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[導(dǎo)讀]Separation 由[23]可知,差分訊號(hào)的阻抗,與間距會(huì)有關(guān)系,如下圖[27] :因此差分訊號(hào)的間距要維持固定,否則會(huì)因阻抗不連續(xù)而產(chǎn)生反射,進(jìn)而導(dǎo)致EMI幅射干擾加大[12]。另外,差分訊號(hào)的間距,不只與阻抗有關(guān),也牽扯

Separation 由[23]可知,差分訊號(hào)的阻抗,與間距會(huì)有關(guān)系,如下圖[27] :因此差分訊號(hào)的間距要維持固定,否則會(huì)因阻抗不連續(xù)而產(chǎn)生反射,進(jìn)而導(dǎo)致EMI幅射干擾加大[12]。另外,差分訊號(hào)的間距,不只與阻抗有關(guān),也牽扯到抗干擾能力,我們以下圖作說明。B跟 C為差分訊號(hào),而 A為鄰近的訊號(hào),當(dāng) A 跟 B、C靠得很近時(shí),亦即 S1很小時(shí),A會(huì)把能量耦合到 B跟 C,以 S 參數(shù)表示,A耦合到 B為 SBA,A耦合到C為 SCA。如果 B與 C 靠得很近,亦即 S2很小,則 SBA = SCA,而又因?yàn)?B跟 C的訊號(hào)方向相反,所以 SBA跟 SCA是等量又反向,會(huì)彼此完全相消,因而將 A對(duì)于 B、 C的干擾降到最低。然而,若 B與 C離得很遠(yuǎn),亦即 S2很大,則 SBA > SCA,那么 SBA跟 SCA便無法完全相消,此時(shí) B會(huì)受 A的干擾。由此可知,若差分訊號(hào)要具有最佳的抗干擾能力,則間距必須越小越好。當(dāng)然,由前述可知,間距越小,其阻抗就越小,這會(huì)使阻抗無法控制得宜,因此,更精確一點(diǎn)講,在符合阻抗控制的前提下,其間距必須越小越好,這樣才可有較佳的抗干擾能力。另外由前述可知,差分訊號(hào)可以減少磁場(chǎng)份量,以及減少發(fā)散向外的電場(chǎng),進(jìn)而降低 EMI輻射干擾。然而,倘若 S2過大,則磁場(chǎng)無法完全相消,且彼此間所產(chǎn)生的電場(chǎng),也會(huì)因耦合量降低,進(jìn)而增加發(fā)散向外的電場(chǎng),導(dǎo)致 EMI輻射干擾加大,因此,在符合阻抗控制的前提下,其間距必須越小越好,這樣才可有較小的 EMI輻射干擾。而前述提到,因此通常會(huì)針對(duì)長(zhǎng)度較短的走線,額外再增加長(zhǎng)度,使其差分訊號(hào)達(dá)到等長(zhǎng)的目的,如下圖 :但由上圖綠圈處可知,雖然等長(zhǎng)目的達(dá)到了,但會(huì)因間距加大,導(dǎo)致阻抗不連續(xù),抗干擾能力降低,以及 EMI輻射干擾加大,該如何取舍呢?前述說過,差分訊號(hào)不等長(zhǎng),會(huì)造成邏輯判斷錯(cuò)誤,而由[4]可知,間距不固定對(duì)邏輯判斷的影響,幾乎是微乎其微。而阻抗方面,間距不固定雖然會(huì)有變化,但其變化通常在 10%以內(nèi),只相當(dāng)于一個(gè)過孔的影響。至于 EMI幅射干擾的增加,與抗干擾能力的下降,可在間距變化之處,用 GND Fill技巧,并多打過孔直接連到 Main GND,以減少 EMI幅射干擾,以及被干擾的機(jī)會(huì)[24]。如前述,差分訊號(hào)最重要的就是要等長(zhǎng),因此若無法兼顧固定間距與等長(zhǎng),則需以等長(zhǎng)為優(yōu)先考慮。

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