• 康寧與 Menlo Micro 合作制作電子開關(guān)的技術(shù)基礎(chǔ)

    Menlo Micro 的創(chuàng)始人在還是 GE 員工時(shí)就開始了與康寧的研發(fā)工作。該團(tuán)隊(duì)花了數(shù)年時(shí)間從頭開始開發(fā)玻璃工藝。憑借 GE 超過 4000 萬美元的支持和超過 12 年的研發(fā)，Menlo Micro 團(tuán)隊(duì)開發(fā)了一種技術(shù)，最終將引導(dǎo)他們找到當(dāng)今電子開關(guān)的解決方案。他們?cè)?GE 的經(jīng)歷激發(fā)了一種新的思維方式，從而產(chǎn)生了一種新的開關(guān)類別，能夠經(jīng)濟(jì)高效地?cái)U(kuò)展微機(jī)械開關(guān)制造。

  • Navitas 在 GaN 半導(dǎo)體領(lǐng)域的設(shè)計(jì)之旅

    Navitas Semiconductor 是一家主要的氮化鎵 (GaN) 功率器件供應(yīng)商，在拉斯維加斯舉行的 CES 2023 上展示了其最新產(chǎn)品。這些基于 GaN 的設(shè)備涵蓋從 20-W 手機(jī)充電器到 2-kW 數(shù)據(jù)中心電源和 20-kW 電動(dòng)汽車 (EV) 充電器到兆瓦級(jí)并網(wǎng)產(chǎn)品。

  • 聚硫酸鹽可廣泛用于各種高性能電子元件的原料

    根據(jù)斯克里普斯研究所和勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的化學(xué)家和材料科學(xué)家的一項(xiàng)研究，一種可以形成柔性薄膜的新型聚硫酸鹽化合物具有的特性使其成為許多高性能電子元件的首選材料。 LBNL)。

  • 最新的收購為 NI 帶來了 MultiSim 工具

    得克薩斯州奧斯汀——為了更緊密地集成經(jīng)常分離的設(shè)計(jì)和測(cè)試島，美國國家儀器公司 (National Instruments Corp.) 收購了總部位于多倫多的 Electronics Workbench，后者是廣受歡迎的 MultiSim 板級(jí)仿真包的供應(yīng)商，兩家公司將于今天宣布。 出售條款沒有披露。MultiSim 擁有大約 180,000 個(gè)席位，大致分為商業(yè)印刷電路板設(shè)計(jì)師以及兩年制和四年制工程學(xué)院的教授和學(xué)生。

  • 超導(dǎo)性在“魔角”石墨烯中開啟和關(guān)閉

    一個(gè)快速的電脈沖完全翻轉(zhuǎn)了材料的電子特性，開辟了通往超快、受大腦啟發(fā)的超導(dǎo)電子產(chǎn)品的途徑。 物理學(xué)家發(fā)現(xiàn)了一種在魔角石墨烯中開啟和關(guān)閉超導(dǎo)性的新方法。這一發(fā)現(xiàn)可能會(huì)導(dǎo)致超快、節(jié)能的超導(dǎo)晶體管用于“神經(jīng)形態(tài)”電子產(chǎn)品，其工作方式類似于人腦中神經(jīng)元的快速開/關(guān)放電。這一發(fā)現(xiàn)可能會(huì)導(dǎo)致超快、高能效的超導(dǎo)晶體管用于神經(jīng)形態(tài)設(shè)備——電子設(shè)備的設(shè)計(jì)方式類似于人腦中神經(jīng)元的快速開/關(guān)放電。

  • 下一代氮化鎵 (GaN)半橋 IC 可以提供 2 MHz 的開關(guān)頻率

    傳統(tǒng)上，電源設(shè)計(jì)人員必須使用分立晶體管和多個(gè)外部元件(例如驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、傳感器、自舉電路和外圍設(shè)備)構(gòu)建半橋電路。Navitas Semiconductor最近宣布推出業(yè)界首款 GaNSense 半橋功率 IC，采用緊湊型 6×8-mm 表面貼裝 PQFN 封裝。

  • SiC 與半導(dǎo)體垂直整合的復(fù)興，先進(jìn) SiC 解決方案的需求不斷增長(zhǎng)

    碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體在處理高功率和導(dǎo)熱方面比電動(dòng)汽車 (EV) 系統(tǒng)和能源基礎(chǔ)設(shè)施中的傳統(tǒng)硅更有效的能力現(xiàn)已得到廣泛認(rèn)可。SiC 器件有助于更有效地將電力從電池傳輸?shù)?EV 系統(tǒng)組件中的電機(jī)，從而將 EV 的行駛里程增加 5% 至 10%。

  • SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事以及以后發(fā)展的預(yù)測(cè)

    在過去的幾十年里，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進(jìn)步以發(fā)展、行業(yè)接受度的提高和有望帶來數(shù)十億美元的收入為特征。第一個(gè)商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，該行業(yè)有望超過 40 億美元。

  • 碳化硅 (SiC) 用于各種應(yīng)用已有 100 多年的歷史,為什么SiC 突然流行起來

    碳化硅 (SiC) 用于各種應(yīng)用已有 100 多年的歷史。然而，如今半導(dǎo)體材料比以往任何時(shí)候都更受歡迎，這在很大程度上是由于其在工業(yè)應(yīng)用中的使用。

  • SiC 半導(dǎo)體功率器件對(duì)能源效率的重要性

    電力電子新技術(shù)的發(fā)展已將工業(yè)市場(chǎng)引向其他資源以優(yōu)化能源效率。硅和鍺是當(dāng)今用于生產(chǎn)半導(dǎo)體的兩種主要材料。損耗和開關(guān)速度方面的有限發(fā)展已將技術(shù)引向新的寬帶隙資源，例如碳化硅 (SiC)。

  • 電子保險(xiǎn)絲：為更高電流應(yīng)用預(yù)熱

    作為一個(gè)謹(jǐn)慎的以模擬為中心的工程師，我一直很喜歡傳統(tǒng)的基于熱的保險(xiǎn)絲，并且由于它們的有源元件而對(duì)電子保險(xiǎn)絲(也寫為 e-fuses 或 eFuses)有些懷疑。畢竟，在可靠性方面，簡(jiǎn)單幾乎總是更好，而且沒有什么比熱熔斷器在功能上更簡(jiǎn)單的了。我并不是要從技術(shù)上貶低它們，因?yàn)樗鼈儗?shí)際上融合了先進(jìn)的材料科學(xué)和技術(shù);它們的功能很簡(jiǎn)單。

  • 關(guān)于輻射發(fā)射的 EMC 預(yù)一致性測(cè)試的問題

    對(duì)于許多與 EMC 有關(guān)的問題，最佳答案是“視情況而定”，因此可能并非所有情況都只有一個(gè)答案。我會(huì)嘗試在答案中包含我的假設(shè)。為了清楚起見，對(duì)問題進(jìn)行了編輯。

  • 通過最新 GaN 器件提高設(shè)備電源效率，降低能源消耗

    從 EPC 的角度來看，我們將通過我們的 GaN 器件推出全新一代技術(shù)。所以那將是一個(gè)令人興奮的發(fā)布。我們顯然也期待與我們?cè)谄囆袠I(yè)以及最近真正起飛的太陽能行業(yè)的合作伙伴公司討論我們?cè)?GaN 方面的所有新技術(shù)。因此，電源解決方案的設(shè)計(jì)人員面臨挑戰(zhàn)，并且越來越多地轉(zhuǎn)向所謂的寬帶隙技術(shù)來克服硅的局限性。其中之一是 GaN，您非常了解它。所以正如你在一篇文章中所說，GaN技術(shù)有一個(gè)硅無法比擬的優(yōu)勢(shì)。這就是將功率器件與信號(hào)和數(shù)字器件集成的能力。那么你在哪里押注 GaN，為什么?

  • 電源管理方面的下一個(gè)挑戰(zhàn),效率和熱效應(yīng)

    我們討論電源管理方面的下一個(gè)挑戰(zhàn)，例如效率、熱管理和工程中重要的特性。那么最關(guān)鍵的是什么，你對(duì)市場(chǎng)有什么建議? 歸根結(jié)底，實(shí)際上一切都與效率有關(guān)，不是嗎?正確的?無論您是在談?wù)撛O(shè)備本身的效率，還是正在充電的設(shè)備，您提出的所有這些問題、熱管理、密度，所有這些都真正下降，無法實(shí)現(xiàn)或無法改進(jìn)更高的效率。我相信，我讀過美國家庭平均擁有大約 25 臺(tái)聯(lián)網(wǎng)設(shè)備。所以這些是設(shè)備，每一個(gè)都需要充電，其中很多是每天充電，有些是永久充電。因此，僅在美國，更不用說歐洲、中國等地的數(shù)億家庭，這就是一個(gè)巨大的負(fù)擔(dān)。所以它真的需要被驅(qū)動(dòng)，對(duì)嗎?它需要在效率方面得到全方位的推動(dòng)。

  • 垂直 GaN 技術(shù)：GaN 在橫向和縱向技術(shù)方面的主要技術(shù)差異

    垂直結(jié)構(gòu)通常被認(rèn)為有利于高電壓、高功率器件，因?yàn)樗阌陔娏鲾U(kuò)散和熱管理，并允許在不增大芯片尺寸的情況下實(shí)現(xiàn)高電壓幾乎所有商用的MV/HV Si和SiC功率器件都是基于垂直結(jié)構(gòu)此外，與GaN-on-Si外延相比，GaN-on-GaN同質(zhì)外延層具有更低的位錯(cuò)密度，(VON)是由GaN的大能帶隙引起的。先進(jìn)的sbd是非?？扇〉?，因?yàn)樗鼈兘Y(jié)合了肖特基樣正向特性(具有低VON)和pn樣反向特性(峰值電場(chǎng)從表面移到半導(dǎo)體中)。

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