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第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G
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美高森美發(fā)布創(chuàng)新SiC MOSFET系列
新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件與SiC功率模塊相輔相成，顯著提升高壓應(yīng)用的系統(tǒng)效率，并提供最大功效，幫助客戶開發(fā)更輕、更小、更可靠的系統(tǒng)設(shè)計致力于提供功率、安全、可靠
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性價比：SiC MOSFET比Si MOSFET不只高出一點點
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態(tài)電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應(yīng)用。SiC作為一種寬禁代半導(dǎo)體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊
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領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動
目前，功率轉(zhuǎn)換器市場快速演進，將來也會快速發(fā)展，從簡單的高性價比設(shè)計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。
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羅姆攜多款車載元器件新品，亮相“2018北京國際智能網(wǎng)聯(lián)汽車產(chǎn)業(yè)展覽會”
全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導(dǎo)體為汽車的未來做貢獻”為理念
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低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。
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我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破
SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領(lǐng)域的核心材料，具有重要的應(yīng)用價值和廣闊的應(yīng)用前景。
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美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件
21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極
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SiC下，電源半導(dǎo)體如何應(yīng)對能源問題
作為電力電子器件，SiC器件在低壓領(lǐng)域如高端的白色家電、電動汽車等由于成本因素，逐漸失去了競爭力。但在高壓領(lǐng)域，如高速列車、風(fēng)力發(fā)電以及智能電網(wǎng)等，SiC具有不可替代性的優(yōu)勢。
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第三代半導(dǎo)體SiC在人工智能中的應(yīng)用
2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受到存儲器價格上揚、虛擬貨幣高漲、數(shù)據(jù)中心與云端企業(yè)因應(yīng)人工智能(AI)應(yīng)用大幅采用繪圖處理器(GPU)，以及電競比賽普及等帶動，整體營收及獲利明顯增長，展望2018年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模仍將持續(xù)成長……
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在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處
本文評測了主開關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開關(guān)管提升了開關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計影響較大。
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ROHM帶來車載電源IC和SiC的技術(shù)革新
近幾年，家庭購置家用車越來越多的會選擇電動汽車，這其中固然有國家的支持和補貼政策的因素，更重要的是，電動汽車本身也有幾個優(yōu)點足以打動消費者的心：首先是環(huán)保，電動汽車的百公里耗電量為15-20kwh，算上發(fā)電廠
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淺談第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會，缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵，而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下，可謂是“最有料”的材料。在不久的將來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，無論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場，都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
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QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管，提高戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺的效率和帶寬
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強功能，并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺的開發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應(yīng)用進行過輸入匹配處理，并且尺寸小巧，可以實現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。
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ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強大!
——支持1200V 400A(BSM400D12P3G002)、600A(BSM600D12P3G001)，有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出
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新材料江湖博弈之局，第三代半導(dǎo)體材料大勢所趨
繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后，第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速
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SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值 2020年破10億美元
市場研究機構(gòu)IHS最新統(tǒng)計報告指出，隨著愈來愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價格已明顯下滑，有望刺激市場加速采用;與此同時，氮化鎵(GaN)功率半
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高交會系列之ROHM：電源之外亦有新天地
2015年11月16日～11月21日，中國國際高新技術(shù)成果交易會(簡稱高交會)在深圳會展中心隆重舉行。高交會集成果交易、產(chǎn)品展示、高層論壇、項目招商、合作交流于一體，是目前中國規(guī)模最大、最具影響力的科技類展會，有&
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紀(jì)念I(lǐng)ntel 4004處理器44周年：感謝沒眼光的日本人
Intel的成功始于44年前的4004處理器，這是世界首款商用處理器，原本做存儲器的Intel公司自此踏上了處理器領(lǐng)域，背后的根源則是日本電子公司的短視。
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用
Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品
