中美貿(mào)易戰(zhàn)對金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)為主的分離式元件供需影響較小,他認(rèn)為,目前MOSFET需求仍十分旺盛。
本文將探討如何選擇用于熱插拔的MOSFET(金氧半場效晶體管)。 當(dāng)電源與其負(fù)載突然斷開時,電路寄生電感元件上的大電流擺動會產(chǎn)生巨大的尖峰電壓,對電路上的電子元件造成十
8吋半導(dǎo)體矽晶圓大廠合晶指出,8吋訂單依舊滿載,不過6吋的需求有轉(zhuǎn)趨疲弱的跡象,稼動率有松動的情況。據(jù)悉,8吋重?fù)桨雽?dǎo)體矽晶圓明年上半年將延續(xù)漲勢,漲幅可望達(dá)到10%以上,而明年上半年整體的8吋矽晶圓的漲幅約落在高個位數(shù)附近。
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨Texas Instruments (TI)的LMG3410R070 600 V 70 mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級產(chǎn)品。
“MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫,譯成中文是“金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)
一種能對Vishay Siliconix MOSFET的熱性能進(jìn)行模擬,并號稱是第一款利用有限元分析以提高精確度的免費(fèi)在線工具目前正在網(wǎng)上流行。 Vishay提供的ThermaSim讓設(shè)計(jì)者可以
“功率半導(dǎo)體在節(jié)約能源方面起著重要的作用,然而之前令人無奈的是市場卻很小,但是,2017年世界市場規(guī)模超過了2兆日元(約1,200億人民幣),特別是EV、混合動力汽車、燃料電池車等方面發(fā)展迅猛。尤其是SiC(碳化硅)被高度評價(jià)具有優(yōu)越的材料特性?!?
據(jù)報(bào)道,金氧半場效電晶體(MOSFET)市場出現(xiàn)雜音,有晶圓代工廠透露,客戶需求轉(zhuǎn)趨觀望,12月訂單調(diào)整幅度比往年大,接單感受到壓力。
意法半導(dǎo)體推出MDmesh™系列600V超結(jié)晶體管,該產(chǎn)品針對提高中等功率諧振軟開關(guān)和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器拓?fù)淠苄ФO(shè)計(jì)。
1. 引言 散熱器在計(jì)算時會出現(xiàn)誤差,一般說來主要原因是很難精確地預(yù)先知道功率損耗,每只器件的參數(shù)參差不齊,并不是一樣的,而且在芯片上各處的溫度也是不同的。結(jié)果是
汽油機(jī)缸內(nèi)直噴是當(dāng)前轎車汽油噴射中的前沿技術(shù),多點(diǎn)順序汽油噴射將各個點(diǎn)火線圈分別安裝在各缸的進(jìn)氣歧管中,使各缸混合氣分配較均勻,因此能很好地適應(yīng)減少排放、降低油
1.引言 在過去的十幾年中,大功率場效應(yīng)管(MOSFET)引發(fā)了電源工業(yè)的革命,而且大大地促進(jìn)了電子工業(yè)其他領(lǐng)域的發(fā)展。由于MOSFET具有更快的開關(guān)速度,電源開關(guān)頻率可以做
UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件
一、 引言 電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、高可靠、低損耗和低成本。目前所用功率器件主要是功率MOSFET和IG
與傳統(tǒng)的降壓同步方案不一樣,目前已經(jīng)有越來越多的功率半導(dǎo)體廠商推出了單芯片的同步降壓解決方案,集成了上邊和下邊MOSFET,外部只需要一個電感及相應(yīng)的控制線路,極大的
薛添福表示,產(chǎn)能滿足度與市場供給缺口達(dá)3成,且新投資產(chǎn)能還是很有限,新應(yīng)用占去的產(chǎn)能,對于其他產(chǎn)品產(chǎn)生排擠效應(yīng);另外,工業(yè)機(jī)器人、人工智能和數(shù)據(jù)中心也占掉一些產(chǎn)能,至少到明年都呈現(xiàn)不足。不過,薛添福也看好自家未來產(chǎn)能會比今年多。
由于臺積電目前將一些8英寸的產(chǎn)能外包給世界先進(jìn),此次臺積電8英寸新廠的消息一出,外界對世界先進(jìn)的長遠(yuǎn)發(fā)展產(chǎn)生了疑慮。但美系外資從三個方面指出了仍然看好世界先進(jìn)的原因。
什么是功率MOSFET? 我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其
近年來作了多次關(guān)于功率半導(dǎo)體器件發(fā)展趨勢的報(bào)告,許多朋友都希望我講得更詳細(xì)些,或更能符合應(yīng)用工作者的口味,因而撰寫一篇現(xiàn)代功率半導(dǎo)體器件淺說的想法由來已久。只是
當(dāng)前的高壓功率MOSFET都屬于N通道增強(qiáng)型雙擴(kuò)散金屬-氧化物-硅場效應(yīng)晶體管。它的功能和NPN雙極結(jié)型晶體管是一樣的,只不過它是由電壓控制,而后者是由電流控制。由于它的高