意法半導(dǎo)體非易失性存儲器取得突破，率先在業(yè)界推出串行頁EEPROM

2022 年 6 月 30 日，中國—— 依托在串行EEPROM技術(shù)領(lǐng)域的積累和沉淀，意法半導(dǎo)體率先業(yè)界推出了串行頁EEPROM (Serial Page EEPROM)。這款全新類別的EEPROM 是一種SPI串行接口的高容量頁可擦除存儲器，擦寫靈活性、讀寫性能和超低功耗獨步業(yè)界，前所未有。意法半導(dǎo)體新的串行頁EEPROM產(chǎn)品家族前期先推出32Mbit 的M95P32，稍后在適當?shù)臅r候增加16Mbit 和 8Mbit 產(chǎn)品。

這個創(chuàng)新架構(gòu)讓設(shè)計人員能夠在同一存儲器上管理固件和靈活存儲數(shù)據(jù)，這種組合在以前是沒有的。更高的存儲器集成度可以減少終端產(chǎn)品的物料清單(BoM)成本，縮短上市時間，增加應(yīng)用價值，并實現(xiàn)尺寸更小的超低功耗模塊，從而延長電池使用壽命。這些器件非常適合實現(xiàn)多合一非易失性存儲器，用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)模塊、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、電子價簽、智能表計和 5G 光纖模塊等新系統(tǒng)設(shè)計。

作為一個全新的開發(fā)成果，串行頁EEPROM 整合意法半導(dǎo)體的e-STM 40nm非易失性存儲器(NVM)單元專利技術(shù)與新的智能存儲頁架構(gòu)，兼?zhèn)涓叽嫒萘?、字?jié)擦寫靈活性和高耐擦寫次數(shù)，既有利于固件管理，又能簡化數(shù)據(jù)記錄。新產(chǎn)品還具有讀取、擦除和寫入時間短的特點，上傳下載速度快可以降低制造成本，減少應(yīng)用停機時間?？焖偕想姾退穆份敵鲎x操進一步加快應(yīng)用喚醒速度。

集成這種新的簡化的存儲器可優(yōu)化企業(yè)擁有成本，提高產(chǎn)品易用性，簡化軟件開發(fā)，提升產(chǎn)品可靠性。串行頁 EEPROM是一個成本比 FRAM 更低的非易失性存儲器解決方案，功耗比串行閃存(serial Flash)更低，功能和易用性比Dataflash產(chǎn)品更好。