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[導(dǎo)讀]這篇文章中,小編將帶來(lái)vivo NEX 3S和vivo NEX 3在性能方面的對(duì)比測(cè)評(píng),一起來(lái)了解下吧。

這篇文章中,小編將帶來(lái)vivo NEX 3S和vivo NEX 3在性能方面的對(duì)比測(cè)評(píng),一起來(lái)了解下吧。

——魯大師跑分

魯大師可對(duì)CPU、GPU、RAM、存儲(chǔ)、顯示屏五大核心硬件進(jìn)行評(píng)測(cè)和跑分對(duì)比,較為適合普通小白用戶了解手機(jī)相關(guān)信息。

可以看到,在魯大師的評(píng)分體系當(dāng)中,NEX 3S的得分足足比前代多出了超過(guò)11萬(wàn)分,性能方面的綜合提升幅度可見(jiàn)一斑,而且性能得分排名也從第二十七位躍進(jìn)至目前的第一位。

——CPU:全面使用Cortex-A77架構(gòu)

相比前作NEX 3所使用的驍龍855 Plus,NEX 3S所搭載的驍龍865在CPU上的改進(jìn)更為直接,這里指的是高通不再使用自研架構(gòu),也全面換到ARM架構(gòu),這也是大勢(shì)所趨。驍龍865的CPU是唯一一個(gè)并非高通自主設(shè)計(jì)的主要內(nèi)核。

具體來(lái)說(shuō),驍龍865使用的CPU核心跟驍龍855 Plus一樣是1+3+4架構(gòu),頻率分別是2.84GHz、2.42Ghz、1.80GHz,緩存容量也沒(méi)變,不過(guò)1+3大核升級(jí)到了Coterx-A77架構(gòu),L3緩存翻倍到了4MB,4個(gè)小核心依然是Cortex-A55架構(gòu),1.8GHz的頻率。

雖然核心頻率、L2緩存沒(méi)變,但是與驍龍855 Plus使用的是基于Cortex-A76核心改進(jìn)相比,高通在驍龍865上主要變化就是直接在CPU核心上用了ARM的Cortex-A77架構(gòu)。不過(guò)高通依然在Cortex集成的技術(shù)來(lái)定制CPU接口IP的某些部分,所以驍龍865的CPU核心命名依然是Kryo。

在GeekBench5測(cè)試中,NEX 3S使用的驍龍865得益于全新的A77架構(gòu)在單核和多核性能測(cè)試中均取得了非常出色的成績(jī),其中單核相比于驍龍855 Plus領(lǐng)先了19%,而相比于驍龍855單核上則領(lǐng)先35%,多核上領(lǐng)先25%。

——GPU:更寬的微架構(gòu)

說(shuō)完了CPU,再來(lái)說(shuō)說(shuō)GPU的變化,在這方面高通對(duì)新的IP內(nèi)核做了漸進(jìn)式升級(jí)。

Adreno 630/640 GPU都是2核GPU,每個(gè)GPU核分別有256、384個(gè)ALU單元,而Adreno 650的性能實(shí)現(xiàn)了50%的提升,這意味著它可能是有3個(gè)256-ALU核心組成,或者是2個(gè)512-ALU核心。

在紋理填充方面,上代的Adreno 640已經(jīng)表現(xiàn)不錯(cuò),每個(gè)核心從12組TMU單元翻倍到了24組TMU單元,總計(jì)48組TMU單元,這也使得紋理填充率:像素填充率達(dá)到了少見(jiàn)的3:1比例。而Adreno 650 GPU較前代又帶來(lái)了50%的像素處理性能提升,現(xiàn)在它的像素填充率性能與ARM的Mali GPU相持平。

高通曾指出,Adreno 650 GPU在不同的測(cè)試及負(fù)載中平均提升了25%的性能。需要指出的是,高通明確表示部分負(fù)載中性能增幅還會(huì)更高,比如GFXBench中的高負(fù)載測(cè)試Aztec Ruins,這時(shí)候可能會(huì)有超過(guò)25%的性能提升。

——內(nèi)存:告別LPDDR4 加入LPDDR5陣營(yíng)

LPDDR5內(nèi)存終于在今年實(shí)現(xiàn)了商用,新的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)將每bit數(shù)據(jù)的能效提升20%以上,自然,驍龍865支持LPDDR5內(nèi)存。

NEX 3S這次更是直接配備12G LPDDR5內(nèi)存,堆料程度到達(dá)頂峰水平。

值得注意的是,高通在驍龍865中使用了混合型內(nèi)存控制器,以便同時(shí)支持LPDD5及LPDDR4X內(nèi)存,前者最高支持2750MHz,后者最高2133MHz。

LPDDR5采用了最高16 Bank可編程和多時(shí)鐘體系結(jié)構(gòu),引入了Data-Copy和Write-X指令來(lái)降低功耗,還有鏈路ECC糾錯(cuò)。美光稱采用LPDDR5,整機(jī)省電 5%-10%,續(xù)航延長(zhǎng) 5%-10%。

此外,LPDDR5內(nèi)存對(duì)智能手機(jī)性能提升產(chǎn)生巨大影響。相比2014年的LPDDR4標(biāo)準(zhǔn),LPDDR5從3200Mbps提升到5500Mbps,每秒可傳送44GB數(shù)據(jù)。

——存儲(chǔ):提前邁入U(xiǎn)FS 3.1時(shí)代

vivo是首發(fā)使用UFS 3.1的廠商,不過(guò)首發(fā)的機(jī)會(huì)讓給了自家的“小兄弟”iQOO 3。

根據(jù)vivo官方的數(shù)據(jù),相比UFS 2.1,UFS 3.1順序讀取速率提升137.2%,隨機(jī)讀取速率提升99.8%。與UFS 3.0對(duì)比,UFS 3.1實(shí)現(xiàn)了更高的寫入性能、更低的功耗及更穩(wěn)定的性能管理。

不過(guò)UFS 2.1目前而言有些“陳舊”了,已經(jīng)從旗艦下放到中低端機(jī)型上。

所以接下來(lái)我們通過(guò)基準(zhǔn)測(cè)試應(yīng)用Androbench來(lái)了解一下此作相比目前主流旗艦都在使用的UFS 3.0有沒(méi)有提升。

實(shí)測(cè)顯示,即便是面對(duì)當(dāng)下主流旗艦還在使用的UFS 3.0,搭載UFS 3.1的vivo NEX 3S仍然全方位領(lǐng)先于前者。實(shí)測(cè)顯示,vivo NEX 3S相較于vivo NEX 3DE1連續(xù)寫入速度提升有36%之多。

以上便是小編此次帶來(lái)的相關(guān)測(cè)評(píng),如果你想了解更多有關(guān)vivo NEX 3S的測(cè)評(píng)報(bào)道,請(qǐng)關(guān)注小編的后期文章哦。

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