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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲
市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲
市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨
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半導(dǎo)體景氣 恐反轉(zhuǎn)向下
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）昨（20）日公布2013年8月份北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比（Book-to-BillRatio，B/B值）為0.98，訂單及出貨金額同步走跌，并跌破代表半導(dǎo)體市場景氣擴張的1。設(shè)備業(yè)者指出，全球總體經(jīng)
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半導(dǎo)體景氣 恐反轉(zhuǎn)向下
國際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）昨（20）日公布2013年8月份北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比（Book-to-BillRatio，B/B值）為0.98，訂單及出貨金額同步走跌，并跌破代表半導(dǎo)體市場景氣擴張的1。設(shè)備業(yè)者指出，全球總體經(jīng)
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應(yīng)材：移動裝置主導(dǎo)未來市場
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨（5）日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導(dǎo)未來科技市場，也帶動半導(dǎo)體廠的制程升級及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級，將
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應(yīng)材：移動裝置主導(dǎo)未來市場
全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料全球副總裁暨臺灣區(qū)總經(jīng)理余定陸昨（5）日表示，2013年行動裝置正以強大成長力道主導(dǎo)未來科技市場，也帶動半導(dǎo)體廠的制程升級及產(chǎn)能投資，其中，晶圓代工廠及NANDFlash廠的制程升級，將
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東芝Fab5第二期動工 為量產(chǎn)3D NAND鋪路
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應(yīng)對未來NANDFlash擴產(chǎn)需求；該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3DNAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴大五號半導(dǎo)體制造工廠（Fab5
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東芝Fab5第二期動工 為量產(chǎn)3D NAND鋪路
據(jù)外媒electronicsweekly報道，東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動工，應(yīng)對未來NANDFlash擴產(chǎn)需求；該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3DNAND晶圓廠”。東芝公司表示：“公司將擴大五號半導(dǎo)體制造工廠（Fab5
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觀察全球前10大半導(dǎo)體廠商資本支出情況變化
根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計結(jié)果，去除2家IC設(shè)計業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronic
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2013年10大半導(dǎo)體廠商如何投資布局
根據(jù)DIGITIMES最新統(tǒng)計結(jié)果，去除2家IC設(shè)計業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronic
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2013年三星與SK海力士半導(dǎo)體資本支出轉(zhuǎn)趨保守
扣除2家IC設(shè)計業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
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2013年三星與SK海力士半導(dǎo)體資本支出轉(zhuǎn)趨保守
扣除2家IC設(shè)計業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
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2013年三星與SK海力士半導(dǎo)體資本支出轉(zhuǎn)趨保守
扣除2家IC設(shè)計業(yè)者，2012年全球前10大半導(dǎo)體廠商依序為英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、臺積電、德州儀器(TexasInstruments)、東芝(Toshiba)、瑞薩電子(RenesasElectronics)、SK海力士(SKHynix)及意法
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美光第二財季凈虧損2.86億美元同比擴大
美國芯片廠商美光科技今天發(fā)布2013財年第二財季業(yè)績。報告顯示，美光科技第二財季營收為20.8億美元，比去年同期的18.3億美元增長3.4%;凈虧損為2.86億美元，比去年同期的凈虧損2.82億美元有所擴大，主要由于計入了
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美光第二財季凈虧損2.86億美元同比擴大
美國芯片廠商美光科技今天發(fā)布2013財年第二財季業(yè)績。報告顯示，美光科技第二財季營收為20.8億美元，比去年同期的18.3億美元增長3.4%；凈虧損為2.86億美元，比去年同期的凈虧損2.82億美元有所擴大，主要由于計入了與
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中國NAND Flash市場發(fā)展現(xiàn)狀
隨著人們對消費電子如數(shù)碼相機、便攜式音樂播放器、智能手機、平板電腦、固態(tài)硬盤等需求的日益增長，大容量、高速度、小體積、便攜性以及較低價格等因素使NANDFlash一舉成為目前乃至未來一段時間中高容量閃存甚至存儲
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SIA：2012年全球半導(dǎo)體銷售創(chuàng)歷年第三高
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)4日公布，2012年12月全球半導(dǎo)體3個月移動平均銷售額月增3%至255億美元；第四季產(chǎn)值年增3.8%至742億美元；全年銷售總額達2,916億美元，不僅為歷年來第三高，且稍優(yōu)于先前預(yù)估的2,900億美元。不過若
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12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NANDFlash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NANDFlash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)
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美半導(dǎo)體設(shè)備股下挫！Caris：三星支出傳砍半拖累
barron`.com19日報導(dǎo)，Caris&Co.證券分析師BenPang發(fā)表研究報告指出，市場傳出三星電子(SamsungElectronicsCo.)可能會將明(2013)年資本支出預(yù)算砍半，若報導(dǎo)屬實，那么三星明年的資本支出可能約達65億美元，這可能會
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7月下旬DRAM價格續(xù)跌NAND價格持平小漲
根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM合約價格在7月上旬呈現(xiàn)本年度首次下跌的走勢后，下旬合約價依然持續(xù)疲弱，4GB均價落在19.75美元，最低成交價甚至出現(xiàn)19.5美元水位，4GB均價較上旬下跌約2.5%。至于
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