由JFET和少量元件構建成的LC振蕩器

　　將JFET 用于不尋常的電路結構中，就可以設計出無源元件很少的簡單高頻 LC 振蕩器。實現(xiàn)放大器級的結構包括一只以共漏方連接的JFET 晶體管（圖 1）。
　　當JFET工作在飽和區(qū)時，漏極電流I_D為：

　　式中，IDSS為最大飽和電流，VP為夾斷電壓。你可利用一個無限大的輸入阻抗和一個受柵-源電壓控制的電流源來構建這只在小信號狀態(tài)下工作在飽和區(qū)的JFET的模型。下列公式確定JFET的小信號跨導：

　　柵極電阻 R_G提供柵極到地的必要連接。R_G的典型值在幾兆歐姆范圍內，以提供放大器結構所需的高阻抗。電阻 R_S可使晶體管偏置，其阻值由下述公式確定：

　　要完成整個振蕩電路，還要在放大級增加一個 LC 諧振回路（圖 2），最終形成一個考畢茲振蕩器。由于 LC 諧振回路的電感，柵極與地之間存在直流連接，消除了放大器的柵極電阻。

　　用巴克豪森準則對這一電路進行分析，電路的振蕩頻率 f₀為：

　　電路起振所需電容器條件為：

　　或，放大器級的電壓增益A_V，即V_OUT(t)/V_G(t)為：

　　式中共漏級電壓增益為：