柵極驅(qū)動變壓器與高低側(cè)驅(qū)動器詳細實現(xiàn)
一般的逆變器、開關(guān)電源、電機驅(qū)動等應用中都需要2個以上mosfet或者IGBT構(gòu)成橋式連接,其中靠近電源端的(比如圖中紅色部分)通常被稱為高壓側(cè)或上臂、靠近地端的通常被稱為低壓側(cè)或下臂(比如圖中藍色部分),高低只是針對兩者所處位置不同,電壓值不一樣來區(qū)分的。
如果用驅(qū)動單個mosfet的方法去驅(qū)動高壓側(cè)的功率管,當需要關(guān)斷下臂的時候,那么基本上臂是無法導通的,所以上臂和下臂的驅(qū)動電壓值是不一樣的,上臂要略高于下臂。
傳統(tǒng)的方法一般是多路電源驅(qū)動或者搭建自舉升壓電路。但是都存在器件過多,可靠性低的問題,而且器件多了以后在高頻應用中分布參數(shù)、布線、電磁干擾都是問題。
就像我之前討論了典型電源系統(tǒng)中的隔離要求和兩種流行的柵極驅(qū)動器實現(xiàn)方法:柵極驅(qū)動變壓器和高/低側(cè)柵極驅(qū)動器,高邊/低邊驅(qū)動器。
例如 600V UCC27714,可以節(jié)省超過 50% 的 PCB 布局面積和更多的元件體積。
在這篇文章中,我將討論這兩種方法的實際實現(xiàn)的更多細節(jié),包括它們的優(yōu)缺點。
圖 1 顯示了用于半橋 MOSFET 配置的柵極驅(qū)動變壓器的實際實現(xiàn)。半橋拓撲廣泛用于電源轉(zhuǎn)換器和電機驅(qū)動器中。這在很大程度上是因為半橋可通過總線電壓,為脈寬調(diào)制(PWM)信號提供高效同步控制。然而,在控制器和功率器件之間通常需要使用柵極驅(qū)動器,以獲得更短的開關(guān)時間并出于安全性和/或功能性目的提供隔離。對于總線電壓高于功率開關(guān)的柵極到源極電壓最大限值的系統(tǒng),必須采用不同于系統(tǒng)總線的電壓驅(qū)動柵極。
對于功率較高的系統(tǒng)而言,功率開關(guān)器件占了BOM成本的很大一部分,且N型器件的導通電阻一般比尺寸和成本都相同的P型器件更低1。此外,若在半橋配置的單個引腳上使用兩個相同的開關(guān),則圍繞時序要求而展開的設(shè)計(比如非交疊和死區(qū)時間)便可得到簡化。由于這些原因,半橋配置通常由兩個N型器件組成,這兩個器件可以是NPNBJT、NMOS器件或N型IGBT。為簡便起見,本文中的半橋配置采用兩個NMOS器件,每引腳使用一個器件;這一概念同樣適用于IGBT。為了使用BJT器件,設(shè)計時必須考慮到恒定的基極電流。
為了在 MOSFET 上獲得干凈、穩(wěn)定的柵極驅(qū)動信號,需要額外的組件,這些附加組件是:
· C B:用于防止柵極驅(qū)動變壓器飽和的隔直電容。
· D 1,D 2:防止對稱負電壓偏壓,節(jié)省柵極驅(qū)動損耗。
· Q 1 , Q 2 : 低壓 P-MOS 或 PNP 晶體管,以提高柵極驅(qū)動關(guān)斷性能。
· Z 1 , Z 2:齊納二極管,有助于保護功率 MOSFET 的柵極/源極免受過壓。
圖 1:考慮寄生效應的柵極驅(qū)動變壓器的實際實現(xiàn)
顯然,額外的組件肯定會增加柵極驅(qū)動變壓器設(shè)計的復雜性。漏感也會損害柵極驅(qū)動變壓器的性能,包括降低峰值柵極驅(qū)動電流和較大的過沖(由漏感和 MOSFET 結(jié)電容引起)。實際上,增加峰值驅(qū)動電流需要增加磁芯尺寸和繞組線厚度以促進更高的驅(qū)動速度;然而,相應的影響將是更高的過沖,因為漏感存儲了更高的能量。柵極驅(qū)動變壓器的雙線繞組有助于減少漏感;然而,代價是增加了初級到次級繞組的耦合漏電容 C IO。首先是限制共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI) 性能的主要寄生參數(shù)之一(有關(guān)解釋,請參閱我的博客文章“ 48V 系統(tǒng):有效且穩(wěn)健地驅(qū)動功率 MOSFET ”)。綜上所述,考慮到上述因素,確實很難做出更好的權(quán)衡。
圖 2 顯示了帶數(shù)字隔離器的高側(cè)和低側(cè)柵極驅(qū)動器解決方案的實際實現(xiàn)。與我上一篇文章中的圖 2b相比,我只添加了幾個主要組件:R Boot和一個 5V LDO,用于在 10 至 20V 的 V Bias和需要 3 至 5V 的隔離器次級側(cè)之間提供電源接口低電壓/電源。
因為與柵極驅(qū)動變壓器相比,沒有與變壓器漏感相關(guān)的問題,您可以在柵極驅(qū)動電流、過沖、CMTI 等之間實現(xiàn)更好的權(quán)衡。
圖 2:高邊和低邊柵極驅(qū)動器的實際實現(xiàn)
表 1 比較了這兩種方法。從輔助元件更少、寄生電感/C IO小、過沖和 PCB 尺寸更小以及靈活的峰值柵極驅(qū)動電流的角度來看,高/低側(cè)柵極驅(qū)動器確實“勝出” 。關(guān)于隔離偏置電源,正如我之前提到的,高端/低端柵極驅(qū)動器可以利用現(xiàn)有的離線隔離電源子系統(tǒng)。
表 1:柵極驅(qū)動變壓器與高端/低端柵極驅(qū)動器的比較