意法半導體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

時間：2021-10-26 14:54:27

關鍵字： MOSFET 意法半導體 ST

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[導讀]點擊“意法半導體PDSA"，關注我們！2021年10月26日,中國——STPOWERMDmeshK6新系列超級結(jié)晶體管改進多個關鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應用，例如，LED驅(qū)動器、HID燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。意法半導體80...

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意法半導體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

2021年10月26日,中國——STPOWER MDmeshK6 新系列超級結(jié)晶體管改進多個關鍵參數(shù)，最大限度減少系統(tǒng)功率損耗，特別適合基于反激式拓撲的照明應用，例如， LED 驅(qū)動器、HID 燈，還是適用于電源適配器和平板顯示器的電源。

意法半導體800V STPOWER MDmesh K6系列，為這種超級結(jié)晶體管技術樹立了高性能和易用性兼?zhèn)涞臉藯U。MDmesh K6 的RDS(on) x 面積參數(shù)在市場上現(xiàn)有800V產(chǎn)品中處于領先水平，能夠?qū)崿F(xiàn)緊湊的集高功率密度與市場領先的能效于一身新的新設計。?此外，K6 系列的閾壓比上一代 MDmesh K5更低，可使用更低的電壓驅(qū)動，從而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待機應用?？倴艠O電荷 (Qg) 也非常低，可以實現(xiàn)高開關速度和低損耗。

意法半導體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

芯片上集成一個 ESD 保護二極管，將 MOSFET 的整體魯棒性提高到人體模型 (HBM) 2 級。?意大利固態(tài)照明創(chuàng)新企業(yè)TCI(www.tcisaronno.net）的首席技術官、研發(fā)經(jīng)理 Luca Colombo 表示: 意法半導體新MDmesh??K6?800V?STPOWER?MOSFET提高能效，最大限度降低開關功率損耗

我們已經(jīng)測評了新的超結(jié)超高壓 MDmesh K6 系列的樣片，并注意到其出色的Rdson* 面積和總柵極電荷 (Qg) 性能特點，給我們印象深刻。

?采用 TO-220 通孔封裝的STP80N240K6 (R_DS(on)max= 0.22?, Q_gtyp= 25.9nC)是首批量產(chǎn)的 MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore網(wǎng)上商店現(xiàn)已提供免費樣片。DPAK 和 TO-220FP 版本將于 2022 年 1 月前量產(chǎn)。?意法半導體將于 2022 年前推出MDmesh K6 的完整產(chǎn)品組合，將導通電阻R_DS(on)范圍從 0.22Ω擴大到 4.5Ω，并增加一系列封裝選項，包括 SMD 和通孔外殼。
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