Intel 3工藝官方揭秘：面積縮小10％、能效飆升17％

6月13日消息，Intel 4制造工藝只在代號(hào)Meteor Lake的初代酷睿Ultra上使用了一次，接下來(lái)就輪到了Intel 3，已經(jīng)如期大規(guī)模量產(chǎn)，首發(fā)用于代號(hào)Sierra Forest的至強(qiáng)6能效核版本，第三季度內(nèi)推出的代號(hào)Granite Rapids的至強(qiáng)6性能核版本也會(huì)用它。

按照Intel的最新官方數(shù)據(jù)，Intel 3相比于Intel 4邏輯縮微縮小了約10%(可以理解為晶體管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)則提升了17%。

Intel解釋說(shuō)，半導(dǎo)體行業(yè)目前的慣例是，制程工藝節(jié)點(diǎn)的命名，不再根據(jù)晶體管實(shí)際的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升進(jìn)行迭代。

可以粗略地理解為，Intel 3的性能水平，大致相當(dāng)于其他廠商的3nm工藝。

Intel 3其實(shí)就是Intel 4的升級(jí)版本，主要變化之一是EUV極紫外光刻的運(yùn)用更加?jì)故?，在更多生產(chǎn)工序中使用了EUV。

二是引入了更高密度的設(shè)計(jì)庫(kù)，提升晶體管驅(qū)動(dòng)電流，并通過(guò)減少通孔電阻，優(yōu)化了互連技術(shù)堆棧。

此外，得益于Intel 4的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，Intel 3的產(chǎn)量提升更快。

未來(lái)，Intel還將推出Intel 3的多個(gè)演化版本，滿足客戶的多樣化需求。

其中，Intel 3-T將引入采用硅通孔技術(shù)，針對(duì)3D堆疊進(jìn)行優(yōu)化;

Intel 3-E將擴(kuò)展更多功能，比如射頻、電壓調(diào)整等;

Intel 3-PT將在增加硅通孔技術(shù)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)至少5%的性能提升。

Intel強(qiáng)調(diào)說(shuō)，Intel 3是一個(gè)重要的節(jié)點(diǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)標(biāo)志著“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃進(jìn)入“沖刺階段”，還是Intel對(duì)外開(kāi)放代工的第一個(gè)節(jié)點(diǎn)。

接下來(lái)，Intel將開(kāi)啟半導(dǎo)體的“埃米時(shí)代”。

Intel 20A首發(fā)應(yīng)用于Arrow Lake消費(fèi)級(jí)處理器，2024年下半年量產(chǎn)發(fā)布。

Intel 18A則是Intel 20A的升級(jí)版，將在2025年用于代號(hào)Clearwater Forest的服務(wù)器處理器，以及代號(hào)Panther Lake的消費(fèi)級(jí)處理器，并向代工客戶大規(guī)模開(kāi)放。

再往后，就是Intel 14A。