諾發(fā)系統(tǒng)宣布應(yīng)用在先進(jìn)晶圓級(jí)封裝市場(chǎng)的系列產(chǎn)品
[導(dǎo)讀]諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機(jī)型，這些新機(jī)型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進(jìn)金屬聯(lián)機(jī)技術(shù)相輔相成，并且展開(kāi)晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)的需求及市場(chǎng)。這些機(jī)臺(tái)都整合了一些一般傳統(tǒng)
諾發(fā)系統(tǒng)日前發(fā)表VECTOR PECVD、INOVA PVD和GxT photoresist strip systems的新機(jī)型，這些新機(jī)型可以和諾發(fā)系統(tǒng)的先進(jìn)金屬聯(lián)機(jī)技術(shù)相輔相成，并且展開(kāi)晶圓級(jí)封裝技術(shù)(WLP)的需求及市場(chǎng)。這些機(jī)臺(tái)都整合了一些一般傳統(tǒng)封裝設(shè)備沒(méi)有的新功能，并且持續(xù)維持業(yè)界領(lǐng)先的高生產(chǎn)性。
消費(fèi)性電子要求更小、更強(qiáng)而有力的行動(dòng)電子組件，并且指令周期要和一般邏輯和記憶芯片一樣快，因此驅(qū)動(dòng)著可以降低電力消耗、增加系統(tǒng)表現(xiàn)等的替代封裝技術(shù)之發(fā)展。和傳統(tǒng)的封裝技術(shù)相比，TSV、WLP堆棧等的3D整合技術(shù)可以縮短芯片之間的聯(lián)機(jī)，進(jìn)而得到顯著的芯片運(yùn)算表現(xiàn)。TSVs還可以將多個(gè)芯片垂直堆棧形成一個(gè)三明治結(jié)構(gòu)，同時(shí)也能縮短銅線之間的聯(lián)機(jī)。WLP技術(shù)像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 數(shù)目并降低pitch的需求。所有的3D整合技術(shù)都需要新的金屬、介電材料和應(yīng)用。
諾發(fā)系統(tǒng)已經(jīng)開(kāi)始投資發(fā)展一系列新的產(chǎn)品以符合晶圓級(jí)封裝技術(shù)和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系統(tǒng)，整合了目前最高科技水平的SABRE ElectrofillR技術(shù)，并且設(shè)立了一個(gè)新的機(jī)臺(tái)表現(xiàn)與成本節(jié)省的工業(yè)標(biāo)竿。這個(gè)創(chuàng)新的系統(tǒng)包含了全新的專利技術(shù)，包括無(wú)? 晙}的先進(jìn)表面處理技術(shù)(APT)、可降低銅overburden? MM技術(shù)，以即可改善在高產(chǎn)率下填洞均勻度的TurboCell技術(shù)。SABRE 3D的模塊化結(jié)構(gòu)，可配置多種電鍍及前或后處理槽的各種封裝應(yīng)用，包括TSV技術(shù)、pillar、RDL、bump底下的金屬化、共晶和無(wú)鉛微型焊接使用材料，如銅、錫、鎳、錫和銀。
INOVA 3D PVD system采用諾發(fā)公司的下一代專利HCMR濺射源，加上該公司的IONFLO(tm)技術(shù)，可提供高的高寬比TSVs卓越之銅側(cè)壁覆蓋和超低缺陷能力。離子引起的銅流過(guò)程可使用比傳統(tǒng)PVD更薄的晶種層，就可達(dá)到無(wú)孔洞的電鍍填洞，并可降低大于百分之五十的TSV制造消耗成本。INOVA 3D還提供IONX鈦和鉭源IONX加大碼技術(shù)，擴(kuò)展濺鍍靶材的生命周期將可大于 10000千瓦小時(shí)，因此可以增加機(jī)臺(tái)的正常運(yùn)作時(shí)間，并進(jìn)一步降低在此應(yīng)用上的整體消耗成本。
VECTOR 3D系統(tǒng)采用跟全球已有1000多臺(tái)的VECTOR PECVD相同專利的多站連續(xù)沉積(MSSD)技術(shù)，本MSSD架構(gòu)加上新近開(kāi)發(fā)的PECVD產(chǎn)品流程，讓VECTOR 3D可沉積低成本、低溫薄膜并且兼容于玻璃基板。低溫應(yīng)用包括氮化硅擴(kuò)散阻障層和氧化硅絕緣層以及護(hù)層。該系統(tǒng)的技術(shù)可調(diào)整薄膜的擋水性、電性，使其性質(zhì)可以和高溫的介電薄膜性質(zhì)相當(dāng)。VECTOR 3= 瑣鬙x設(shè)計(jì)也可沉積應(yīng)用在TSV結(jié)構(gòu)(包含via-middle和via-last)的高質(zhì)量介電內(nèi)層。
G3D光阻去除系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是要迅速消除用于制造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，達(dá)到在高寬比TSVs的無(wú)殘留物之光阻去除和清潔。G3D的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)來(lái)自于一個(gè)獨(dú)特高ash rate ICP源的高生產(chǎn)效率、低溫制程、并且深度清潔功能的組合。此ICP來(lái)源提供超均勻電漿，可有一致性的光阻去除和消除殘余物的表現(xiàn)。以有彈性的射頻功率和氣體分布的控制，以及低溫處理能力，G3D提供了一次廣泛的制程調(diào)整范圍以達(dá)到無(wú)殘留物的光阻去除，并且在業(yè)界具有領(lǐng)先的生產(chǎn)率。
諾發(fā)系統(tǒng)半導(dǎo)體系統(tǒng)產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圓級(jí)封裝推動(dòng)對(duì)新技術(shù)的要求，并且還能利用諾發(fā)公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心競(jìng)爭(zhēng)力。我們已經(jīng)應(yīng)用本身先進(jìn)的沉積和光阻去除技術(shù)開(kāi)發(fā)出一系列產(chǎn)品，以符合3D整合的新需求。」
消費(fèi)性電子要求更小、更強(qiáng)而有力的行動(dòng)電子組件，并且指令周期要和一般邏輯和記憶芯片一樣快，因此驅(qū)動(dòng)著可以降低電力消耗、增加系統(tǒng)表現(xiàn)等的替代封裝技術(shù)之發(fā)展。和傳統(tǒng)的封裝技術(shù)相比，TSV、WLP堆棧等的3D整合技術(shù)可以縮短芯片之間的聯(lián)機(jī)，進(jìn)而得到顯著的芯片運(yùn)算表現(xiàn)。TSVs還可以將多個(gè)芯片垂直堆棧形成一個(gè)三明治結(jié)構(gòu)，同時(shí)也能縮短銅線之間的聯(lián)機(jī)。WLP技術(shù)像是micro-bumps、pillars、copper redistribution layers (RDL)可以增加 I/O 數(shù)目并降低pitch的需求。所有的3D整合技術(shù)都需要新的金屬、介電材料和應(yīng)用。
諾發(fā)系統(tǒng)已經(jīng)開(kāi)始投資發(fā)展一系列新的產(chǎn)品以符合晶圓級(jí)封裝技術(shù)和成本限制上的需求，新推出的SABRE 3D系統(tǒng)，整合了目前最高科技水平的SABRE ElectrofillR技術(shù)，并且設(shè)立了一個(gè)新的機(jī)臺(tái)表現(xiàn)與成本節(jié)省的工業(yè)標(biāo)竿。這個(gè)創(chuàng)新的系統(tǒng)包含了全新的專利技術(shù)，包括無(wú)? 晙}的先進(jìn)表面處理技術(shù)(APT)、可降低銅overburden? MM技術(shù)，以即可改善在高產(chǎn)率下填洞均勻度的TurboCell技術(shù)。SABRE 3D的模塊化結(jié)構(gòu)，可配置多種電鍍及前或后處理槽的各種封裝應(yīng)用，包括TSV技術(shù)、pillar、RDL、bump底下的金屬化、共晶和無(wú)鉛微型焊接使用材料，如銅、錫、鎳、錫和銀。
INOVA 3D PVD system采用諾發(fā)公司的下一代專利HCMR濺射源，加上該公司的IONFLO(tm)技術(shù)，可提供高的高寬比TSVs卓越之銅側(cè)壁覆蓋和超低缺陷能力。離子引起的銅流過(guò)程可使用比傳統(tǒng)PVD更薄的晶種層，就可達(dá)到無(wú)孔洞的電鍍填洞，并可降低大于百分之五十的TSV制造消耗成本。INOVA 3D還提供IONX鈦和鉭源IONX加大碼技術(shù)，擴(kuò)展濺鍍靶材的生命周期將可大于 10000千瓦小時(shí)，因此可以增加機(jī)臺(tái)的正常運(yùn)作時(shí)間，并進(jìn)一步降低在此應(yīng)用上的整體消耗成本。
VECTOR 3D系統(tǒng)采用跟全球已有1000多臺(tái)的VECTOR PECVD相同專利的多站連續(xù)沉積(MSSD)技術(shù)，本MSSD架構(gòu)加上新近開(kāi)發(fā)的PECVD產(chǎn)品流程，讓VECTOR 3D可沉積低成本、低溫薄膜并且兼容于玻璃基板。低溫應(yīng)用包括氮化硅擴(kuò)散阻障層和氧化硅絕緣層以及護(hù)層。該系統(tǒng)的技術(shù)可調(diào)整薄膜的擋水性、電性，使其性質(zhì)可以和高溫的介電薄膜性質(zhì)相當(dāng)。VECTOR 3= 瑣鬙x設(shè)計(jì)也可沉積應(yīng)用在TSV結(jié)構(gòu)(包含via-middle和via-last)的高質(zhì)量介電內(nèi)層。
G3D光阻去除系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是要迅速消除用于制造 RDLs和pillars的厚光阻(20-100微米)，達(dá)到在高寬比TSVs的無(wú)殘留物之光阻去除和清潔。G3D的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)來(lái)自于一個(gè)獨(dú)特高ash rate ICP源的高生產(chǎn)效率、低溫制程、并且深度清潔功能的組合。此ICP來(lái)源提供超均勻電漿，可有一致性的光阻去除和消除殘余物的表現(xiàn)。以有彈性的射頻功率和氣體分布的控制，以及低溫處理能力，G3D提供了一次廣泛的制程調(diào)整范圍以達(dá)到無(wú)殘留物的光阻去除，并且在業(yè)界具有領(lǐng)先的生產(chǎn)率。
諾發(fā)系統(tǒng)半導(dǎo)體系統(tǒng)產(chǎn)品執(zhí)行副總裁Dr. Fusen Chen表示：「 晶圓級(jí)封裝推動(dòng)對(duì)新技術(shù)的要求，并且還能利用諾發(fā)公司在ECD、PECVD、 PVD、photoresist strip的核心競(jìng)爭(zhēng)力。我們已經(jīng)應(yīng)用本身先進(jìn)的沉積和光阻去除技術(shù)開(kāi)發(fā)出一系列產(chǎn)品，以符合3D整合的新需求。」
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