MOSFET
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教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表
在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可(IDA、SOA曲線)，
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如何運用數(shù)字I/O來保護繼電器
1. 簡述在開關(guān)系統(tǒng)中，短路或者是開路的情況下，由于存在著額外的電流或者是電壓，繼電器往往會過載。所有的繼電器都有一個最大的承載電流和熱切換功率，如果超出了這個范
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Diodes DFN2020封裝P通道MOSFET 降低負(fù)載開關(guān)損耗
21ic電源網(wǎng)訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了設(shè)計小巧的2mm x 2mm DFN2020封裝，分別提供12V和20V的額定值。新產(chǎn)
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汽車車窗控制電路
采用兩個半橋智能功率驅(qū)動芯片BTS 7960B組合成一個全橋驅(qū)動器，驅(qū)動直流電動機轉(zhuǎn)動，使車窗上升或下降。BTS7960B是應(yīng)用于電動機驅(qū)動的大電流半橋集成芯片，它帶有一個P溝
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如何運用數(shù)字I/O來保護繼電器
1. 簡述在開關(guān)系統(tǒng)中，短路或者是開路的情況下，由于存在著額外的電流或者是電壓，繼電器往往會過載。所有的繼電器都有一個最大的承載電流和熱切換功率，如果超出了這個范圍
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2EDN EiceDRIVER MOSFET驅(qū)動器樹立可靠性和低功耗新標(biāo)準(zhǔn)
英飛凌科技股份公司近日推出適用于開關(guān)電源的PFC、LLC和同步整流級的全新2EDN7524 EiceDRIVER™驅(qū)動器芯片。這一芯片家族是英飛凌首次利用其廣博的專業(yè)知識和領(lǐng)先的市場地位提供的專用MOSFET驅(qū)動器。立足于現(xiàn)有 EiceDRIVER家族進行改進的2EDN產(chǎn)品線，是連接控制IC與MOSFET(比如CoolMOS C7)以及GaN(氮化鎵)開關(guān)裝置的重要環(huán)節(jié)。2EDN MOSFET驅(qū)動器芯片可實現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率、卓越的功率密度以及一致的系統(tǒng)可靠性。
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了解穩(wěn)壓器如何工作
一般設(shè)計基礎(chǔ)穩(wěn)壓器會產(chǎn)生具有恒定預(yù)設(shè)幅度的固定輸出電壓，無論其輸入電壓或負(fù)載條件是否變化。 穩(wěn)壓器分為兩類： 線性和開關(guān)式。線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的
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Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供電池反向保護
Diodes公司推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護。電子控制單元在愈來愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)使用，有些汽車更安
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品
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開關(guān)電源設(shè)計：何時選擇BJT優(yōu)于MOSFET？
MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對主力器件。但在一些實例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM" style="margin: 0px; padding: 0px; font-size: 14px; line-heigh
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Diodes車用MOSFET為汽車電子控制單元提供
21ic訊 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出DMP4015SPSQ 40V P通道MOSFET，旨在為車用電子控制單元提供電池反向保護。電子控制單元在愈來愈多車用控制應(yīng)用內(nèi)使用，有些汽
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走進閃存技術(shù)
作為EPROM(可擦除可編程只讀存儲器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲器)兩種存儲器的折衷，閃存是20世紀(jì)80年代問世的。像EEPROM存儲器一樣，閃存支持電擦除數(shù)據(jù);保存新數(shù)據(jù)
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數(shù)低和熱導(dǎo)率高等特性。世
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Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin連接來實現(xiàn)更好的性能
21ic訊，日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封裝的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60E、SiHH21N60E、SiHH14N60E和SiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiH
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實現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動控制器NCP4305
同步整流旨在通過用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進行整流來減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的
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不斷發(fā)展的ROHM最新功率元器件
用于功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體功率元器件，由于對所有設(shè)備的節(jié)能化貢獻巨大，其未來的技術(shù)發(fā)展動向受到業(yè)界廣泛關(guān)注。ROHM針對這種節(jié)能化要求日益高漲的歷史潮流，致力將在使分立半
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
一、引言MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損
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如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3一
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實現(xiàn)更高能效的新一代同步整流驅(qū)動控制器NCP4305
同步整流旨在通過用低導(dǎo)通電阻的MOSFET代替常規(guī)的肖特基二極管進行整流來減小損耗，提升能效。以5 V應(yīng)用為例，使用肖特基二極管整流將產(chǎn)生0.3 V的導(dǎo)通壓降，而同步MOSFET的
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卡車、汽車和重型設(shè)備必須具備堅固的電源轉(zhuǎn)換
卡車、汽車和重型設(shè)備環(huán)境對任何類型的電源轉(zhuǎn)換器件要求都是非?？量痰?。寬工作電壓范圍加之很大的瞬態(tài)和寬溫度變化范圍，所有這些因素使可靠的電子系統(tǒng)設(shè)計變得非常有挑戰(zhàn)性。使設(shè)計時須考慮的因素更加復(fù)雜的是，有些應(yīng)用要求將電源轉(zhuǎn)換器件安裝在引擎罩內(nèi)，因而要求很高的溫度額定值。同時，由于電子組件數(shù)量不斷增加，所以可用空間也在不斷縮小，從而由于空間限制而使高效率轉(zhuǎn)換變得至關(guān)重要了。
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