如今的機(jī)械硬盤容量提升真是困難,10+TB依然都是稀罕物,這么弄下去被SSD固態(tài)硬盤全面甩開只是個(gè)時(shí)間問題。即便是發(fā)布了大容量新品,上市速度也是奇慢無比,價(jià)格又是奇高無比。
研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技內(nèi)存儲(chǔ)存研究DRAMeXchange指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價(jià)平均仍有3~10%的季增水平。
3D NAND閃存是一種新興的閃存類型,通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。平面結(jié)構(gòu)的NAND閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限,給半導(dǎo)體存儲(chǔ)器行業(yè)帶來嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。新的3D NAND技術(shù),垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度。基于該技術(shù),可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量,進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低,以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。
繼三星舊金山閃存峰會(huì)上宣布,推出新V-NAND單晶粒,容量1Tb后,不少同行科技人員表示,這不過是三星的QLC閃存,只不過換了說辭,它比TLC的存儲(chǔ)密度更大,但相應(yīng)的犧牲壽命和讀寫。
據(jù)外媒消息,三星電子 NAND Flash 技術(shù)再升級(jí),9 日宣布研發(fā)出容量達(dá) 1 Tb(terabit)的 3D NAND 芯片,預(yù)計(jì)明年問世。三星宣稱,這一技術(shù)是過去 10 年來存儲(chǔ)器的最大進(jìn)展之一,本次發(fā)布的1Tb V-NAND將很快運(yùn)用于SSD(固態(tài)硬盤)上,計(jì)劃2018年推出最大容量的SSD產(chǎn)品。
做SSD比較厲害的廠商都有誰,英特爾恐怕要數(shù)其中的佼佼者。英特爾的SSD產(chǎn)品主要集中在企業(yè)級(jí),足見其產(chǎn)品性能優(yōu)異和可靠安全。如今,英特爾再次公布了SSD新產(chǎn)品,最大的改變恐怕是在外觀形態(tài)上已經(jīng)脫離了傳統(tǒng)SATA3或
東芝對(duì)于64層堆疊設(shè)計(jì)的3D TLC閃存真是愛的太深,產(chǎn)品布局之神速令人驚嘆:主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA、單芯片的BG3之后,又把它帶到了企業(yè)級(jí)領(lǐng)域,這在全球也是第一次。新硬盤有兩個(gè)系列,均為2.5寸規(guī)格,其中“PM5”最大容量達(dá)驚人的30.72TB(最小400GB),采用SAS 12Gbps接口,并業(yè)界首創(chuàng)MultiLink SAS架構(gòu),性能異常彪悍:持續(xù)讀寫可以高達(dá)3350MB/s、2720MB/s,隨機(jī)讀取也能達(dá)到400000 IOPS,絲毫不遜色于PCI-E SSD。
東芝的64層堆疊3D閃存技術(shù)正在迅速實(shí)用化,繼主流的XG5 NVMe、低端的TR200 SATA之后,東芝又發(fā)布了第三款基于新閃存的SSD,也是第三代BGA單芯片封裝SSD,命名為“BG3”系列。東芝BG系列BGA SSD誕生于201
據(jù)報(bào)道,矽力杰今年下半年?duì)I運(yùn)將可望逐季增長,本季受到非蘋智能手機(jī)陣營下單偏向保守,以及工業(yè)用SSD因缺貨讓出貨受到壓抑,不過今年第四季可望因?yàn)楦黜?xiàng)產(chǎn)品出貨表現(xiàn)開始放量出貨,全年合并營收將沖上年成長2成的高水平表現(xiàn)。
據(jù)外媒報(bào)道,從去年下半年至今,SSD/內(nèi)存的價(jià)格就坐上了火箭,而且一點(diǎn)降價(jià)的跡象都沒有,反而是SSD廠商不斷傳出不利因素,致使很多用戶每天都在提心吊膽。不過現(xiàn)在總算有好消息了,首先是三星即將量產(chǎn)第四代堆疊閃存,還有是SK海力士也在進(jìn)一步提高產(chǎn)能。
閃存、內(nèi)存的瘋狂漲價(jià),讓三星今年大賺特賺,當(dāng)然他們?cè)谛录夹g(shù)上的投入也沒有手軟,今天官方公布的消息顯示,三星將在韓國投資186.3億美元,以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。之前我們?cè)鴪?bào)道了三
東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界,宣布搶在存儲(chǔ)龍頭三星電子之前,研發(fā)出96層3DNANDflash存儲(chǔ)。韓國方面質(zhì)疑此一新聞的真實(shí)性,指稱東芝可能為了出售存儲(chǔ)部門,蓄意放出消息、操弄媒體。
英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤,它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器,使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。英特爾說,545s是世界上第一款使用該閃存技術(shù)的驅(qū)動(dòng)器。此外,在美國,SSD 545在Newegg網(wǎng)站獨(dú)家發(fā)售。
今年 5 月底,微軟為了表示對(duì)中國客戶的誠意,特別在上海召開了一場新品發(fā)布會(huì)。在這波新品當(dāng)中,最受矚目的自然是全新 Surface Pro。這是微軟全新一代 Surface Pro 產(chǎn)品,
閃存產(chǎn)品的長期供不應(yīng)求讓內(nèi)存及SSD的價(jià)格一路看漲,這讓不少PC廠商開始有點(diǎn)吃不消了。面對(duì)內(nèi)存及SSD漲價(jià)所帶來的成本壓力,聯(lián)想和戴爾已經(jīng)陸續(xù)提升相關(guān)產(chǎn)品售價(jià)。戴爾財(cái)務(wù)
三星為筆記本電腦和平板電腦制造各種SSD產(chǎn)品,包括便攜款式,不僅外形出色,而且性能也不差。繼T1和T3之后,韓媒報(bào)道,三星將推出一款比T3更小更快的T5便攜式SSD。 ▲T3據(jù)悉
2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價(jià),以存儲(chǔ)器為中心,包括DRAM等揮發(fā)性存儲(chǔ)器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,呈現(xiàn)持續(xù)走揚(yáng),除了智能型手機(jī)與個(gè)人電腦(PC)需求外,4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動(dòng)相關(guān)市場。
相比于機(jī)械硬盤在技術(shù)層面進(jìn)步緩慢甚至原地踏步,越來越成為PC明星產(chǎn)品的SSD的發(fā)展卻步履輕盈、邁向黃金期。據(jù)AnandTech報(bào)道,東芝在戴爾EMC世界大會(huì)上,首次對(duì)外展示了采用
隨著SSD的逆襲,很多人開始看衰HDD,但廠商們可不這么想。
Gartner 表示,在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì)開始呈現(xiàn)反轉(zhuǎn),使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì)在 2018 年出現(xiàn)明顯下滑,并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對(duì)低點(diǎn)。