• 使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第三部分使用超低電源電壓驅(qū)動

    在 5V、3.3V 或更低電壓下運(yùn)行的低壓系統(tǒng)通常需要具有 1V 或更低閾值或開啟電壓的有源 MOSFET 器件。對于模擬設(shè)計，該閾值電壓直接影響工作信號電壓范圍。

  • 使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第二部分EPAD MOSFET 關(guān)鍵性能特征

    EPAD MOSFET 專為實現(xiàn)器件電氣特性的出色匹配而設(shè)計。這些器件專為實現(xiàn)最小失調(diào)電壓和差分熱響應(yīng)而構(gòu)建。由于集成在同一塊單片芯片上，它們還具有出色的溫度系數(shù)跟蹤特性。

  • 使用超低電壓 MOSFET 陣列進(jìn)行設(shè)計，第一部分EPAD MOSFET器件介紹

    在電路設(shè)計中追求更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導(dǎo)體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并且可能阻礙了他們將可用電壓范圍最大化，否則會使新電路獲得成功。

  • 功率半導(dǎo)體：鍺和 SiGe 可能獲得另一次機(jī)會

    有時，一項引發(fā)根本性或戲劇性進(jìn)步的技術(shù)或技術(shù)很快就會被最初創(chuàng)新的變化或改進(jìn)所取代，鍺基晶體管就是一個很好的例子。75 年前的 1947 年，當(dāng)約翰·巴丁 (John Bardeen)、沃爾特·布拉頓 (Walter Brattain) 和威廉·肖克利 (William Schockley) 開發(fā)并展示了第一個晶體管(一種點接觸器件)時，固態(tài)和現(xiàn)代電子時代誕生了。他們的晶體管使用摻雜的鍺，金箔觸點用小彈簧推到表面。

  • 使用去補(bǔ)償放大器，無需提高電流即可獲得寬帶寬或大轉(zhuǎn)換率

    如今，從 PDA 和智能手機(jī)到醫(yī)療設(shè)備和測試設(shè)備，所有手持設(shè)備都觸手可及，因此我們需要它們盡可能長時間地使用就不足為奇了。 然而，一個關(guān)鍵問題是運(yùn)算放大器的速度，因為低功耗通常意味著有限的速度，例如帶寬和轉(zhuǎn)換率。我說“通?！笔且驗橛欣猓覀儗⒃诖颂幱懻?。

  • 我們從Analog 的“不完美”中學(xué)會了什么？

    在儀器儀表系統(tǒng)中，常常需要將檢測到的連續(xù)變化的模擬量如：溫度、壓力、流量、速度、光強(qiáng)等轉(zhuǎn)變成離散的數(shù)字量，才能輸入到計算機(jī)中進(jìn)行處理。這些模擬量經(jīng)過傳感器轉(zhuǎn)變成電信號(一般為電壓信號)，經(jīng)過放大器放大后，就需要經(jīng)過一定的處理變成數(shù)字量。實現(xiàn)模擬量到數(shù)字量轉(zhuǎn)變的設(shè)備通常稱為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)，簡稱A/D。

  • ALD810030 精密MOSFET 為四個匹配的超級電容器進(jìn)行自動平衡

    一種新的精密 MOSFET 陣列——旨在平衡和調(diào)節(jié)額定電壓更高的超級電容器——適用于廣泛的應(yīng)用，如執(zhí)行器、遠(yuǎn)程信息處理、太陽能電池板、應(yīng)急照明、安全設(shè)備、條形碼掃描儀、高級計量箱和備用電池系統(tǒng)。

  • 提高寬帶隙功率器件故障分析的準(zhǔn)確性

    預(yù)計 2018 年至 2050 年間，世界能源消耗將增長近 50%，原因是對可再生能源的需求增加、汽車工業(yè)系統(tǒng) 電氣化，以及對電源管理應(yīng)用中設(shè)備小型化和提高效率的需求不斷增長。

  • SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應(yīng)用機(jī)會已經(jīng)出現(xiàn)

    SiC 器件正在取代現(xiàn)有 Si 器件的高影響力應(yīng)用機(jī)會已經(jīng)出現(xiàn)，包括 xEV 和鐵路電力電子設(shè)備，具有更低的損耗和更低的冷卻要求;具有降低冷卻負(fù)荷和更高效率的新型數(shù)據(jù)中心拓?fù)浣Y(jié)構(gòu);用于高效大功率電動機(jī)的變頻驅(qū)動器，可降低整體系統(tǒng)成本;更高效、靈活和可靠的網(wǎng)格應(yīng)用程序，減少系統(tǒng)占用空間;以及“更多電動航空航天”，重量、體積和冷卻系統(tǒng)的減少有助于節(jié)能。就電動汽車而言，目前大多數(shù)使用 400V 總線架構(gòu)，因此 650V SiC 器件與成熟且堅固的硅 IGBT 競爭，而 GaN 則在利潤豐厚的牽引逆變器、DC/DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器中競爭市場。

  • 討論寬帶隙半導(dǎo)體背后的技術(shù)、市場前景和機(jī)遇

    GaN Systems 銷售和營銷副總裁 Larry Spaziani 在接受 記者采訪時 談到了寬帶隙半導(dǎo)體背后的技術(shù)、市場前景和機(jī)遇。

  • 進(jìn)一步了解氮化鎵和碳化硅目前贏得業(yè)務(wù)的市場

    電力電子在采用 GaN 和 SiC 器件方面發(fā)生了變化。硅仍然主導(dǎo)著市場，但很快，這些設(shè)備的出現(xiàn)將引導(dǎo)技術(shù)走向新的、更高效的解決方案。Yole Développement 估計，到 2025 年來自 SiC 器件的收入將占市場的 10% 以上，而來自 GaN 器件的收入到 2025 年將超過 2% 的市場。一些主導(dǎo)市場的公司是 STMicroelectronics、Cree/ Wolfspeed、ROHM、Infineon、Onsemi 和 Mitsubishi Electric 用于 SiC 功率器件。而在這個領(lǐng)域，GaN Yole Développement 擁有 Power Integrations 和 Infineon 作為參與者，以及 Navitas、EPC、GaN Systems 和 Transphorm 等創(chuàng)新初創(chuàng)企業(yè)。

  • 電源設(shè)計說明：分析用于高性能應(yīng)用的新型 SiC 和 GaN FET 器件

    在本文中，我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正將精力集中在這些類型的組件上，以創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。

  • 使用SiC 功率堆棧參考設(shè)計，來加速電動汽車高壓系統(tǒng)的開發(fā)

    電動汽車和可再生能源系統(tǒng)的電源管理解決方案必須降低性能和成本，同時還要縮短開發(fā)時間。電動汽車設(shè)計師(EV)、商業(yè)運(yùn)輸、可再生能源和存儲系統(tǒng)現(xiàn)在可以極大地受益于碳化硅堆棧解決方案，該解決方案可提高性能并降低成本，同時將上市時間縮短最多六個月。由于 Microchip Technology 與 Mersen 之間簽署的合作協(xié)議，Mersen 成為可能，Mersen 是一家全球電源管理解決方案提供商，服務(wù)于包括電動汽車和儲能在內(nèi)的多個行業(yè)。美爾森的 150 千伏安 (kVA) 三相碳化硅功率堆棧參考設(shè)計為系統(tǒng)設(shè)計人員提供了完整、緊湊、高功率的碳化硅解決方案，無需單獨(dú)的設(shè)備采購、測試和鑒定。

  • SiC-MOSFET終端區(qū)對開關(guān)損耗的物理分析

    盡管硅是電子產(chǎn)品中使用最廣泛的半導(dǎo)體，但最近的研究表明它有一些局限性，特別是在大功率應(yīng)用中。帶隙是基于半導(dǎo)體的電路的相關(guān)因素，因為高帶隙在高溫、電壓和頻率下的操作方面具有優(yōu)勢。硅的帶隙為 1.12 eV，而碳化硅的帶隙值高 3 倍，為 3.2 eV，因此性能和效率更高，開關(guān)頻率更高，總占位面積更小。

    功率器件
    2022-12-15
    SiC MOSFET

  • 使用GaN讓大功率使用環(huán)境中的設(shè)備保持合適的溫度

    自從引入 USB-PD 規(guī)范及其演進(jìn)以來，用于為從手機(jī)到筆記本電腦等日常電子設(shè)備供電的電源適配器的格局發(fā)生了巨大變化。雖然USB-PD確保了廣泛的兼容性，但電源適配器設(shè)計變得更具挑戰(zhàn)性：現(xiàn)在，電源適配器必須支持廣泛的輸出電壓(與專用適配器的單一輸出電壓相反)。同時，最終用戶對更輕、更小適配器的需求仍在繼續(xù)。近年來引入了氮化鎵功率開關(guān)來滿足這些雙重要求。

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