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南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線

才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(SamsungElectronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NANDFlash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)

半導(dǎo)體
2010-05-30

三星 FAB NANDFLASH PC
擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

為了擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，三星電子(SamsungElectronics)變更半導(dǎo)體制作產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)方式，將原本一座工廠內(nèi)設(shè)置兩條產(chǎn)線的方式，變更為整座工廠只有一條產(chǎn)線的營(yíng)運(yùn)體系。據(jù)南韓MTNews報(bào)導(dǎo)，三星23日動(dòng)工的京畿道華城半導(dǎo)體新

半導(dǎo)體
2010-05-30

半導(dǎo)體 DRAM 三星 NANDFLASH
擴(kuò)大市占海力士2012年前擬投資近80億美元

韓國(guó)媒體KoreaTimes獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策

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2010-05-19

DRAM 海力士 FOR NANDFLASH
三星第一季度NANDFlash市占逼近40%大關(guān)

2010年第1季全球NANDFlash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(SamsungElectronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì)，三星的市占率高達(dá)39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%，但平均單價(jià)(ASP)小

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2010-05-11

東芝海力士三星 NANDFLASH
海力士1Q獲利季增25%

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)公布2010會(huì)計(jì)年度第1季(2010年1~3月)財(cái)報(bào)，與2009年同期凈損1.18兆韓元(約10.62億美元)相比，海力士本季達(dá)成獲利8,220億韓元，比前季成長(zhǎng)25%。營(yíng)收則達(dá)2.82兆韓元，比2009年同期成長(zhǎng)115%

半導(dǎo)體
2010-04-28

DRAM 存儲(chǔ)器海力士 NANDFLASH
抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IMFlash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營(yíng)運(yùn)。2005年英特爾和美光因看好NANDFlash市場(chǎng)，遂于2006年初合資成立IMFlash，由英

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2010-04-22

美光 Flash 新加坡 NANDFLASH
金援DRAM廠再添一例創(chuàng)見(jiàn)借貸15億予力晶

2010年DRAM貨源持續(xù)短缺，由于Windows7換機(jī)潮驅(qū)動(dòng)下，PC大廠DRAM采購(gòu)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，排擠到存儲(chǔ)器模塊廠的貨源，為進(jìn)一步確保與DRAM廠間的合作關(guān)系，且彼此拉進(jìn)距離，日前創(chuàng)見(jiàn)董事會(huì)同意貸款給力晶新臺(tái)幣15億元，同時(shí)

顯示光電
2010-04-18

DRAM 存儲(chǔ)器數(shù)碼相框 NANDFLASH
4月上旬NAND Flash合約價(jià)小漲

4月上旬NANDFlash合約價(jià)開(kāi)始小漲，16Gb容量報(bào)價(jià)上漲2~7%，其次是32Gb容量芯片報(bào)價(jià)上漲3~4%。近期NANDFlash市場(chǎng)再度受到蘋(píng)果(Apple)iPad正式開(kāi)賣(mài)，外界再度燃起了興趣，但消費(fèi)者反應(yīng)iPad不能無(wú)線上網(wǎng)、散熱不佳的問(wèn)題

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2010-04-12

蘋(píng)果 Flash NAND NANDFLASH
基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

嵌入式軟件
2010-04-07

Linux BSP SE NANDFLASH
基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2010-04-07

Linux BSP SE NANDFLASH
三星跳電存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

三星電子(SamsungElectronics)韓國(guó)器興廠24日下午停電約1小時(shí)，雖然三星官方指出影響不大，但業(yè)界對(duì)于已極度缺貨的DRAM市場(chǎng)相當(dāng)緊張，甚至傳出高容量32GbNANDFlash芯片亦受影響，尤其目前包括MobileRAM、SDRAM和NORF

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2010-03-26

存儲(chǔ)器三星 FAB NANDFLASH
三星跳電 NAND、DRAM停止報(bào)價(jià)

DRAM龍頭大廠三星半導(dǎo)體24日下午生產(chǎn)線意外跳電，旗下位于企興（Kiheung）的12吋廠與8吋廠，分別負(fù)責(zé)生產(chǎn)NANDFlash、利基型DRAM產(chǎn)線跳電長(zhǎng)達(dá)30分鐘至40分鐘，由于情形不明，廠商相繼縮手，同步停止DRAM、NANDFlash報(bào)

消費(fèi)電子
2010-03-26

DRAM NAND 三星 NANDFLASH
NANDFlash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng)SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合

NANDFlash控制芯片市場(chǎng)曾吸引眾多IC設(shè)計(jì)業(yè)者爭(zhēng)相投入，隨著快閃記憶卡市場(chǎng)飽和，以及固態(tài)硬碟(SSD)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手環(huán)伺，過(guò)去擁有NANDFlash大廠作靠山便是票房保證的時(shí)代已不再，未來(lái)NANDFlash大廠對(duì)于控制芯片業(yè)者而言，恐

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2010-03-24

存儲(chǔ)器控制芯片 SSD NANDFLASH
DRAM跌價(jià)襲擊模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NANDFlash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈

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2010-01-29

DRAM 存儲(chǔ)器 DDR3 NANDFLASH
NANDFlash合約價(jià)止跌高容量芯片有漲聲

NANDFlash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋(píng)果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NANDFlash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple-LevelCell)成為市場(chǎng)的價(jià)格

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2010-01-27

芯片 GB TLC NANDFLASH
海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。 2009年第4季海力士營(yíng)收為2。8兆韓元(約24。7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成

半導(dǎo)體
2010-01-23

DRAM 計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH
海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NANDFlash的產(chǎn)能。根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSup

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2010-01-20

DRAM 計(jì)算機(jī) 海力士 NANDFLASH
金士頓砸1億美元綁樁海力士產(chǎn)能

2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢(qián)，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢(qián)，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，

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2010-01-15

存儲(chǔ)器海力士金士頓 NANDFLASH
威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

存儲(chǔ)器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績(jī)單，董事長(zhǎng)陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對(duì)于模塊產(chǎn)業(yè)絕對(duì)是好事，往年會(huì)是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會(huì)見(jiàn)

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2010-01-07

DRAM 存儲(chǔ)器 ELECTRONICS NANDFLASH
韓國(guó)FTC：NANDFlash大廠無(wú)操控價(jià)格

據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)公平貿(mào)易委員會(huì)(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NANDFlash存儲(chǔ)器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國(guó)FTC表示，至目前為止所有和存儲(chǔ)器市場(chǎng)相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRA

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2010-01-04

DRAM SRAM TC NANDFLASH

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南北韓戰(zhàn)事升溫三星命懸一線

擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模三星變更半導(dǎo)體產(chǎn)線設(shè)置

擴(kuò)大市占海力士2012年前擬投資近80億美元

三星第一季度NANDFlash市占逼近40%大關(guān)

海力士1Q獲利季增25%

抓緊景氣回升IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作

金援DRAM廠再添一例創(chuàng)見(jiàn)借貸15億予力晶

4月上旬NAND Flash合約價(jià)小漲

基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

基于SEP4O20的Linux NandFlash驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)

三星跳電存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)鏈繃緊神經(jīng)

三星跳電 NAND、DRAM停止報(bào)價(jià)

NANDFlash控制芯片業(yè)淘汰賽登場(chǎng)SSD時(shí)代加速產(chǎn)業(yè)整合

DRAM跌價(jià)襲擊模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

NANDFlash合約價(jià)止跌高容量芯片有漲聲

海力士4Q獲利6，570億韓元?jiǎng)?chuàng)3年新高

海力士金鐘甲：將擴(kuò)增NANDFlash產(chǎn)能

金士頓砸1億美元綁樁海力士產(chǎn)能

威剛陳立白：今年DRAM市場(chǎng)多處于缺貨狀態(tài)

韓國(guó)FTC：NANDFlash大廠無(wú)操控價(jià)格

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