歐洲項(xiàng)目推動(dòng)功率微電子未來
[導(dǎo)讀]LASTPOWER項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效
LASTPOWER項(xiàng)目組公布了為期三年由歐盟資助的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目開發(fā)成果。以研發(fā)高成本效益且高可靠性的功率電子技術(shù)為目標(biāo)，涉及工業(yè)、汽車、消費(fèi)電子、再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和電信應(yīng)用。項(xiàng)目開發(fā)成果讓歐洲擠身于世界高能效功率芯片研究商用的最前沿。
歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(huì)（ENIAC）聯(lián)盟（JU）是納米工業(yè)上市公司與私營(yíng)企業(yè)的聯(lián)盟組織，于2010年4月啟動(dòng)了LASTPOWER項(xiàng)目，聚集了寬帶隙半導(dǎo)體（SiC和GaN）領(lǐng)域的私營(yíng)企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心。該聯(lián)盟成員包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體（意大利）、LPE/ETC（意大利）、InstituteforMicroelectronicsandMicrosystemsoftheNationalResearchCouncil–IMM-CNR（意大利）、FoundationforResearch&Technology-Hellas–FORTH（希臘）,NOVASiC（法國(guó)）、ConsorzioCataniaRicerche-CCR（意大利）、InstituteofHighPressurePhysics–Unipress（波蘭）、UniversitàdellaCalabria（意大利）、SiCrystal（德國(guó)）、SEPSTechnologies（瑞典）、SenSiC（瑞典）、Acreo（瑞典）、,AristotleUniversityofThessaloniki-AUTH（希臘）。
碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面，材料質(zhì)量兼容項(xiàng)目啟動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)100mm4°偏軸材料。在LPE/ETC，這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長(zhǎng)，適用于加工600-1200VJBS（結(jié)勢(shì)壘肖特基）二極管和MOSFET，項(xiàng)目組為在大面積（150mm）4H-SiC上生長(zhǎng)外延開發(fā)了一個(gè)創(chuàng)新的CVD（化學(xué)汽相淀積）反應(yīng)堆。
外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)線上制造JBS結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進(jìn)的4°偏軸材料相當(dāng)。在這種情況下，關(guān)鍵工序是在NOVASiC上實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）-StepSiC®填充和平面化，對(duì)于外延層生長(zhǎng)前的襯底制備和器件活動(dòng)層表面粗糙度亞納米控制，該工序是一個(gè)關(guān)鍵問題。在這個(gè)項(xiàng)目?jī)?nèi)，同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長(zhǎng)能力。
項(xiàng)目組與意法半導(dǎo)體、IMM-CNR公司進(jìn)行SiO2/SiC接口的合作研發(fā)，以改進(jìn)4H-SiCMOSFET晶體管的溝道遷移率。
最后，項(xiàng)目組與Acreo、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiCJFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊，為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。
LASTPOWER項(xiàng)目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN器件的研究。特別是意法半導(dǎo)體在150mmSi襯底上生長(zhǎng)AlGaN/GaNHEMT外延層結(jié)構(gòu)的開發(fā)取得了成功，外延層長(zhǎng)至3µm，抗擊穿電壓能力高達(dá)200V。LASTPOWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導(dǎo)體合作，采用一種“無金”方法開發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaNHEMT器件。該制程模塊完全兼容意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程，目前正在整合至HEMT生產(chǎn)線。項(xiàng)目成員在材料生長(zhǎng)和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動(dòng)，讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標(biāo)邁出重要一步，這兩項(xiàng)技術(shù)在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。
歐洲納電子計(jì)劃顧問委員會(huì)（ENIAC）聯(lián)盟（JU）是納米工業(yè)上市公司與私營(yíng)企業(yè)的聯(lián)盟組織，于2010年4月啟動(dòng)了LASTPOWER項(xiàng)目，聚集了寬帶隙半導(dǎo)體（SiC和GaN）領(lǐng)域的私營(yíng)企業(yè)、大學(xué)和公共研究中心。該聯(lián)盟成員包括項(xiàng)目協(xié)調(diào)人意法半導(dǎo)體（意大利）、LPE/ETC（意大利）、InstituteforMicroelectronicsandMicrosystemsoftheNationalResearchCouncil–IMM-CNR（意大利）、FoundationforResearch&Technology-Hellas–FORTH（希臘）,NOVASiC（法國(guó)）、ConsorzioCataniaRicerche-CCR（意大利）、InstituteofHighPressurePhysics–Unipress（波蘭）、UniversitàdellaCalabria（意大利）、SiCrystal（德國(guó)）、SEPSTechnologies（瑞典）、SenSiC（瑞典）、Acreo（瑞典）、,AristotleUniversityofThessaloniki-AUTH（希臘）。
碳化硅主要研發(fā)成果基于SiCrystal公司展示的偏軸2°截止角的150mm直徑的大面積4H-SiC襯底。在晶體結(jié)構(gòu)和表面粗糙度方面，材料質(zhì)量兼容項(xiàng)目啟動(dòng)時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)100mm4°偏軸材料。在LPE/ETC，這些襯底用于中度摻雜的外延層的外延生長(zhǎng)，適用于加工600-1200VJBS（結(jié)勢(shì)壘肖特基）二極管和MOSFET，項(xiàng)目組為在大面積（150mm）4H-SiC上生長(zhǎng)外延開發(fā)了一個(gè)創(chuàng)新的CVD（化學(xué)汽相淀積）反應(yīng)堆。
外延層質(zhì)量讓意法半導(dǎo)體能夠在工業(yè)生產(chǎn)線上制造JBS結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管。第一批晶圓特征分析顯示，電氣性能與先進(jìn)的4°偏軸材料相當(dāng)。在這種情況下，關(guān)鍵工序是在NOVASiC上實(shí)現(xiàn)化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）-StepSiC®填充和平面化，對(duì)于外延層生長(zhǎng)前的襯底制備和器件活動(dòng)層表面粗糙度亞納米控制，該工序是一個(gè)關(guān)鍵問題。在這個(gè)項(xiàng)目?jī)?nèi)，同一企業(yè)還取得了用于加工MOSFET和JFET的外延生長(zhǎng)能力。
項(xiàng)目組與意法半導(dǎo)體、IMM-CNR公司進(jìn)行SiO2/SiC接口的合作研發(fā)，以改進(jìn)4H-SiCMOSFET晶體管的溝道遷移率。
最后，項(xiàng)目組與Acreo、FORTH合作開發(fā)出了用于高溫4H-SiCJFET和MOSFET的全新技術(shù)模塊，為可靠封裝解決方案模塑化合物和無鉛芯片連接材料研究提供CCR支持。
LASTPOWER項(xiàng)目還從事在功率電子應(yīng)用中使用基于GaN器件的研究。特別是意法半導(dǎo)體在150mmSi襯底上生長(zhǎng)AlGaN/GaNHEMT外延層結(jié)構(gòu)的開發(fā)取得了成功，外延層長(zhǎng)至3µm，抗擊穿電壓能力高達(dá)200V。LASTPOWER與IMM-CNR、Unipress和意法半導(dǎo)體合作，采用一種“無金”方法開發(fā)常關(guān)型AlGaN/GaNHEMT器件。該制程模塊完全兼容意法半導(dǎo)體生產(chǎn)線要求的芯片制造流程，目前正在整合至HEMT生產(chǎn)線。項(xiàng)目成員在材料生長(zhǎng)和制造工藝方面開展的卓有成效的合作互動(dòng)，讓業(yè)界向單片集成GaN和SiC器件的目標(biāo)邁出重要一步，這兩項(xiàng)技術(shù)在2°偏軸4H-SiC襯底上均取得成功。
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