前不久,IBM公布了2nm技術路線,讓人倍感振奮。雖然摩爾定律速度放緩,但硅晶片微縮的前景依然廣闊。不過,2nm之后就是1.5nm、1nm,硅片觸及物理極限。
不過,IBM的領先優(yōu)勢只維持了短短幾天,全球代工巨頭臺積電便官宣了最新的研發(fā)進展。據(jù)悉,臺積電已經(jīng)和美國麻省理工學院等合作研發(fā)出一種新型半導體材料——半金屬鉍,這種材料可以幫助臺積電實現(xiàn)1nm及以下工藝制程。
眾所周知,硅一直是半導體生產(chǎn)過程中的主流材料,但隨著硅材料物理極限的逼近,工藝制程、芯片性能等都很難再往前推進。
因此,找到硅的替代材料一直是業(yè)界所希望取得的而突破,目前來看,臺積電再次走在了行業(yè)前列。據(jù)悉,半金屬鉍可以最大幅度降低電阻,提高電流傳輸速度,有助于突破摩爾定律的極限。
與競爭對手三星、英特爾相比,臺積電的領先優(yōu)勢無疑將在現(xiàn)有基礎上,進一步擴大。按照臺積電的說法,其3nm工藝將在今年年底進行風險試產(chǎn)。
但也有供應鏈消息傳出,臺積電3nm工藝進展順利,試產(chǎn)進度也比原計劃提前,且臺積電正在考慮赴美建設3nm芯片工廠,耗資超1600億人民幣。
日前,臺大、臺積電和麻省理工共同發(fā)布研究成果,首度提出利用半金屬Bi作為二維材料的接觸電極。它可以大幅降降低電阻并提高電流,使其效能媲美硅材料,有助于半導體行業(yè)應對未來1納米世代的挑戰(zhàn)。
論文中寫道,目前硅基半導體已經(jīng)推進到5nm和3nm,單位面積容納的晶體管數(shù)量逼近硅材料物理極限,效能無法逐年顯著提升。此前,二維材料被業(yè)內寄予厚望,卻始終掣肘于高電阻、低電流等問題。
此次三方合作中,麻省理工是半金屬鉍電極發(fā)現(xiàn)者,臺積電將鉍(Bi)沉積制程進行優(yōu)化,臺大團隊運用氦離子束微影系統(tǒng)(Helium-ion beam lithography)將元件通道成功縮小至納米尺寸,終于大功告成,耗時長達一年半的時間。
4月下旬的時候臺積電更新了其制程工藝路線圖,稱其4納米工藝芯片將在2021年底進入“風險生產(chǎn)”階段,并于2022年實現(xiàn)量產(chǎn);3納米產(chǎn)品預計在2022年下半年投產(chǎn), 2納米工藝正在開發(fā)中。
大家也知道,目前全球最先進的芯片制程工藝是5nm,三星和臺積電都能做到量產(chǎn),但和臺積電相比,三星在良品率上稍稍遜色。
值得一提的是,在3nm芯片和2nm芯片方面,臺積電也是占優(yōu)的。據(jù)了解,臺積電有望在今年年底試產(chǎn)3nm制程的芯片,并計劃在2022年實現(xiàn) 量產(chǎn)。而在2nm芯片上,臺積電也取得了突破,GAA工藝或讓臺積電在2024年實現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn) 。
臺積電與美國斯坦福大學共同研究 出了一種新型半導體材料——半金屬鉍。臺積電表示,半金屬鉍不僅可以作為電極,還可以搭配二維材料,實現(xiàn)更加高效的 電流傳輸。也就是說,臺積電可以使用半金屬鉍生產(chǎn)制造出1nm芯片,甚至更 小的芯片。
在臺積電看來,7nm芯片、5nm芯片制程工藝的量產(chǎn)的技術 已經(jīng)很成熟,接下來的3nm以下芯片的量產(chǎn)技術,才是未來需要布局的。也怪不得臺積電會說,1nm也不是那么難制造的。
從臺積電官宣的這兩則消息看來,對華為并不是太好,現(xiàn)在的華為在市場份額極低,這兩個企業(yè)的強大更加讓華為不利,但是這也在任正非的意料之中,為什么這么說呢?
第一,臺積電被限制出貨之后,華為就受到了巨大影響,當時任正非就看透了局勢,既然美國打壓華為,那任正非也不能等著啊,于是,任正非就轉型生態(tài)領域,并取得了成功,說回來還得感謝美國的打壓,讓華為突破到其他領域!第二,任正非希望擺脫美國技術的重圍,并表示,我們將全力攻克半導體行業(yè),徹底擺脫美國技術,用新材料突破芯片領域的瓶頸,實現(xiàn)自主技術研發(fā)只是時間問題!
當前,我國企業(yè)要團結起來,加強科技發(fā)展,同時,我國應加大扶持力度,加強人才選拔,只有這樣,才能不被隨意“掐脖子”!