[導讀]昨日臺積電（TSMC）在日本召開了新聞發(fā)布會，此次發(fā)布會由副總裁JackSun主持，會上副總裁JackSun宣布了臺積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。
目前臺積電主要將精力集中于先進的CMOS技術。并且宣布將會向?qū)ｉT的封裝技術轉移
昨日臺積電（TSMC）在日本召開了新聞發(fā)布會，此次發(fā)布會由副總裁JackSun主持，會上副總裁JackSun宣布了臺積電2009年新的R&D發(fā)展戰(zhàn)略。
目前臺積電主要將精力集中于先進的CMOS技術。并且宣布將會向?qū)ｉT的封裝技術轉移，除此以外還包括有模擬電路、RF、電源、圖形感應器以及MEMS電路。
臺積電已經(jīng)與法國半導體法國半導體研究機構CEA-Leti簽訂合作協(xié)議，將參與由CEA-Leti主持的IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計劃，就半導體制造中的無光罩微影技術進行合作。JackSun表示：“通過加入IMAGINE產(chǎn)業(yè)研究計劃，我們將會圍繞這項技術將半導體工業(yè)聯(lián)合起來，加速其在IC生產(chǎn)中的發(fā)展與引進速度?！?/P>
同時根據(jù)介紹，臺積電將會在2010年1季度試水28nm工藝，量產(chǎn)將會在2011年實現(xiàn)。另外臺積電還表示將會至少增加30％的研發(fā)人員數(shù)量，當前臺積電的研發(fā)人員數(shù)量為1800人。與此同時R&D研發(fā)預算也將會增強20％。
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