驅(qū)動電路如何設(shè)計？不會就看看這2個范例！

在這篇文章中，小編將為大家?guī)韮煽?a href="/tags/MOSFET" target="_blank">MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計。如果你對本文即將要講解的內(nèi)容存在一定興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。

一、驅(qū)動電路

驅(qū)動電路的基本任務(wù)，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標(biāo)的要求，轉(zhuǎn)換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關(guān)斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關(guān)斷控制信號，以保證器件按要求可靠導(dǎo)通或關(guān)斷。

驅(qū)動電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易被干擾，故驅(qū)動電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級電路對控制信號的干擾。

二、電源模塊中常見的兩款MOSFET驅(qū)動電路

1：電源IC直接驅(qū)動MOSFET

圖 1 IC直接驅(qū)動MOSFET

電源IC直接驅(qū)動是我們最常用的驅(qū)動方式，同時也是最簡單的驅(qū)動方式，使用這種驅(qū)動方式，應(yīng)該注意幾個參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一，查看一下電源IC手冊，其最大驅(qū)動峰值電流，因為不同芯片，驅(qū)動能力很多時候是不一樣的。第二，了解一下MOSFET的寄生電容，如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動能力不足，上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩，即使把圖 1中Rg減小，也不能解決問題！ IC驅(qū)動能力、MOS寄生電容大小、MOS管開關(guān)速度等因素，都影響驅(qū)動電阻阻值的選擇，所以Rg并不能無限減小。

2：電源IC驅(qū)動能力不足時

如果選擇MOS管寄生電容比較大，電源IC內(nèi)部的驅(qū)動能力又不足時，需要在驅(qū)動電路上增強(qiáng)驅(qū)動能力，常使用圖騰柱電路增加電源IC驅(qū)動能力，其電路如圖 2虛線框所示。

圖 2 圖騰柱驅(qū)動MOS

這種驅(qū)動電路作用在于，提升電流提供能力，迅速完成對于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時間，但是減少了關(guān)斷時間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

以上就是小編這次想要和大家分享的內(nèi)容，希望大家對本次分享的內(nèi)容已經(jīng)具有一定的了解。如果您想要看不同類別的文章，可以在網(wǎng)頁頂部選擇相應(yīng)的頻道哦。