NANDFLASH

海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。 海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010

東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動(dòng)作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國(guó)業(yè)者共同投資1，500億日?qǐng)A(約16億美元)于NANDFlash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能；爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)

12月上旬合約價(jià)DRAM持平Flash下跌

12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開(kāi)出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故；而NANDFlash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合

三星電子計(jì)劃2010年將DRAM市占率提升至45%

據(jù)KoreaTimes報(bào)導(dǎo)，全球最大存儲(chǔ)器制造商三星電子(SamsungElectronics)計(jì)劃于2010年將全球DRAM市場(chǎng)市占率提升至45%。 三星高層透露，三星看好存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的未來(lái)展望，計(jì)劃于2010年將全球DRAM市占率提升至45%，同

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

NandFLASH和NorFLASH接口設(shè)計(jì)和驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)

存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)前景令人堪憂

去年，一場(chǎng)嚴(yán)重的“價(jià)格寒流”席卷了整個(gè)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財(cái)務(wù)報(bào)告顯示，由于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片的平均銷售價(jià)格迅速下滑，該公司的利潤(rùn)下降了6.6%。DR

NAND Flash品牌廠商2008年?duì)I收排名出爐 三星蟬聯(lián)榜首

2008年第四季全球NANDFlash品牌廠商整體營(yíng)收為22億2千7百萬(wàn)美元，較上一季的27億6千1百萬(wàn)美元下跌19.3%。2008年第四季NANDFlash品牌廠商營(yíng)收均呈現(xiàn)衰退，由于持續(xù)受到全球總體經(jīng)濟(jì)表現(xiàn)疲弱的沖擊，全球消費(fèi)者信心指數(shù)

存儲(chǔ)芯片分銷市場(chǎng)：高風(fēng)險(xiǎn)的博弈

存儲(chǔ)芯片分銷市場(chǎng)：高風(fēng)險(xiǎn)的博弈

存儲(chǔ)芯片分銷市場(chǎng)：高風(fēng)險(xiǎn)的博弈

SSD將成為新的半導(dǎo)體需求市場(chǎng)

隨著NANDFlash(非易失閃存技術(shù))價(jià)格的持續(xù)下滑，作為下一代存儲(chǔ)設(shè)備的SSD(SolidStateDrive，固態(tài)硬盤)有望成為新的半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。在2010年以后，SSD將會(huì)成為世界NANDFlash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主要品種，而各大存儲(chǔ)技術(shù)相關(guān)

基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

文章詳細(xì)說(shuō)明了從Nandflash引導(dǎo)操作系統(tǒng)要完成的主要任務(wù)和實(shí)現(xiàn)方法，并給出了在S3C2410上實(shí)現(xiàn)Nandflash啟動(dòng)的試驗(yàn)結(jié)果。

基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于Nandflash的Bootloader的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)