MOSFET
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功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應(yīng)用
目前國內(nèi)大多數(shù)采用的長延時熱脫扣試驗方案是通過變壓器直接對斷路器施加一個電壓以獲得測試電流。在測試過程中，由于電網(wǎng)電壓的波動、載流電路中引線電阻變化、負載本身電
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利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障
用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“
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MOSFET安全工作區(qū)對實現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進行維修或者調(diào)整容量時，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過軟啟動電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或
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安森美半導(dǎo)體應(yīng)用于汽車自動空調(diào)的電源、電機驅(qū)動及分立元件等方案
在當今的汽車設(shè)計中，空調(diào)已是標準的舒適性配置。從功能上講，當今的汽車空調(diào)實際上是將加熱、制冷及通風等功能一體化，成為汽車加熱、通風空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)(本文將簡稱為&ld
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NexFETTM：新一代功率MOSFET
對于理想開關(guān)的需求 功率 MOSFET 可作為高頻率脈沖寬度調(diào)變 (PWM) 應(yīng)用中的電氣開關(guān)，例如穩(wěn)壓器及/或控制電源應(yīng)用之中負載電流的開關(guān)。作為負載開關(guān)使用時，由于切換時
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電源設(shè)計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常
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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)
引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)和政府體系等眾多領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用。不過，與此同時，數(shù)據(jù)中
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電源設(shè)計小貼士 29：估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升
在本《電源設(shè)計小貼士》中，我們將最終對一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法進行研究。在《電源設(shè)計小貼士28》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱
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MOSFET陷缺貨潮，大中或借漲價提升毛利率
法人預(yù)期，MOSFET市場在缺貨效應(yīng)加持下，大中可望借由產(chǎn)品漲價提升毛利率，第三季獲利相較上季有機會明顯提升。
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電源設(shè)計小貼士28：估算熱插拔MOSFET的瞬態(tài)溫升——第1部分
在本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的
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IR發(fā)布AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET
導(dǎo)讀：全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司（International Rectifier,簡稱IR）日前發(fā)布其近日新增產(chǎn)品--AUIRF8736M2 DirectFET2功率MOSFET.總所周知，IR不僅是全球功率
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討論在PFC中應(yīng)用的新型超級結(jié)MOSFET器件的特點
超級結(jié)（Super-Junction）MOSFET器件基于電荷平衡技術(shù)，在減少導(dǎo)通電阻和寄生電容兩方面提供了出色的性能，這通常需要折中權(quán)衡。有了較小的寄生電容，超級結(jié)MOSFET具有極快
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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會介
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旺季來臨、新興市場爆發(fā)，8英寸晶圓產(chǎn)能滿載到年底
隨著個人電腦及智能手機市場進入旺季，加上先進駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及自駕車、物聯(lián)網(wǎng)及工業(yè)4.0等新藍海市場進入成長爆發(fā)期，帶動面板驅(qū)動IC、微控制器(MCU)、電源管理IC(PMIC)、金氧半場效電晶體(MOSFET)等強勁需求，也讓臺積電、聯(lián)電、世界先進的8英寸晶圓代工產(chǎn)能滿載到年底，且訂單能見度更已看到明年上半年。
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電源設(shè)計小貼士43：分立器件——一款可替代集成MOSFET驅(qū)動器的卓越解決方案
在電源設(shè)計小貼士 #42 中，我們討論了 MOSFET 柵極驅(qū)動電路中使用的發(fā)射器跟蹤器，并且了解到利用小型 SOT-23 晶體管便可以實現(xiàn) 2A 范圍的驅(qū)動電流。在本設(shè)計小貼士中，我們
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用電流檢測和MOSFET提升輸出電流
以前有篇設(shè)計實例描述了一種可編程電流源，使用的是美國國家半導(dǎo)體公司的LM317可調(diào)三端穩(wěn)壓器（參考文獻1）。雖然該電路可以編程設(shè)定輸出電流，但負載電流要流經(jīng)BCD（二-十
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電源設(shè)計小貼士 42：可替代集成MOSFET的分立器件
在電源設(shè)計中，工程師通常會面臨控制 IC 驅(qū)動電流不足的問題，或者面臨由于柵極驅(qū)動損耗導(dǎo)致控制 IC 功耗過大的問題。為緩解這一問題，工程師通常會采用外部驅(qū)動器。半導(dǎo)體
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美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計致力于提供功率、安全、可靠
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊
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漲價缺貨的野火擴散至CMOS傳感器
據(jù)臺灣媒體報道，漲價缺貨的野火如今已擴散到CMOS圖像感測元件上，今年電子關(guān)鍵零組件及半導(dǎo)體材料接二連三調(diào)漲售價，有錢也拿不到貨，前車之鑒，讓代理商及客戶端一聽到缺貨就害怕，而這一波CMOS供貨吃緊，就是在這樣的氛圍下醞釀成形，且有跡可尋，早在今年第2季，中國大陸高端鏡頭馬達就已傳出供貨吃緊情況。
