MOSFET

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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

SiC市場領(lǐng)導(dǎo)者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術(shù)的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術(shù)從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應(yīng)對市場更新的設(shè)計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領(lǐng)

半導(dǎo)體
2015-09-07

MOSFET SIC 導(dǎo)通電阻 BSP
Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

Fairchild 推出了其行業(yè)領(lǐng)先的中壓MOSFET產(chǎn)品，采用了8x8 Dual Cool封裝。這款新型Dual Cool 88 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換工程師替換體積大的D2-PAK封裝提供了卓越的產(chǎn)品，在尺寸縮減了一半的同時，提供了更高功率密度和更佳效率，且通過在封裝上下表面同時流動的氣流提高了散熱性能。

功率器件
2015-08-31

封裝 FAIRCHILD COO MOSFET
安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片包括電源IC和MOSFET等

美國安森美半導(dǎo)體公司于2015年8月6日發(fā)布消息稱，推出了14款車載設(shè)備用半導(dǎo)體芯片，包括三款滿足M-LVDS(Multipoint- Low Voltage Differential Signaling)標(biāo)準(zhǔn)的線性驅(qū)動

汽車電子
2015-08-19

安森美半導(dǎo)體芯片電源IC MOSFET
“2015 ROHM 科技展”青島站回顧

7 月 24 日，“2015 ROHM科技展”巡回展抵達青島站，本次科技展會由ROHM(羅姆)半導(dǎo)體集團主辦、21ic中國電子網(wǎng)承辦，以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題，從應(yīng)用層面出發(fā)，以產(chǎn)品展示及專業(yè)講座的形式，向半導(dǎo)體業(yè)界人士展示功率電子、車載電子、傳感器網(wǎng)絡(luò)、通信技術(shù)等方面的羅姆最新產(chǎn)品和技術(shù)，并進行了眾多的高新技術(shù)主題演講。

半導(dǎo)體
2015-07-29

傳感器 rohm 科技展 MOSFET
世界首家※！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM近日于世界首家※開發(fā)出采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET，并已建立起了完備的量產(chǎn)體制。與已經(jīng)在量產(chǎn)中的平面型SiC-MOSFET相比，同一芯片尺寸的導(dǎo)通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)設(shè)備用電源、工業(yè)用逆變器等所有相關(guān)設(shè)備的功率損耗。另外，此次開發(fā)的SiC-MOSFET計劃將推出功率模塊及分立封裝產(chǎn)品，目前已建立起了完備的功率模塊產(chǎn)品的量產(chǎn)體制。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)，后期工序的生產(chǎn)基地為R

功率器件
2015-07-15

rohm 電源新品 MOSFET
Diodes優(yōu)化互補式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出互補式雙 MOSFET組合DMC1028UFDB，旨在提升直流-直流轉(zhuǎn)換器的功率密度。新產(chǎn)品把N通道MOSFET及P通道MOSFET集成到單一DFN2020封裝。器件設(shè)計針對負(fù)載點轉(zhuǎn)換器，為專用集成電路提供從3.3V下降到1V的核心電壓。目標(biāo)應(yīng)用包括以太網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器、網(wǎng)絡(luò)接口控制器、交換機、數(shù)字用戶線路適配器、以及服務(wù)器和機頂盒等設(shè)備的處理器。

功率器件
2015-06-18

diodes 電源新品 MOSFET
SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。

功率器件
2015-06-12

電源技術(shù)解析驅(qū)動電源 MOSFET
壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容英飛凌推出OptiMOS 300 V

21ic電源網(wǎng)訊英飛凌科技股份公司推出OptiMOS 300 V，壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容，樹立功率場效應(yīng)管市場新標(biāo)準(zhǔn)。300V OptiMOS 的發(fā)布有助于英飛凌進一步鞏固其在通信電源、不

功率器件
2015-06-08

通信電源電源新品 MOSFET
東芝推出用于USB Type-C負(fù)載開關(guān)的MOSFET

東芝已推出了SSM6J507NU，這是一個P溝道MOSFET產(chǎn)品，是適用于USB Type-C接口(符合USB PD*1規(guī)范)的負(fù)載開關(guān)。USB PD是指一項技術(shù)，它允許電源高達100W(20V/5A)，同時要求USB Type-C接口和電池充電器IC之間的負(fù)載開關(guān)

模擬
2015-06-02

東芝 MOSFET
Vishay超薄IGBT/MOSFET驅(qū)動器在小尺寸逆變器中有效節(jié)省空間

21ic電源網(wǎng)訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的SMD封裝的超薄2.5A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOL3120。Vishay Semiconductors 這款器件占位小，高度為2.5mm

功率器件
2015-05-29

驅(qū)動器 Vishay 電源新品 MOSFET
英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗

21ic電源網(wǎng)訊英飛凌科技股份公司推出全新的CoolMOS™ C7系列超結(jié)(SJ)MOSFET家族。該600 V系列相比CoolMOS™ CP可減少50%的開關(guān)損耗，在PFC、TTF和其他硬切換拓

功率器件
2015-05-25

英飛凌電源新品 MOSFET
Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布3顆新的600V EF系列快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET---SiHx21N60EF、SiHx47N60EF和SiHx70N60EF。Vishay Siliconix的這三款器件

功率器件
2015-05-22

Vishay 電源新品 MOSFET
安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣

功率器件
2015-05-22

安森美電源新品 MOSFET
安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

經(jīng)優(yōu)化用于減少開關(guān)、導(dǎo)通及驅(qū)動器功耗以提升能效安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，針對數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)、電信和工業(yè)應(yīng)用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列，進一步擴大其寬廣

功率器件
2015-05-22

安森美電源新品 MOSFET
IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

汽車電子
2015-05-19

電機控制 coolirfet 車身控制 MOSFET
基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計

簡單的間歇振蕩器電路可以用來借助線圈電感的屬性提升電壓(V=L di/dt)。這種電路如圖1所示，它更常見的叫法是焦耳小偷(Joule Thief)電路。上述電路的輸出是電壓脈沖，可以

電源電路
2015-05-07

電源AC/DC 焦耳小偷電路 MOSFET
大功率電源中MOSFET功率計算

也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴(yán)峻挑戰(zhàn)就是為當(dāng)今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，

功率器件
2015-05-06

大功率電源技術(shù)解析功率計算 MOSFET
8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

噪聲通常指任意的隨機干擾。熱噪聲又稱白噪聲或約翰遜噪聲，是由處在一定溫度下的各種物質(zhì)內(nèi)部微粒作無規(guī)律的隨機熱運動而產(chǎn)生的，常用統(tǒng)計數(shù)學(xué)的方法進行研究。熱噪聲普遍存在于電子元件、器件、網(wǎng)絡(luò)和系統(tǒng)中，因此

測試測量
2015-04-06

4g 濾波器模塊電源噪聲測試 MOSFET
Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

器件是業(yè)內(nèi)首顆通過AEC-Q101認(rèn)證的完全無鉛的MOSFET，占位面積8mm x 8mm日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封裝40V

功率器件
2015-04-01

Vishay 電源新品 MOSFET
Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

30V至150V漏源擊穿電壓的19款新MOSFET可將功率密度提高達85%可靠性比額定結(jié)溫為150° C業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)值的MOSFET高三倍21ic電源網(wǎng)訊 Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOS

功率器件
2015-03-19

fairchild 電源新品 MOSFET

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MOSFET

業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導(dǎo)通電阻65 mΩ

Fairchild推出業(yè)內(nèi)首款8x8 Dual Cool封裝的中壓MOSFET

安森美推出14款車載半導(dǎo)體芯片包括電源IC和MOSFET等

“2015 ROHM 科技展”青島站回顧

世界首家※！ROHM開始量產(chǎn)采用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET

Diodes優(yōu)化互補式MOSFET 提升降壓轉(zhuǎn)換器功率密度

SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

壯大中壓MOSFET產(chǎn)品陣容英飛凌推出OptiMOS 300 V

東芝推出用于USB Type-C負(fù)載開關(guān)的MOSFET

Vishay超薄IGBT/MOSFET驅(qū)動器在小尺寸逆變器中有效節(jié)省空間

英飛凌新一代CoolMOS 可減少50%的開關(guān)損耗

Vishay 發(fā)布3顆新的600V 快恢復(fù)二極管N溝道功率MOSFET

安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

安森美推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

IR推出兩款40V車用COOLiRFET™ 功率MOSFET 產(chǎn)品

基于MOSFET的焦耳小偷電路可提升電壓設(shè)計

大功率電源中MOSFET功率計算

8種噪聲測試技術(shù)的實現(xiàn)，包括模塊電源、MOSFET等

Vishay新款40V TrenchFET 功率MOSFET為汽車應(yīng)用提供更小且更節(jié)能的解決方案

Fairchild新的擴展溫度中壓MOSFET額定結(jié)溫為175° C 適合超高功率密度應(yīng)用

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