恩智浦半導體（NXP Semiconductors）最近宣布，在加利福尼亞州阿納海姆舉行的“2010年IEEE MTT-S國際微波研討會”上，展示了其用于新一代基站的最新高性能射頻和混合信號產(chǎn)品。特色產(chǎn)品包括恩智浦新型高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器組合——全球首個支持JEDEC JESD204A串行接口的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——現(xiàn)已批量發(fā)售。恩智浦還展示了其基于SiGe:C技術(shù)的廣泛的射頻和中頻放大器產(chǎn)品組合，包括低噪聲放大器（LNAs），以及固定和可變增益放大器，能夠?qū)崿F(xiàn)無線基礎(chǔ)設(shè)施TRx無線電設(shè)計上的更高集成度。此外，恩智浦也展示了其第七代 LDMOS功率晶體管，以及一個Doherty功率放大器的綜合產(chǎn)品組合，其中包括業(yè)界首個三路900MHz Doherty放大器，和一個高達600W的單封裝Doherty，這是一個可在大功率范圍保持高效率的緊湊型器件。
恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業(yè)務(wù)總經(jīng)理John Croteau表示，“隨著無線數(shù)據(jù)流量的巨幅增長，移動基礎(chǔ)設(shè)施供應商正在承受著將高性價比和低功耗的基站快速推向市場的巨大壓力。從分立器件到模塊構(gòu)件和專用標準產(chǎn)品(ASSP)，恩智浦提供一系列的高性能射頻產(chǎn)品組合，簡化了更緊湊和更高效解決方案的設(shè)計過程”?！巴ㄟ^我們在JESD204A、SiGe:C和LDMOS等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導地位，以及我們對系統(tǒng)層面架構(gòu)創(chuàng)新的關(guān)注，恩智浦填補了行業(yè)內(nèi)的各項空白，從低功耗電網(wǎng)和射頻拉遠的部署，到相控陣天線，以及很多其他的特別創(chuàng)新?！?
特色產(chǎn)品包括：
高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs在行業(yè)內(nèi)首次運用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅減少數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器與VLSI邏輯器件之間的互聯(lián)信號數(shù)量外，還能夠支持多數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器通道的同步結(jié)合。JEDEC JESD204A接口解決了棘手的系統(tǒng)設(shè)計難題，提高了系統(tǒng)的可靠性，并減少了開發(fā)時間和材料用量（BOM）成本。恩智浦JESD204A接口CGV轉(zhuǎn)換器與來自Altera, Lattice及 Xilinx基于SERDES的FPGA實現(xiàn)互通操作。恩智浦ADC提供卓越的85dBc SFDR線性性能；比目前可用的典型高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器高出5dB，且實現(xiàn)低功耗優(yōu)化。高達16位，125 Msps 采樣率的恩智浦ADC支持很高的頻率輸入范圍，它把“射頻轉(zhuǎn)換器” 這一新的產(chǎn)品類別引入業(yè)界，并已得到了認可。
先進的小信號射頻器件。恩智浦將展示其射頻小信號的完整產(chǎn)品組合，其中包括基于SiGe:C工藝的突破性低噪聲放大器系列產(chǎn)品，它滿足無線基礎(chǔ)設(shè)施非?？量痰囊螅?NF小于0.7dB，20dB增益和33dBm IP3，實現(xiàn)了更高的集成度。其他重點包括通過恩智浦全面射頻測試的基于硅工藝的固定和可變增益高線性度放大器產(chǎn)品系列，適用于IF和RF頻段，可實現(xiàn)P1dB最高達33dBm，增益控制范圍超過30dB，模擬和數(shù)字SPI控制接口，OIP3達45dBm以上。
最佳射頻功率產(chǎn)品。恩智浦將展示其第七代 LDMOS大功率晶體管組合，其功效表現(xiàn)出色，單端封裝200W，推挽（雙路）封裝250W和300W。如同所有的恩智浦LDMOS功率晶體管，第七代LDMOS高功率晶體管保障了基站可靠運行所需的耐用性。此外，恩智浦提供了全面的最佳Doherty功率放大器，覆蓋了無線基礎(chǔ)設(shè)施的整個頻率范圍，從 400到3500MHz ，這在業(yè)界是最廣的。通過均在900兆赫環(huán)境下運行的業(yè)界首個三路Doherty放大器和基于恩智浦50V LDMOS處理技術(shù)的第一個單封裝600W Doherty功率放大器，恩智浦為射頻設(shè)計工程師提供了最佳選擇，并使非常緊湊的基站成為可能。三路Doherty電路可達52.7dBm峰值（平均功率44.1dBm），并具有49.2%的高效率。目前，600W（57.8dbBm）單封裝電路在帶內(nèi)49.2dBm輸出功率狀態(tài)下，可實現(xiàn)超過43%的效率。此外，恩智浦將展示其獨有的專為緊湊型射頻拉遠和天線陣列設(shè)計的完全集成Doherty放大器。
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