本文深入探討了反激式開關電源中次級整流二極管過熱的問題。首先介紹了反激式開關電源的工作原理以及次級整流二極管在其中的作用,詳細分析了導致二極管過熱的多種因素,包括二極管選型不當、電流過大、散熱不良、反向恢復特性不佳以及電路設計不合理等。針對這些問題,提出了相應的解決措施,如合理選型、優(yōu)化電路設計、加強散熱管理等,并結合實際案例進行了說明,旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的理論與實踐指導。
本文深入探討了開關電源并聯(lián)輸出電感嘯叫問題。首先介紹了開關電源的基本工作原理以及電感在其中的作用,詳細分析了導致電感嘯叫的多種因素,包括電感飽和、電流紋波、開關頻率及其諧波、機械共振等,并結合理論與實際應用,提出了一系列有效的解決措施,旨在為電子工程師解決這一常見問題提供全面的指導和參考。
在電力電子領域,拓撲結構的選擇對于電源系統(tǒng)的性能和效率至關重要。LCC(電感電容耦合諧振變換器)和 LLC(電感電容電感諧振變換器)是兩種常見的拓撲結構,它們在許多應用場景中展現(xiàn)出獨特的優(yōu)勢。隨著高壓應用需求的不斷增長,深入了解這兩種拓撲結構的特點和區(qū)別,對于選擇合適的拓撲以實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的高壓電源系統(tǒng)具有重要意義。
隨著可再生能源和電力電子技術的發(fā)展,單相逆變器在光伏發(fā)電、風能發(fā)電、儲能系統(tǒng)等應用中發(fā)揮著不可或缺的作用。逆變器的主要功能是將直流電源(如光伏電池板)轉換為交流電源,以便供給家庭或電網使用。在這個過程中,調制方法的選擇對逆變器的效率具有顯著影響。本文將深入探討單相逆變器的調制方法,并重點分析何種調制方法可以達到最高效率。
隨著移動設備的普及和快速發(fā)展,對充電速度的要求越來越高。快充技術不斷演進,其中 PD(功率傳輸協(xié)議)快充成為主流。在 PD 快充系統(tǒng)中,VBUS(電壓總線) MOS 管起著關鍵作用。它不僅影響著充電的效率和安全性,還對整個系統(tǒng)的性能有著重要影響。
在電子電路中,變壓器降壓后整流是常見的電源處理方式。電解電容在其中起著關鍵作用,其值的選擇直接影響到電源的穩(wěn)定性、紋波大小以及電路的性能。合理選擇電解電容值對于確保電路正常運行至關重要。
推挽升壓電路在各種電子設備中廣泛應用,它能夠將輸入的直流電壓轉換為較高的直流電壓。然而,在實際運行過程中,MOS 管發(fā)熱嚴重的問題常常困擾著工程師們。這不僅影響電路的性能和穩(wěn)定性,還可能導致設備故障。因此,深入分析 MOS 管發(fā)熱的原因具有重要意義。
傳導輻射干擾(Conducted Emission Interference)是現(xiàn)代電子設備在工作過程中普遍面臨的一種干擾現(xiàn)象。它是指電磁噪聲通過電源線或信號線等導體傳播,從而影響其他設備的性能和穩(wěn)定性。隨著電子設備的廣泛應用,尤其是無線通信、自動化控制和智能家居等領域,如何有效降低傳導輻射干擾,成為了設計工程師和技術人員需要面對的重要挑戰(zhàn)。本文將介紹一些實用的小技巧,以幫助有效降低傳導輻射干擾。
在 CMOS 和寬帶隙半導體技術的進步中,您很容易忘記 William Shockley 于 1949 年發(fā)明的第一個晶體管是雙極結型晶體管 (BJT)。盡管它們已經不再流行,但這些不起眼的設備仍然在各種類型的電子設備中大量高效可靠地運行。事實上,在某些應用中,BJT 的性能可以超越更杰出的 CMOS 同類產品。 BJT 技術的最新改進將使它們成為半導體技術領域的重要組成部分。
反激式轉換器具有眾多優(yōu)點,包括成本最低的隔離式電源轉換器、輕松提供多個輸出電壓、簡單的初級側控制器以及高達 300W 的功率傳輸。反激式轉換器用于許多離線應用,從電視到手機充電器以及電信和工業(yè)應用。它們的基本操作可能看起來令人生畏,而且設計選擇很多,特別是對于那些以前沒有設計過的人來說。讓我們看看 53 VDC 至 12V、5A 連續(xù)導通模式 (CCM) 反激式的一些關鍵設計注意事項。
英飛凌的單片雙向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技術,代表了電力電子領域的一項非凡創(chuàng)新,特別是在實現(xiàn)單級功率轉換方面。這些 BDS 有助于開發(fā)具有更少組件、更低成本和簡化設計的轉換器,與傳統(tǒng)兩級方法相比具有顯著優(yōu)勢。
氮化鎵(GaN)基功率半導體在功率轉換方面具有許多優(yōu)勢。它們在許多應用中的使用不斷增加,例如移動設備的電源適配器和數(shù)據(jù)中心的電源。橫向高電子遷移率晶體管 (HEMT) 是應用最廣泛的 GaN 器件。該器件的退化機制已被廣泛研究并被納入可靠性測試標準。
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技術固有的特性(例如高電壓能力、較低的導通電阻、耐高溫操作以及相對于硅更高的功率密度)而越來越受到電源系統(tǒng)設計人員的歡迎。因此,基于 SiC 的轉換器和逆變器是電池供電車輛 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他應用的最佳選擇。
電源是任何電子設備的重要組成部分。 Texas Instruments 的 TPS54302 是一款微型 SOT23-6、高效、5ms 內部軟啟動、3A 同步、集成 40mR MOSFET 降壓轉換器芯片,具有 4.5V 至 28V 的寬輸入電壓范圍,無續(xù)流二極管和低 EMI 值。這些功能使 TPS54302 成為設計可調電源和各種應用的絕佳選擇。
所有降壓轉換器的輸入端都需要電容器。實際上,在完美的世界中,如果電源具有零輸出阻抗和無限電流容量,并且走線具有零電阻或電感,則不需要輸入電容器。但由于這種可能性極小,因此最好假設您的降壓轉換器需要輸入電容器。