散射測量方法日益應(yīng)用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)的測量,并逐漸在間隔層的量測中占據(jù)主導(dǎo)地位。數(shù)量級在10nm或更薄的間隔層測量尤其困難。除間隔層厚度外,由間隔層過刻蝕導(dǎo)致的基板凹陷深度也對器件有著明顯的影響。嵌入式
無線射頻(RF)解決方案供貨商SiGe半導(dǎo)體(SiGe Semiconductor)表示,預(yù)期2008年?duì)I收將可達(dá)9,800萬美元,年度芯片出貨量則超越1.2億片。 SiGe半導(dǎo)體執(zhí)行長Sohail Khan表示,該公司已連續(xù)第五年創(chuàng)下年?duì)I收超過40%的成長
SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布2008年再次成為銷售增長創(chuàng)記錄的一年,自公司創(chuàng)建以來產(chǎn)品付運(yùn)量超過3.5億個。SiGe半導(dǎo)體預(yù)計全年的銷售額接近9800萬美元,今年付運(yùn)量超過1.2億個產(chǎn)品。SiGe 半導(dǎo)體的創(chuàng)新
SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 現(xiàn)已推出一款 ISM (即工業(yè)、科研、醫(yī)療 - industrial、 scientific、medical, ISM) 頻帶高性能功率放大器 (power amplifier, PA),型號為 SE2568U,目標(biāo)是嵌入式2.4GHz 無線局
SiGe 半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布針對Wi-Fi® 應(yīng)用推出全球最小的 RF 前端解決方案。該器件基于一種創(chuàng)新性架構(gòu),首次在單芯片上集成兩個完全匹配的功率放大器 (power amplifier, PA)。這種架構(gòu)對外形尺
RMI公司是提供高性能通訊和媒體處理器的公司,近日擴(kuò)大它的合作伙伴聯(lián)盟,新增加的成員包括CSR和SiGe半導(dǎo)體。RMI選擇這兩個新合作伙伴的目的是為RMI最近在阿姆斯特丹IBC 2008上發(fā)布的mPND參考解決方案提供一種低成本
SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 現(xiàn)已推出具有雙天線輸入功能的 GPS 無線電接收器,型號為SE4150L,是專為下一代GPS 系統(tǒng)而開發(fā)的。
SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 現(xiàn)已推出兩款高性能射頻 (RF) 前端模塊,型號為 SE2547A 和 SE2548A,可在游戲控制臺、臺式電腦與筆記本電腦和家庭接入點(diǎn)等客戶端訪問設(shè)備中,實(shí)現(xiàn)新的無線多媒體服務(wù)。
SiGe 半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor, Inc) 宣布推出全球集成度最高的射頻 (RF) 前端模塊,型號為 SE2593A。
SiGe半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Sohail Khan表示:“我們非常榮幸 Fred 能加入董事會,他擁有30 多年的領(lǐng)導(dǎo)及運(yùn)營經(jīng)驗(yàn),對半導(dǎo)體行業(yè)有非常深刻和透徹的了解。在我們致力于繼續(xù)提高 RF組件的市場份額,使其適用于廣大范圍的無線