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需求疲軟價(jià)格持續(xù)下跌：NAND閃存大廠美光減產(chǎn)10%

12月25日消息，據(jù)媒體報(bào)道，面對(duì)市場(chǎng)需求疲軟和價(jià)格持續(xù)下跌的壓力，NAND閃存大廠美光將減少10%的NAND晶圓產(chǎn)量，以調(diào)控供給量，期望借此提振市場(chǎng)需求。

通信先鋒
2024-12-26

美光 NAND
e絡(luò)盟攜手Flexxon，拓展先進(jìn)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案的全球分銷網(wǎng)絡(luò)

e絡(luò)盟將 Flexxon 的高級(jí) NAND 閃存存儲(chǔ)與硬件安全解決方案擴(kuò)展至美洲、歐非中東及亞太地區(qū)

e絡(luò)盟
2024-11-08

存儲(chǔ) 閃存 NAND
盤點(diǎn)NAND Flash與NOR Flash的區(qū)別

與DRAM內(nèi)存不同，NAND在斷電后也能夠儲(chǔ)存數(shù)據(jù)。閃存斷電時(shí)，浮柵晶體管 (FGT) 的金屬氧化物半導(dǎo)體會(huì)向存儲(chǔ)單元供電，保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。NAND單元陣列存儲(chǔ)1到4位數(shù)據(jù)。

技術(shù)前線
2024-10-12

NAND閃存 NAND
三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

256GB AM9C1使用先進(jìn)的V-NAND技術(shù)，5nm制程控制器，提供SLC模式選項(xiàng)，速度目前為三星最快更高的性能和可靠性，使此款SSD支持端側(cè)AI功能，更適配下一代車載解決方案深圳2024年9月24日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布成功開發(fā)其首款基于第八代V-NA...

美通社全球TMT
2024-09-24

三星電子 SSD SLC NAND
三星首批面向AI時(shí)代的QLC第九代V-NAND啟動(dòng)量產(chǎn)

三星最新的QLC V-NAND綜合采用了多項(xiàng)突破性技術(shù)，其中通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實(shí)現(xiàn)最高單元層數(shù) 推出的三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，為各種AI應(yīng)用提供優(yōu)質(zhì)內(nèi)存解決方案深圳2024年9月12日 /美通社/ -- 三星電子今日宣布，三星首款1太比...

美通社全球TMT
2024-09-12

三星 AI 存儲(chǔ)單元 NAND
江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代

深圳2024年9月4日 /美通社/ -- 隨著消費(fèi)者對(duì)電子產(chǎn)品耐用性和性能的期望日益增長(zhǎng)，市場(chǎng)上對(duì)元器件的選擇標(biāo)準(zhǔn)也在不斷提高。在眾多關(guān)鍵組件中，NAND Flash因其在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理速度上的核心作用，成為了廠商們尤為重視的焦點(diǎn)。在這一背景下，NAND Flash不僅需要滿足基...

美通社全球TMT
2024-09-04

Flash FOR SLC NAND
EMMC與NAND技術(shù)對(duì)比分析

在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，SD卡作為一種常見(jiàn)的存儲(chǔ)媒體，其內(nèi)部采用的存儲(chǔ)技術(shù)直接影響著性能和可靠性?？蛻絷P(guān)心SD卡內(nèi)部是否采用EMMC(嵌入式多媒體卡)還是NAND(非易失性存儲(chǔ)器)技術(shù)。拓優(yōu)星辰將對(duì)這兩種存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)解析，幫助客戶更好地理解SD卡的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

技術(shù)前線
2024-08-27

EMMC NAND
為AI數(shù)據(jù)中心而生｜美光發(fā)布首款支持PCIe5.0的9550 SSD及首款G9 NAND（2650NVMe SSD）

隨著AI應(yīng)用的興起，對(duì)于數(shù)據(jù)中心提出了更高的要求。而作為數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和流轉(zhuǎn)部件，SSD也面臨著一系列新的挑戰(zhàn)。

劉巖軒
2024-08-02

SSD TLC G9 9550 NAND
美光宣布量產(chǎn)第九代 NAND 閃存技術(shù)產(chǎn)品

業(yè)界領(lǐng)先的美光 2650 NVMe SSD(基于第九代 NAND 技術(shù))已批量出貨

美光
2024-07-31

閃存 NAND
美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品

美光 2500 SSD 采用業(yè)界領(lǐng)先的 QLC NAND，性能遠(yuǎn)超競(jìng)品

美光
2024-04-26

數(shù)據(jù)中心 SSD NAND
43億追加投資啟動(dòng)！美光西安新封測(cè)廠奠基，踐行對(duì)中國(guó)長(zhǎng)期投資的承諾

2024年3月27日上午，美光西安新封測(cè)廠奠基儀式成功召開。

劉巖軒
2024-03-28

DRAM 封測(cè) 西安美光 NAND
羅徹斯特電子攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案

DRAM和NAND產(chǎn)品的可持續(xù)供貨渠道

羅徹斯特電子
2024-03-27

DRAM 嵌入式應(yīng)用 NAND
存儲(chǔ)回暖，三星調(diào)升西安工廠NAND閃存開工率！

業(yè)內(nèi)消息，韓媒稱三星電子已將西安工廠的NAND閃存開工率至 70%。西安工廠是三星電子唯一處于韓國(guó)境外的存儲(chǔ)半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為 20 萬(wàn)片 300mm 晶圓，占三星整體 NAND 產(chǎn)量的 40%。

信息速遞
2024-03-13

三星存儲(chǔ) 閃存 NAND
使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

SEMulator3D 工藝建模在開發(fā)早期識(shí)別工藝和設(shè)計(jì)問(wèn)題，減少了開發(fā)延遲、晶圓制造成本和上市時(shí)間

泛林集團(tuán)
2024-02-02

半導(dǎo)體存儲(chǔ) NAND
業(yè)內(nèi)分析：NAND芯片價(jià)格短期或?qū)⒃俅未鬂q！

業(yè)內(nèi)消息，NAND芯片價(jià)格止跌回升后，目前報(bào)價(jià)仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應(yīng)商達(dá)到損益兩平點(diǎn)有一段差距。不少NAND相關(guān)業(yè)者表示，NAND芯片供應(yīng)商為達(dá)賺錢目的將持續(xù)強(qiáng)力拉抬報(bào)價(jià)，預(yù)料還要再漲四成以上，才能讓大廠跨過(guò)損平基準(zhǔn)，要能賺錢，未來(lái)報(bào)價(jià)漲幅至少會(huì)達(dá)五成甚至更高。

信息速遞
2024-01-09

芯片 NAND
綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價(jià)比VX系列固態(tài)硬盤，以擴(kuò)展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

EnduroSLC? eMMC NANDrive EX系列最高可達(dá)40萬(wàn)擦寫次數(shù); 高性價(jià)比eMMC NANDrive VX系列可在寬溫 (-25oC 至 +85oC) 環(huán)境下工作

綠芯
2023-12-20

固態(tài)硬盤 NAND
美光發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的客戶端 SSD，助力PC產(chǎn)業(yè)滿足游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和科學(xué)計(jì)算的應(yīng)用需求

美光 3500 是全球首款采用200+ 層 NAND 技術(shù)的高性能客戶端 SSD

美光
2023-12-11

SSD 美光 3500 NAND
助力數(shù)字化可持續(xù)未來(lái)！美光科技首次亮相上海進(jìn)博會(huì)，展示創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案

海量數(shù)據(jù)的增長(zhǎng)，來(lái)自各種創(chuàng)新應(yīng)用的興起，都為世界帶來(lái)新的變化。從智能汽車、大語(yǔ)言模型、到AR/VR，數(shù)據(jù)從傳感器中被收集，然后經(jīng)過(guò)端側(cè)計(jì)算單元的處理，最終通過(guò)無(wú)線傳輸?shù)皆贫?，在世界各地的大型超算集群中進(jìn)行深度價(jià)值挖掘。在整個(gè)數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過(guò)程中，離不開各種內(nèi)存和存儲(chǔ)系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長(zhǎng)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求也指數(shù)上升?！按媪Α北仨氁c“算力”同步升級(jí)，才能真正實(shí)現(xiàn)人類社會(huì)數(shù)字化可持續(xù)的未來(lái)。

劉巖軒
2023-11-08

DRAM 存儲(chǔ) 內(nèi)存美光科技 LPDDR5 Micron NAND
美國(guó)豁免后三星升級(jí)西安半導(dǎo)體工廠設(shè)備工藝

業(yè)內(nèi)消息，近日三星電子和 SK 海力士等韓國(guó)公司獲得美國(guó)政府無(wú)限期豁免，其中國(guó)工廠無(wú)需特別許可即可進(jìn)口美國(guó)芯片設(shè)備。知情人士透露三星電子高層已決定將其西安 NAND 閃存工廠升級(jí)到 236 層 NAND 工藝，并開始大規(guī)模擴(kuò)張。

信息速遞
2023-10-19

半導(dǎo)體設(shè)備三星工藝 NAND
三季度三星利潤(rùn)降幅收窄，從低迷期復(fù)蘇?

業(yè)內(nèi)消息，全球最大的存儲(chǔ)芯片和智能手機(jī)制造商三星電子本周表示，今年第三季度初步利潤(rùn)下降了78%，降幅低于之前的預(yù)期，或?qū)⒈砻鬟^(guò)去遭受重創(chuàng)的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)顯示出從嚴(yán)重低迷中復(fù)蘇的早期跡象。

信息速遞
2023-10-12

DRAM 三星芯片 NAND

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需求疲軟價(jià)格持續(xù)下跌：NAND閃存大廠美光減產(chǎn)10%

e絡(luò)盟攜手Flexxon，拓展先進(jìn)工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)解決方案的全球分銷網(wǎng)絡(luò)

盤點(diǎn)NAND Flash與NOR Flash的區(qū)別

三星電子開發(fā)出其首款基于第八代V-NAND的車載SSD

三星首批面向AI時(shí)代的QLC第九代V-NAND啟動(dòng)量產(chǎn)

江波龍F(tuán)ORESEE 2xnm SLC NAND Flash以先進(jìn)制程工藝迎接WiFi7時(shí)代

EMMC與NAND技術(shù)對(duì)比分析

為AI數(shù)據(jù)中心而生｜美光發(fā)布首款支持PCIe5.0的9550 SSD及首款G9 NAND（2650NVMe SSD）

美光宣布量產(chǎn)第九代 NAND 閃存技術(shù)產(chǎn)品

美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品

43億追加投資啟動(dòng)！美光西安新封測(cè)廠奠基，踐行對(duì)中國(guó)長(zhǎng)期投資的承諾

羅徹斯特電子攜手Intelligent Memory提供傳統(tǒng)存儲(chǔ)解決方案

存儲(chǔ)回暖，三星調(diào)升西安工廠NAND閃存開工率！

使用SEMulator3D進(jìn)行虛擬工藝故障排除和研究

業(yè)內(nèi)分析：NAND芯片價(jià)格短期或?qū)⒃俅未鬂q！

綠芯推出更高耐久性EX系列和高性價(jià)比VX系列固態(tài)硬盤，以擴(kuò)展其eMMC NANDrive? 產(chǎn)品組合

美光發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的客戶端 SSD，助力PC產(chǎn)業(yè)滿足游戲、內(nèi)容創(chuàng)作和科學(xué)計(jì)算的應(yīng)用需求

助力數(shù)字化可持續(xù)未來(lái)！美光科技首次亮相上海進(jìn)博會(huì)，展示創(chuàng)新內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案

美國(guó)豁免后三星升級(jí)西安半導(dǎo)體工廠設(shè)備工藝

三季度三星利潤(rùn)降幅收窄，從低迷期復(fù)蘇?

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