半導(dǎo)體的導(dǎo)電性
電子在電場力作用下的定向運動是漂移運動。熱運動是無規(guī)則的，雜亂無章的運動。
遷移率表示單位場強下電子的平均漂移速度。
散射指載流子在半導(dǎo)體中運動時與熱振動的晶格原子或電離的雜質(zhì)離子作用，載流子的速度大小和方向發(fā)生改變。兩次連續(xù)散射間自由運動的平均路程稱為平均自由程，平均時間稱為平均自由時間。散射率是平均自由時間的倒數(shù)，表示單位時間內(nèi)一個載流子受到的散射的次數(shù)。
電離雜質(zhì)散射是電離的施主或受主帶電形成庫倫勢場，局部的破壞了雜質(zhì)附近的周期性勢場，載流子運動到電離雜質(zhì)附近時，運動方向發(fā)生改變。特點是低溫使載流子的運動速度降低，散射更大，遷移率隨溫度上升而增加，散射軌跡是以帶電中心為焦點的雙曲線。
晶格散射有聲學(xué)波散射和光學(xué)波散射。聲學(xué)波原胞內(nèi)兩個原子的振動沿同一方向。光學(xué)波原胞內(nèi)兩個原子的振動沿相反方向這兩種波都包含一個縱波和兩個橫波。長波和縱波的散射起主要作用，對禁帶寬度有影響。溫度升高，晶格散射更顯著。
其他散射機構(gòu)還有谷間散射，是非彈性散射，低溫時谷間散射很小。中性雜質(zhì)散射只有在雜質(zhì)濃度高的重摻雜半導(dǎo)體中，并且溫度很低時，晶格散射和電離雜質(zhì)散射都很微弱的情況下才起主要作用。位錯散射，散射概率與位錯密度有關(guān)。合金散射是混合晶體中特有的反射機制。載流子之間也有散射作用，但是只有在強簡并時才顯著。
回旋共振實驗用來測量半導(dǎo)體內(nèi)載流子的有效質(zhì)量。
回旋共振實驗測有效質(zhì)量的公式。
電導(dǎo)有效質(zhì)量。電導(dǎo)遷移率
Ex電場，B磁場，通x方向電流將產(chǎn)生Ey方向電場。稱為霍爾效應(yīng)。
磁阻效應(yīng)，在與電流垂直的方向加磁場后，沿外加電場方向的電流密度有所降低及電阻增大。
磁阻效應(yīng)分類有：一，物理磁阻效應(yīng)，材料電阻率隨磁場增大而增大，又稱磁阻率效應(yīng)。物理磁阻效應(yīng)，單種載流子不計入速度統(tǒng)計分布時，因為運動路徑為曲線散射率增大，電阻率增大，計入速度統(tǒng)計分布，載流子不是恰好在平衡速度時，運動路徑會偏離外加電場方向，使得單位時間內(nèi)通過的載流子減少，電阻率上升。
二，幾何磁阻效應(yīng)不同形狀，樣品在同樣磁場下電阻不同。幾何磁阻效應(yīng)是磁場作用下電流偏轉(zhuǎn)，從而流經(jīng)的路徑增加，即L增加。若長條樣品l比b遠大于一，則增大不明顯，若l比b遠小于一，霍爾效應(yīng)降低l明顯增加，電阻增加多。
柯比諾圓盤，從圓盤中心施加輻射形式向外的電場，任何位置不積累電荷，也不產(chǎn)生霍耳電場，電流僅以螺旋路徑流通，電極間電阻明顯增加。
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