• DDS 應用程序之調制/數(shù)據(jù)編碼和同步中的DDS

    測量、工業(yè)和光學應用，需要具有可編程調諧、掃描和激勵功能的通用頻率合成功能

  • IGBT如何改善寄生電容，適合高頻操作

    在導通特性方面，IGBT的導通損耗由器件導通時的壓降造成，其參數(shù)為Vce(sat)，隨溫度變化較小。而SiC MOSFET的導通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性，具有更小的導通損耗，特別是在電流較小的情況下?2。

  • 射頻功率放大器,第1部分函數(shù)和元件

    在射頻信號鏈中,功率放大器(PA)是位于發(fā)射機信號鏈電路和天線之間的有源元件, 圖1 .它通常是一個單獨的離散組件,它的要求和參數(shù)不同于傳輸鏈和接收電路的要求和參數(shù)。這個常見問題將研究巴勒斯坦權力機構的作用及其特征。

  • 射頻功率放大器,第2部分考慮

    第一部分 其中常見問題包括射頻功率放大器(PA)的基本作用和功能。這一部分探討了在考慮可能的PA設備時需要考慮的一些因素。這并不是一個詳細的分析,說明許多參數(shù)的特點,包括許多獨特的PA功能。

  • 什么材料可以用來制造微型天線

    許多天線在機械上既簡單又復雜。機械天線通常只有一個或兩個組件,一個介質層(可以是整個天線)和一個導電層。本常見問題集首先簡要回顧了介電材料及其對天線性能的重要性。然后,本文探討了與5G手機的先進天線、靈活電子設備的天線有關的發(fā)展,以及在可穿戴天線中使用碳納米天線的可能性。

  • 什么時候使用緩沖器,什么時候使用驅動器

    緩沖器和驅動器同時提供輸入和輸出之間的阻抗變換。當看到常見類型的緩沖器和驅動器,例如電壓和電流緩沖器、時鐘緩沖器、直線驅動器和門驅動器時,這些差異開始出現(xiàn)。基本緩沖區(qū)和驅動程序有一個輸入和一個輸出,但還有一些可以有一個輸入和多個輸出或一個輸出有多個輸入。

  • 軟開關和 SiC 器件如何改善功率轉換

    效率和功率密度都是電源轉換器設計中的重要因素。每個造成能量損失的因素都會產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來去除。軟開關和碳化硅 (SiC) 技術的結合可以提高開關頻率，從而可以減小臨時存儲能量的無源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開關模式轉換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉換器提供了基礎。

    電源
    2024-10-20
    軟開關 SiC

  • 如何選擇多功能天線

    影響范圍和性能,天線選擇和放置是關鍵的設計考慮因素,在物聯(lián)網(wǎng)設備制造商。本文綜述了最廣泛使用的多用途天線,并討論了其應用特定的功能。它還強調了最佳設計和放置戰(zhàn)略,為每種天線類型提供了詳細的指導方針。

  • 如何量化設備的非線性第3部分

    在?第一部分中 在這個系列中,我們討論了1-db壓縮點作為設備線性度的一個優(yōu)點。在?第2部分里面 ,我們檢查了一個增加兩個頻率的基本輸入信號的電路。 f 1 = 2 GHz and f 2 =2.5千兆赫。由于非線性,電路產(chǎn)生干擾,主要形式為低面和高面三階互相調制產(chǎn)品2 f 1 – f 2 和2 f 2 – f 1 , respectively ( 圖1)。三階攔截點,簡稱IP3或toi,表示設備如何很好地限制這種干擾。

  • 如何量化設備的非線性第2部分

    在?第一部分中 ,我們研究了1db壓縮點,它是射頻功率放大器等設備的優(yōu)點。一個附加的規(guī)范,三階截取點,簡稱IP3或TEI,特別適用于具有多個輸入頻率的電路。例如,假設放大器和兩個頻率為 f 1 = 2 GHz and f 2 =2.5千兆赫。由于非線性,該電路產(chǎn)生具有各種干擾頻率的輸出頻譜,如 圖1 .在一個?先前關于互調失真的帖子 ,我們注意到低及高側三階互調產(chǎn)品2 f 1 – f 2 和2 f 2 – f 1 因為它們接近基本面,難以過濾,所以可能會特別麻煩。選擇一個具有高IP3評級的放大器或其他設備可以最小化這些產(chǎn)品的水平。

  • 離線式和在線互動式 UPS系統(tǒng)框圖設計

    UPS的應用場景日趨多樣化，每個場景都有其獨特的需求，對應不同的方案。本文將聚焦UPS設計方案展開講述。

  • 如何量化設備的非線性第1部分

    A: 你會發(fā)現(xiàn)幾個。首先,在 圖1 "藍線"代表電路的理想線性響應,而"紅線"則代表被測量的響應。我們可以繪制平行于約束實際響應的線性響應的線(圖中的虛線),然后計算非線性作為一個函數(shù)的全面輸出。在這個夸張的表示中,非線性度為+10%.對于在線性區(qū)域中工作的高質量的OP放大器,非線性度不是以百分比為單位的,而是以百萬分之一(PPM)為單位的。

  • 如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力

    寬帶隙 (WBG) 半導體器件，例如碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應用中特別有優(yōu)勢。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進行了比較分析。

    電源
    2024-10-20
    SiC FET

  • 如何計算射頻功率放大器效率

    無線電通信系統(tǒng)穩(wěn)步提高數(shù)據(jù)速率和總體系統(tǒng)性能。隨著性能的提高,對電力消耗的壓力越來越大。最近的一份行業(yè)報告[參考1]得出結論,典型的5G基站的耗電量為12千瓦,而LTE基站的耗電量為7千瓦。大約有5個烤面包機的額外能量被使用。(典型的2片烤面包機消耗約1000瓦。)

  • 如何測量電壓？使用測試儀可以輕松測量電壓

    由于電壓是看不見的，所以無法通過觀察電路來判斷電路中流過的電壓。但是，電子設備中的每個電路都有其運行所需的預定電壓，過高的電壓可能會導致設備損壞或人身傷害。同時

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