MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的150V N溝道MOSFET

器件的RDS(ON)比前一代器件低53%，TSOP-6封裝的占位面積小55%21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款采用小尺寸、熱增強(qiáng)型SC-70® 封裝的150V N

功率器件
2014-05-09

MOSFET Vishay POWER 封裝
用于 Intel® IMVP6.5 平臺(tái)的電源解決方案

電路圖設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)Intel 移動(dòng)電壓定位 6.5 (IMVP-6.5) 規(guī)范為使用此平臺(tái)的 Intel® 處理器提供了電源管理信息。德州儀器 (TI) 提供的集成解決方案完全符合專門用在低功

電源電路
2014-05-08

Intel 電源解決方案 NEX MOSFET
如何正確掌握選擇MOSFET的技巧？

MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑

數(shù)字電源
2014-05-05

晶體管晶片絕緣 MOSFET
華微電子一季報(bào)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)9.07%

中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者王偉麗）華微電子29日晚間公布的一季報(bào)顯示，營(yíng)業(yè)收入279,117,406.06 元，同比增長(zhǎng)9.07%，凈利潤(rùn)12,491,472.78元，同比增長(zhǎng)2.52%。每股收益0.02元，與上年同期持平。2013年度國(guó)內(nèi)新型LED 光源、

半導(dǎo)體
2014-04-30

太陽(yáng)能微電子 IGBT MOSFET
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

采用PowerPAK® SC-70封裝，2mm x 2mm占位面積可顯著節(jié)省空間日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK® SC-70封裝的新款-30V、1

功率器件
2014-04-29

導(dǎo)通電阻便攜電子 MOSFET Vishay
東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器

根據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊報(bào)導(dǎo)，東芝公司(Toshiba Corporation, TOKYO:6502)半導(dǎo)體和儲(chǔ)存產(chǎn)品公司今天宣布，該公司推出小型SO6封裝的光電藕合器。新產(chǎn)品TLP3905和TLP3906即日起投入量產(chǎn)。光電藕合器采用不含MOSFET晶片的光控

半導(dǎo)體
2014-04-29

東芝繼電器光電耦合器 MOSFET
用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備公司及其最終應(yīng)用間的競(jìng)爭(zhēng)愈來(lái)愈激烈，功能急劇增加，但是并未考慮到另外一個(gè)可能帶來(lái)產(chǎn)品失敗的因素。所有這

醫(yī)療電子
2014-04-28

Intel 隔離負(fù)載開關(guān) MOSFET
基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

[導(dǎo)讀] 介紹了一種基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)。該電路設(shè)計(jì)方案具有抗干擾能力強(qiáng)、響應(yīng)速度快和通用性好的優(yōu)點(diǎn)。通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證了該方案的正確性和可行性。關(guān)鍵詞：保護(hù)電路CPL

半導(dǎo)體
2014-04-25

器件保護(hù)電路 CPLD MOSFET
推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、鋰離

半導(dǎo)體
2014-04-24

器件工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 MOSFET
IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出60V器件以擴(kuò)充StrongIRFET MOSFET系列，適合多種工業(yè)應(yīng)用，包括電動(dòng)工具、輕型電動(dòng)車逆變器、直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、

功率器件
2014-04-24

工業(yè)應(yīng)用導(dǎo)通電阻 STRONG MOSFET
工程師該如何選擇電源？

由于電子產(chǎn)品的風(fēng)靡，能夠用多種電源供電的設(shè)備已經(jīng)屢見不鮮了。例如，工業(yè)手持式儀表或便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備大部分時(shí)間用電池供電，但一旦插入交流適配器或USB端口，就從交流

功率器件
2014-04-18

工程師電源 BSP MOSFET
如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

[導(dǎo)讀] 基于最近的趨勢(shì)，提高效率成為關(guān)鍵目標(biāo)，為了獲得更好的EMI而采用慢開關(guān)器件的權(quán)衡并不值得。超級(jí)結(jié)可在平面MOSFET難以勝任的應(yīng)用中提高效率。與傳統(tǒng)平面MOSFET技術(shù)相比，超級(jí)結(jié)MOSFET可顯著降低導(dǎo)通電阻和寄

半導(dǎo)體
2014-04-17

電感 EMI PCB設(shè)計(jì) MOSFET
凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發(fā)表用于9V至72V系統(tǒng)的汽車(H等級(jí))及高可靠性軍事(MP-grade)等級(jí)的理想二極體橋式控制器 LT4320 ，該元件可透過(guò)低損耗 N 通道 MOSFET 電橋取代全波橋式整流器，以降低10

半導(dǎo)體
2014-04-15

控制器凌力爾特汽車應(yīng)用 MOSFET
工程師該如何選擇電源？

[導(dǎo)讀] 在移動(dòng)系統(tǒng)的另一端，大型高可用性服務(wù)器機(jī)架內(nèi)至少有兩個(gè)電源，以在任何一個(gè)電源出故障時(shí)，保持服務(wù)器正常運(yùn)行。關(guān)鍵詞：供電處理器LTC4417LTC4370LTC4352電源

半導(dǎo)體
2014-04-11

工程師電源 LTC MOSFET
凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表高效率二次側(cè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)驅(qū)動(dòng)器LT8311。新元件省去隔離式同步順向轉(zhuǎn)換器所須的一次側(cè)控制，透過(guò)感測(cè)二次側(cè)訊號(hào)來(lái)控制同步整流；Preactive模式不須訊號(hào)變壓器

半導(dǎo)體
2014-04-10

驅(qū)動(dòng)器凌力爾特變壓器 MOSFET
Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

凌力爾特(Linear Technology)發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器 LT8309 ，可透過(guò) MOSFET取代輸出二極體，以達(dá)到10A輸出電流并無(wú)需散熱片。當(dāng)不使用散熱片時(shí)，反馳電源的最大輸出電流是由功耗和輸出二極體產(chǎn)生的熱而限

半導(dǎo)體
2014-04-09

驅(qū)動(dòng)器 Linear 同步整流器 MOSFET
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第六屆年度產(chǎn)品獎(jiǎng)。Si7655DN是業(yè)內(nèi)首款采用3.3mm x 3.3mm封裝

半導(dǎo)體
2014-04-08

電子 MOSFET Vishay 封裝
Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

采用超薄PowerPAK® 1212-8S封裝的-20V P溝道器件在4.5V下RDS(ON)低至4.8 mΩ日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Si7655DN MOSFET榮獲《今日電子》雜志的第

功率器件
2014-04-08

電子 MOSFET Vishay 封裝
Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

21ic訊凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311，該器件在隔離式同步正向轉(zhuǎn)換器中無(wú)需原邊控制就可工作。LT8311 采用獨(dú)特的

功率器件
2014-04-03

驅(qū)動(dòng)器 Linear MIDDOT MOSFET
德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

最新中壓功率 MOSFET 采用 TO-220 封裝包括最低導(dǎo)通電阻 80V 及 100V 器件德州儀器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封裝的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 輸入電

功率器件
2014-03-26

電流電源設(shè)計(jì) MOSFET

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MOSFET

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用熱增強(qiáng)PowerPAK SC-70封裝的150V N溝道MOSFET

用于 Intel® IMVP6.5 平臺(tái)的電源解決方案

如何正確掌握選擇MOSFET的技巧？

華微電子一季報(bào)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)9.07%

Vishay推出應(yīng)用在便攜電子產(chǎn)品中且具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的MOSFET

東芝推出小型SO6封裝的光電耦合器

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

基于CPLD技術(shù)的MOSFET器件保護(hù)電路的設(shè)計(jì)方案

推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

IR推出具有超低導(dǎo)通電阻的60V MOSFET以滿足工業(yè)應(yīng)用需求

工程師該如何選擇電源？

如何優(yōu)化PCB設(shè)計(jì)以最大限度提高超級(jí)結(jié)MOSFET的性能

凌力爾特理想二極體橋式控制器適于軍事與汽車應(yīng)用

工程師該如何選擇電源？

凌力爾特MOSFET驅(qū)動(dòng)器不需訊號(hào)變壓器

Linear發(fā)表反馳式二次側(cè)同步整流器驅(qū)動(dòng)器

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Vishay MOSFET榮獲《今日電子》2013年度產(chǎn)品獎(jiǎng)

Linear 推出高效率副邊 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LT8311

德州儀器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET 面向大電流電機(jī)控制及電源設(shè)計(jì)

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