功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計中得到了廣泛的應(yīng)用，此前本文曾經(jīng)就幾種常見的MOSFET電路設(shè)計類型進行了簡單總結(jié)和介紹。在今天的文章中，本文將會就這一功率器
RCC方案是一種工作于臨界模式的反激式電路，正因為其特殊性的臨界模式，導(dǎo)致了功率電源RCC方案的頻率不是定頻的，這是與PWM方案質(zhì)的區(qū)別，可是RCC方案的占空比D頻率f到底是
摘要：設(shè)計了一種結(jié)構(gòu)簡單的基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準(zhǔn)電壓源。以BrokaW帶隙基準(zhǔn)電壓源結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)來進行設(shè)計。采用Cadence的Spectre仿真工具對電路進行了完整模擬仿真，-20～125℃溫度范圍內(nèi)，基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)大約為17.4 ppm/℃，輸出精度高于所要求的5‰;在1 Hz到10 kHz頻率范圍內(nèi)平均電源抑制比(PSRR)為-46.8 dB。電路實現(xiàn)了良好的溫度特性和高精度輸出。
在要求較高的電路中，CBB電容代替了常見的聚苯或者云母電容。這主要是因為CBB電容與聚苯電容相比在體積上占有優(yōu)勢，能夠以更小的達到同樣的性能。但在CBB電容的使用過程中
開關(guān)電源電路中的器件數(shù)量龐大且大多結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜，光耦就是其中一種。光耦的特點就是具有體積小、壽命長、無觸點、抗干擾能力強的特點。因此在開關(guān)電源數(shù)字電路中有著較為
在大功率電源當(dāng)中，MOS器件的消耗至關(guān)重要。其很有可能關(guān)系到電源的整體效率。在之前的文章中，小編為大家介紹了一些功率耗散的方法，在本文中，小編將為大家介紹同步整流器
在積分電路的發(fā)展過程中，CBB電容逐漸代替了獨石電容。通過這一改動，通道的頻率得到了較好的改善。那么是否可以大膽假設(shè)，如果將電路中所有的獨石電容都替換為CBB電容，那
由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對于抗干擾的性能要求非常嚴格，需要負壓驅(qū)動進行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路
PCB板的設(shè)計是電子工程師的必修課，而想要設(shè)計出一塊完美的PCB板也并不是看上去的那么容易。一塊完美的PCB板不僅需要做到元件選擇和設(shè)置合理，還需要具備良好的信號傳導(dǎo)性能
摘要：單片機復(fù)位、電腦死機、手機藍屏等生活中常見的現(xiàn)象，其實和電源模塊的供電也有著千絲萬縷的聯(lián)系，針對電源供電故障現(xiàn)象，如何定位背后問題?這里將為大家一一揭曉。目
回想自己剛開始做電源學(xué)習(xí)階段，Buck、Boost、Flyback、半橋、移相全橋、LLC一大堆。從迷茫，艱難中，一步步走出來?，F(xiàn)在都從一線研發(fā)退出了，回想自己起步階段的艱難：各
電容是開關(guān)電源中的再普通不過的器件，它可以用來降低紋波噪聲，可以用來提高電源的穩(wěn)定性以及瞬態(tài)響應(yīng)性，然而，電容的種類繁多，如何通過技巧快速進行選型，而產(chǎn)品可靠性又高，性能又穩(wěn)定呢?
在很多電路應(yīng)用中，無噪聲、良好穩(wěn)定的電源對于實現(xiàn)最佳性能是很重要。壓控振蕩器 (VCO) 和精確的壓控晶體振蕩器 (VCXO) 會迅速響應(yīng)電源的微小變化。鎖相環(huán) (PLL) 需要穩(wěn)定的電源，因為電源上的信號會直接轉(zhuǎn)變成輸出的相位噪聲。RF 放大器需要無噪聲電源，因為這類放大器缺乏抑制電源變化的能力，而且穩(wěn)壓器變化將以不想要的邊帶信號形式出現(xiàn)，降低了信噪比。低噪聲放大器和模數(shù)轉(zhuǎn)換器 (ADC) 不具備無限大的電源抑制能力，穩(wěn)壓器輸出越干凈，性能就越高。上面僅列舉了幾種需要線性穩(wěn)壓器提供無噪聲電源軌的例子，那
熱力學(xué)中常犯的一個錯誤就是選擇和線性穩(wěn)壓器一樣簡易的裝置。當(dāng)設(shè)計即將應(yīng)用時，設(shè)計師通常會意識到這個錯誤。更糟的是，由于新型線性穩(wěn)壓器的新功能和規(guī)格，封裝中消散的
TLV3701是一款由靜態(tài)電流典型值為560nA的電源供電的“納米功耗級比較器”。從圖表1中列出的主要技術(shù)規(guī)格可以看到，在差分輸入過驅(qū)電壓為50mV時，傳播延遲時間，
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