• 法拉儲(chǔ)能，第 2 部分：超級(jí)電容器和電池

    本文前一部分建立了超級(jí)電容器的背景，并用簡(jiǎn)單的術(shù)語(yǔ)解釋了它們的結(jié)構(gòu);顯然，這是一個(gè)具有深厚物理、化學(xué)、材料科學(xué)考慮和制造問(wèn)題的組件。第一種廣泛使用的標(biāo)準(zhǔn)超級(jí)電容器于 20 世紀(jì) 70 年代末和 80 年代初進(jìn)入市場(chǎng)。它們主要用于易失性存儲(chǔ)器的內(nèi)存?zhèn)浞?，但由于成本和性能?wèn)題，它們并未被大眾市場(chǎng)接受。然而，到了 20 世紀(jì) 90 年代，超級(jí)電容器以適中的價(jià)格上市，具有卓越的性能和可靠性，因此開(kāi)始被常規(guī)設(shè)計(jì)到系統(tǒng)中。相關(guān)的維基百科參考資料對(duì)其歷史進(jìn)行了相當(dāng)詳細(xì)的介紹，同樣重要的是，引用了許多信譽(yù)良好的來(lái)源，包括行業(yè)媒體上的新聞和學(xué)術(shù)期刊上的論文。

  • 法拉儲(chǔ)能，第 1 部分：超級(jí)電容器基礎(chǔ)知識(shí)

    許多系統(tǒng)使用可用的線路供電或可更換電池供電。然而，在其他系統(tǒng)中，許多系統(tǒng)需要不斷捕獲、存儲(chǔ)然后輸送能量來(lái)為系統(tǒng)供電。電量范圍從通過(guò)物聯(lián)網(wǎng)和智能電表等遠(yuǎn)程監(jiān)控設(shè)備的能量收集提供的微量到更大規(guī)模的電網(wǎng)級(jí)系統(tǒng)。情況是，在能量生成或捕獲時(shí)立即“實(shí)時(shí)”利用來(lái)自各種來(lái)源的能量是一回事。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，通常需要一個(gè)能量存儲(chǔ)子系統(tǒng)，以便將捕獲的任何能量存儲(chǔ)起來(lái)以供日后使用。

  • 電源浪涌保護(hù)需要注意什么

    任何由主電源供電的電氣設(shè)備都容易受到電壓浪涌的影響。這些完全不可預(yù)測(cè)的事件可能以多種形式出現(xiàn)：從正常運(yùn)行期間的適度功率尖峰到外部雷擊引起的巨大功率浪涌。為了防止損壞和停機(jī)，電氣設(shè)備和電路需要配備足夠的浪涌保護(hù)。

  • 電解電容器為何會(huì)爆炸

    打開(kāi)一個(gè)普通的 LED 燈泡，你經(jīng)常會(huì)發(fā)現(xiàn)一個(gè)電解電容器占據(jù)了交流線路輸入的位置。雖然照明級(jí) LED 的使用壽命通常超過(guò) 10,000 小時(shí)，但其底座中的電解電容器可能使用壽命不會(huì)那么長(zhǎng)。造成這種不良后果的原因可能有很多種。

  • 超級(jí)電容器系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素

    超級(jí)電容器可以提供更多功能：更高的功率密度、更大的法拉、更長(zhǎng)的循環(huán)壽命等等。但它們也需要更復(fù)雜的解決方案來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳性能。許多設(shè)計(jì)考慮因素包括管理超級(jí)電容器放電、優(yōu)化超級(jí)電容器充電，以及在超級(jí)電容器模塊串聯(lián)配置的情況下，在電池之間提供有效的電壓平衡。

  • WBG 功率轉(zhuǎn)換器的電流感應(yīng)挑戰(zhàn)是什么？

    WBG的高頻切換帶來(lái)了與帶寬和速度相關(guān)的挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)可以通過(guò)新的傳感技術(shù)來(lái)解決。此外，氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件對(duì)短路條件的耐受性和電流傳感要求不同。

  • 軟開(kāi)關(guān)和 SiC 器件如何改善功率轉(zhuǎn)換

    效率和功率密度都是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中的重要因素。每個(gè)造成能量損失的因素都會(huì)產(chǎn)生熱量，而這些熱量需要通過(guò)昂貴且耗電的冷卻系統(tǒng)來(lái)去除。軟開(kāi)關(guān)和碳化硅 (SiC) 技術(shù)的結(jié)合可以提高開(kāi)關(guān)頻率，從而可以減小臨時(shí)存儲(chǔ)能量的無(wú)源元件的尺寸和數(shù)量，并平滑開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器的輸出。SiC 還為產(chǎn)生更少熱量并利用更小散熱器的轉(zhuǎn)換器提供了基礎(chǔ)。

  • 如何量化 SiC FET 的脈沖電流能力

    寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體器件，例如碳化硅 (SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，以其最小的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)損耗而聞名。除了這些特性之外，該技術(shù)還可以承受高脈沖電流，在固態(tài)斷路器等應(yīng)用中特別有優(yōu)勢(shì)。本文深入探討了 SiC FET 的特性，并與傳統(tǒng)硅解決方案進(jìn)行了比較分析。

    電源
    2024-10-20
    SiC FET

  • 雙向GaN功率IC有何用途？

    雙向 GaN 電源 IC 適用于各種應(yīng)用，從電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和可再生能源逆變器到 USB 充電器、便攜式電子設(shè)備、電動(dòng)自行車等。本文介紹了雙向 GaN 開(kāi)關(guān)的應(yīng)用可能性示例。

    電源
    2024-10-20
    GaN HEMT

  • 相控、雙向和旁路晶閘管如何工作？

    晶閘管是四層半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，具有交替的 P 型和 N 型材料層。雖然所有晶閘管都具有相同的基本結(jié)構(gòu)，但可以修改其實(shí)現(xiàn)和封裝的細(xì)節(jié)以滿足特定應(yīng)用的需求。

  • PLC與變頻器搭配使用的方法和要點(diǎn)

    PLC與變頻器的搭配使用在工業(yè)控制中非常常見(jiàn)，主要用于實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)的精確控制和調(diào)節(jié)。

  • 電源模塊紋波噪聲的測(cè)試方法

    那么模塊的紋波噪聲該如何降低?普科科技從紋波噪聲的波形、測(cè)試方式、模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用的角度出發(fā)，闡述幾種有效降低輸出紋波噪聲的方法。

  • 控制電機(jī)的啟動(dòng)電流，實(shí)現(xiàn)軟啟動(dòng)

    變頻調(diào)速系統(tǒng)在各類中小型企業(yè)的工業(yè)生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用。這都是得益于我們可以變頻調(diào)速方案可以提供精確的速度控制，實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)調(diào)速。

  • 基于SIC的MOS、硅MOS和IGBT的特性對(duì)比

    高頻工作，可以減小電源系統(tǒng)中電容以及電感或變壓器的體積，降低電源成本，讓電源實(shí)現(xiàn)小型化，美觀化。從而實(shí)現(xiàn)電源的升級(jí)換代。

    電源
    2024-10-20
    IGBT MOS 硅MOS

  • 逆變電路的基本組成 逆變電路的工作原理

    直流電源輸入：逆變電路的輸入端連接一個(gè)直流電源，如太陽(yáng)能電池板或蓄電池。直流電源為逆變電路提供電能。

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