導(dǎo)體的3STL2540提供雙極晶體管的成本優(yōu)勢(shì)和硅面積使用效率，同時(shí)兼具同級(jí)MOSFET的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本的電源管理和DC-DC電源轉(zhuǎn)換器(DC-

功率器件
2013-10-16

封裝功率晶體管 ST MOSFET
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

【導(dǎo)讀】日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5

半導(dǎo)體
2013-10-14

電子 Vishay 電源 MOSFET
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

20V P溝道器件具有低導(dǎo)通電阻和超薄PowerPAK® 1212-8S封裝日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源

電源
2013-10-14

電子 Vishay 電源 MOSFET
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)

消費(fèi)電子
2013-10-11

Vishay 電源 TOP MOSFET
Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第十一屆年度Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝的20V P溝道MOSFET，在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻只

廠商動(dòng)態(tài)
2013-10-10

電子 Vishay 電源 MOSFET
Linear 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V 的輸入電壓工作，在高達(dá) 100V 瞬態(tài)時(shí)

功率器件
2013-10-09

Linear 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC MOSFET
麥瑞半導(dǎo)體推出85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成陰極負(fù)載二極管且有最寬可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓范圍

和用于電池供電應(yīng)用的現(xiàn)有器件相比，該解決方案可把工作時(shí)間延長(zhǎng)40%21ic訊麥瑞半導(dǎo)體公司今天推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負(fù)載二極管和業(yè)

功率器件
2013-10-08

半導(dǎo)體電壓二極管 MOSFET
解析LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及其未來(lái)趨勢(shì)

在LED照明市場(chǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下，也帶動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng)，LED驅(qū)動(dòng)規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，LED驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達(dá)到近35億美元，期間平均復(fù)合年成長(zhǎng)率為12%。該機(jī)構(gòu)并指出，

半導(dǎo)體
2013-10-01

LED驅(qū)動(dòng) LED驅(qū)動(dòng)電源 LED驅(qū)動(dòng)IC MOSFET
LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)現(xiàn)狀及趨勢(shì)

在LED照明市場(chǎng)的強(qiáng)勁驅(qū)動(dòng)下，也帶動(dòng)LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng)，LED驅(qū)動(dòng)規(guī)模逐漸攀升，據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，LED驅(qū)動(dòng)IC市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將由2010年的近20億美元，在2015年達(dá)到近35億美元，

電源-LED驅(qū)動(dòng)
2013-09-26

LED驅(qū)動(dòng) LED驅(qū)動(dòng)電源 LED驅(qū)動(dòng)IC MOSFET
PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器

PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器：“PhotoMOS”是松下電器的一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面世二十年間，在全世界的銷量達(dá)到八億個(gè)，

功率器件
2013-09-25

信號(hào) 光電耦合器 PHOTOMOS MOSFET
恩智浦推出NextPowerS3——可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開(kāi)關(guān)性能的MOSFET

業(yè)界首款集成肖特基且具有低漏電流性能的MOSFET恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高性能30V MOSFET平臺(tái),使用恩智浦特

功率器件
2013-09-24

恩智浦開(kāi)關(guān) POWER MOSFET
美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用

VRF2944在50V供電電壓下提供業(yè)界最高輸出功率21ic訊美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布擴(kuò)展高頻率垂直擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(VDMOS) MOSFET產(chǎn)品系列，兩款更大功率

功率器件
2013-09-16

器件大功率高電壓 MOSFET
新能源開(kāi)發(fā)為功率器件市場(chǎng)帶來(lái)新機(jī)遇

【導(dǎo)讀】從目前國(guó)內(nèi)新能源市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)進(jìn)展來(lái)看，主要熱點(diǎn)集中在可再生能源、新能源汽車等領(lǐng)域。可再生能源又可分為風(fēng)力發(fā)電和太陽(yáng)能光伏發(fā)電兩種，對(duì)于這兩大市場(chǎng)，三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部市場(chǎng)營(yíng)

半導(dǎo)體
2013-09-12

新能源功率器件 MOSFET BSP

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MOSFET

三相正弦波逆變器瞬態(tài)的共同導(dǎo)通問(wèn)題設(shè)計(jì)方案

恩智浦推出首款采用1.1-mm2無(wú)鉛塑料封裝的3 A晶體管

ST PNP電晶體兼具M(jìn)OSFET能效與板空間使用效率

SiC功率半導(dǎo)體元件的“真命天子”，溝道MOSFET即將實(shí)用化

怎樣做好LED照明設(shè)計(jì)

淺析影響DC-DC轉(zhuǎn)換器效率的主要因素

IR推出AUIRF8736M2 車用DirectFET2功率 MOSFET 提供更高功率密度及更小的系統(tǒng)尺寸和成本

ST推出雙極功率晶體管媲美MOSFET的能效且具備緊湊封裝

Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay的Si7655DN MOSFET榮獲今日電子雜志的Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

Linear 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5

麥瑞半導(dǎo)體推出85V半橋MOSFET驅(qū)動(dòng)器集成陰極負(fù)載二極管且有最寬可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)電壓范圍

解析LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及其未來(lái)趨勢(shì)

LED驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)現(xiàn)狀及趨勢(shì)

PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器

恩智浦推出NextPowerS3——可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開(kāi)關(guān)性能的MOSFET

美高森美新型新型較大功率和較高電壓MOSFET器件瞄準(zhǔn)RF和寬帶通信應(yīng)用

新能源開(kāi)發(fā)為功率器件市場(chǎng)帶來(lái)新機(jī)遇

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