臺(tái)積電向美國(guó)爭(zhēng)取 150 億美金芯片法案補(bǔ)貼

據(jù) 21ic 消息報(bào)道，臺(tái)積電正在向美國(guó)政府尋求 150 億美元的建廠補(bǔ)貼，但反對(duì)一些附加條件，比如需要向其分享超額利潤(rùn)等。

根據(jù)相關(guān)知情人士透露，臺(tái)積電對(duì)美國(guó)可能要求其分享工廠利潤(rùn)，并提供詳細(xì)營(yíng)運(yùn)信息的規(guī)定感到擔(dān)憂。臺(tái)積電去年 12 月把美國(guó)亞利桑那鳳凰城的建廠投資規(guī)模增加了兩倍多，高達(dá) 400 億美元。

根據(jù)美國(guó)芯片法案，臺(tái)積電可能會(huì)獲得大約 70~80 億美金的稅額減免。臺(tái)積電正在爭(zhēng)取商務(wù)部的補(bǔ)助款，同時(shí)期望在亞利桑那鳳凰城的兩座工廠都可獲得大約 60~70 億美金的補(bǔ)貼，這樣的話臺(tái)積電將獲得來(lái)自美國(guó)政府的補(bǔ)貼總額高達(dá) 150 億美元。

據(jù)悉，該金額占美國(guó)芯片法案提供補(bǔ)助資金近三成，臺(tái)積電是否能順利得到該補(bǔ)貼還是一個(gè)未知數(shù)，因?yàn)檫@不僅需要持續(xù)和美國(guó)政府協(xié)調(diào)，更考驗(yàn)臺(tái)積電能否在商業(yè)利益與政治判斷上取得平衡。

美國(guó)芯片法案將提供 530 億美元資金幫助美國(guó)恢復(fù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造實(shí)力。而且英特爾和三星等半導(dǎo)體巨頭都會(huì)申請(qǐng)先進(jìn)制程建廠補(bǔ)助，而臺(tái)積電申請(qǐng)的 150 億美金就幾乎占了三成。

臺(tái)積電在昨天召開了法說(shuō)會(huì)，除了營(yíng)運(yùn)展望之外，預(yù)料美國(guó)布局等相關(guān)議題將是會(huì)中焦點(diǎn)。臺(tái)積電在亞利桑那鳳凰城的工廠第一階段將于明年開始年量產(chǎn) 4nm 制程工藝，符合美國(guó)的補(bǔ)助條件。

但是臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音日前表態(tài)，無(wú)法接受該法案提供補(bǔ)助的部分條件，還須再討論。臺(tái)積公司的目標(biāo)是減輕這些負(fù)面影響，并將繼續(xù)與美國(guó)政府進(jìn)行協(xié)商。雖然劉德音并未透露無(wú)法接受美國(guó)芯片法案哪部分的限制，但業(yè)界分析應(yīng)該是美國(guó)商務(wù)部認(rèn)為，申請(qǐng)補(bǔ)助廠商十年內(nèi)將不得在受關(guān)注的國(guó)家/地區(qū)進(jìn)行擴(kuò)充，其余還包括提出相關(guān)商業(yè)秘密等給美方，以利查核是否將補(bǔ)助款用于購(gòu)買庫(kù)藏股或配發(fā)股息等限制用途。

業(yè)界分析，由于臺(tái)積電獲補(bǔ)助金額絕不會(huì)超過(guò)英特爾等美國(guó)廠商，臺(tái)積電有本事不靠申請(qǐng)補(bǔ)助款，與各大芯片廠競(jìng)爭(zhēng)，這也是臺(tái)積電可以和美國(guó)商務(wù)部談條件的底氣。

綜觀臺(tái)積電海外布局，不僅美國(guó)亞利桑那州廠投資金額擴(kuò)增至400億美元，將投入4nm 及3nm 制程生產(chǎn)，并在日本熊本投資建廠，預(yù)計(jì)2024年底前以28nm 、22nm 、16nm 及12nm 制程生產(chǎn)。

業(yè)內(nèi)分析人士認(rèn)為，臺(tái)積電對(duì)提供財(cái)務(wù)報(bào)表，各種營(yíng)運(yùn)假設(shè)條件，客戶資料等很擔(dān)憂資料外流，也擔(dān)心分享利潤(rùn)限制公司獲利空間，拜登政府及美國(guó)商務(wù)部為保護(hù)美國(guó)納稅人的錢及要求分享超額利潤(rùn)，似乎也不肯讓步就直接開張空白支票給臺(tái)積電。